| ■ 영문 제목 : Global Overvoltage and Surge Protection IC Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D37991 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 과전압/서지 보호 IC은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 과전압/서지 보호 IC은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 과전압/서지 보호 IC의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 과전압/서지 보호 IC 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
과전압/서지 보호 IC 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 과전압/서지 보호 IC 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 100V 이하, 100V – 500V, 500V 이상) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 과전압/서지 보호 IC 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 과전압/서지 보호 IC 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 과전압/서지 보호 IC 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 과전압/서지 보호 IC 기술의 발전, 과전압/서지 보호 IC 신규 진입자, 과전압/서지 보호 IC 신규 투자, 그리고 과전압/서지 보호 IC의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 과전압/서지 보호 IC 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 과전압/서지 보호 IC 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 과전압/서지 보호 IC 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 과전압/서지 보호 IC 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 과전압/서지 보호 IC 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 과전압/서지 보호 IC 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 과전압/서지 보호 IC 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
과전압/서지 보호 IC 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
100V 이하, 100V – 500V, 500V 이상
*** 용도별 세분화 ***
자동차, 가전 제품, 항공 우주/군사, 산업, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Kinetic Technologies, Texas Instruments, Analog Devices, Bourns, NXP Semiconductors, ON Semiconductor, Rochester Electronics LLC, STMicroelectronics, Diodes Incorporated, Mornsun Power, Toshiba, ROHM Semiconductor, Infineon Technologies, Shanghai Awinic Technology, Shanghai Prisemi Electronics
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 과전압/서지 보호 IC 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 과전압/서지 보호 IC 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 과전압/서지 보호 IC 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 과전압/서지 보호 IC은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
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■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 과전압/서지 보호 IC 시장분석 ■ 지역별 과전압/서지 보호 IC에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 과전압/서지 보호 IC 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Kinetic Technologies, Texas Instruments, Analog Devices, Bourns, NXP Semiconductors, ON Semiconductor, Rochester Electronics LLC, STMicroelectronics, Diodes Incorporated, Mornsun Power, Toshiba, ROHM Semiconductor, Infineon Technologies, Shanghai Awinic Technology, Shanghai Prisemi Electronics – Kinetic Technologies – Texas Instruments – Analog Devices ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]과전압/서지 보호 IC 이미지 과전압/서지 보호 IC 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 과전압/서지 보호 IC 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 과전압/서지 보호 IC 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 기업별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 2023 기업별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 2023 기업별 글로벌 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 2023 미주 과전압/서지 보호 IC 판매량 (2019-2024) 미주 과전압/서지 보호 IC 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 과전압/서지 보호 IC 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 과전압/서지 보호 IC 매출 (2019-2024) 유럽 과전압/서지 보호 IC 판매량 (2019-2024) 유럽 과전압/서지 보호 IC 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 과전압/서지 보호 IC 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 과전압/서지 보호 IC 매출 (2019-2024) 미국 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 캐나다 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 멕시코 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 브라질 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 중국 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 일본 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 한국 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 인도 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 호주 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 독일 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 프랑스 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 영국 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 러시아 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 이집트 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 터키 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 과전압/서지 보호 IC 시장규모 (2019-2024) 과전압/서지 보호 IC의 제조 원가 구조 분석 과전압/서지 보호 IC의 제조 공정 분석 과전압/서지 보호 IC의 산업 체인 구조 과전압/서지 보호 IC의 유통 채널 글로벌 지역별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 과전압/서지 보호 IC 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 과전압/서지 보호 IC 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 과전압/서지 보호 IC의 개념 현대 사회에서 전기 및 전자 기기는 우리 생활에 필수적인 요소로 자리 잡았습니다. 스마트폰, 컴퓨터, 가전제품 등 다양한 기기들은 안정적인 전력 공급을 기반으로 작동하며, 이러한 전력 공급의 안정성을 확보하는 것은 기기 자체의 성능과 수명은 물론, 사용자 안전과도 직결되는 중요한 문제입니다. 하지만 전력망에는 우리가 인지하지 못하는 순간적으로 발생하는 과도한 전압 상승, 즉 과전압이나 서지(Surge)가 존재하며, 이러한 현상은 민감한 전자 부품에 치명적인 손상을 입히거나 오작동을 유발할 수 있습니다. 과전압/서지 보호 IC는 바로 이러한 위험으로부터 전자 기기를 보호하기 위해 설계된 핵심 부품입니다. 과전압/서지 보호 IC는 전력선이나 신호선에 갑작스럽게 발생하는 비정상적으로 높은 전압으로부터 회로를 보호하는 반도체 집적 회로입니다. 이러한 과전압이나 서지는 다양한 원인에 의해 발생할 수 있습니다. 가장 흔한 원인 중 하나는 번개입니다. 번개가 전력선이나 통신선에 직접적으로 떨어지거나 근처에 낙뢰가 발생하면, 전력망 전체에 매우 높은 전압의 전류가 유입되어 연결된 모든 장치에 심각한 손상을 줄 수 있습니다. 또한, 전력망 내에서 발생하는 스위칭 서지(Switching Surge)도 주요 원인입니다. 대형 전기 설비를 켜거나 끌 때, 혹은 전력망에서 부하 변동이 발생할 때 발생하는 전압 변동이 서지를 유발할 수 있습니다. 이러한 스위칭 서지는 번개만큼 파괴적이지는 않지만, 반복적으로 발생하면서 전자 부품의 수명을 단축시키거나 점진적인 성능 저하를 가져올 수 있습니다. 더불어, 모터와 같은 유도성 부하를 제어할 때 발생하는 역기전력(Back EMF) 또한 순간적인 과전압을 발생시켜 회로에 영향을 줄 수 있습니다. 최근에는 전자기파 간섭(EMI)이나 무선 주파수 간섭(RFI) 또한 특정 조건에서는 과도한 전압 스파이크를 발생시켜 보호 대상이 되기도 합니다. 과전압/서지 보호 IC는 이러한 예측 불가능하고 순간적으로 발생하는 과도한 에너지로부터 민감한 전자 회로를 격리하거나 흡수하여 안전한 수준으로 낮추는 역할을 합니다. 마치 댐이 홍수 때 넘치는 물을 조절하여 하류 지역의 피해를 막는 것처럼, 과전압/서지 보호 IC는 순간적인 과전압 에너지를 흡수하거나 다른 곳으로 안전하게 흘려보내어 회로의 정상적인 작동을 유지하고 영구적인 손상을 방지합니다. 과전압/서지 보호 IC는 그 작동 원리와 구조에 따라 다양한 종류로 구분될 수 있습니다. 가장 대표적인 기술로는 트랜지언트 전압 억제기(Transient Voltage Suppressor, TVS) 다이오드가 있습니다. TVS 다이오드는 특정 역방향 전압 이상이 가해지면 순식간에 낮은 임피던스 상태로 전환되어 과도한 전류를 자체적으로 흡수하거나 다른 경로로 흘려보내는 제너 다이오드와 유사한 특성을 가집니다. 하지만 TVS 다이오드는 일반적인 제너 다이오드보다 훨씬 빠른 응답 속도와 높은 서지 전류 처리 능력을 갖도록 설계되어 있어 순간적인 과전압 보호에 특화되어 있습니다. TVS 다이오드는 단방향(Unidirectional)과 양방향(Bidirectional)으로 나뉘는데, 단방향 TVS는 전류가 한 방향으로만 흐르는 DC 회로에 주로 사용되며, 양방향 TVS는 AC 회로나 양방향으로 전압이 인가될 수 있는 신호선 보호에 적합합니다. 또 다른 중요한 보호 소자로는 금속 산화물 배리스터(Metal Oxide Varistor, MOV)가 있습니다. MOV는 일반적인 상태에서는 높은 임피던스를 가지지만, 특정 전압 이상에서는 임피던스가 급격히 낮아져 과도한 전류를 흡수하는 특성을 보입니다. MOV는 TVS 다이오드에 비해 더 큰 서지 에너지를 흡수할 수 있는 장점이 있지만, 응답 속도가 상대적으로 느리고 반복적인 서지에 의해 성능이 저하될 수 있다는 단점이 있습니다. 따라서 MOV는 주로 전력선과 같이 높은 에너지를 포함하는 회로의 일차적인 보호 장치로 사용되는 경우가 많습니다. 가스 방전관(Gas Discharge Tube, GDT) 또한 과전압 보호에 사용될 수 있는 소자입니다. GDT는 두 전극 사이에 가스를 봉입하여 일정 전압 이상이 가해지면 가스가 이온화되면서 전극 사이의 전기 저항이 매우 낮아져 전류를 흘려보내는 원리를 이용합니다. GDT는 매우 큰 서지 전류를 처리할 수 있는 능력이 뛰어나지만, 응답 속도가 상대적으로 느리고 서지 발생 후에도 일시적으로 전도 상태를 유지하여 회로에 영향을 줄 수 있습니다. 따라서 GDT는 일반적으로 다른 보호 소자와 함께 사용되는 경우가 많습니다. 최근에는 이러한 전통적인 보호 소자들의 단점을 보완하고 더 높은 성능과 집적도를 제공하는 다양한 형태의 보호 IC들이 개발되고 있습니다. 예를 들어, 특정 애플리케이션에 맞춰 최적화된 보호 기능을 제공하는 맞춤형 보호 IC, 과전압뿐만 아니라 과전류, 역전압 등 다양한 위험 요소를 통합적으로 관리하는 다기능 보호 IC 등이 있습니다. 이러한 IC들은 기존의 개별 부품들을 하나의 칩에 집적함으로써 회로 설계를 간소화하고 전체적인 보호 성능을 향상시키는 데 기여하고 있습니다. 과전압/서지 보호 IC의 용도는 매우 광범위합니다. 스마트폰, 태블릿과 같은 휴대용 전자기기는 물론, 컴퓨터, TV, 오디오 장비 등 소비 가전 제품의 전원 공급 장치 및 데이터 통신 포트 보호에 필수적으로 사용됩니다. 자동차 산업에서도 차량의 전장 부품은 각종 전기적 노이즈와 서지에 노출되기 쉬우므로, 엔진 제어 장치(ECU), 인포테인먼트 시스템 등 다양한 부분에 보호 IC가 적용됩니다. 또한, 산업 자동화 장비, 의료 기기, 통신 장비, 전력 설비 등 높은 신뢰성과 안전성이 요구되는 분야에서는 더욱 강력하고 정밀한 과전압/서지 보호 솔루션이 요구됩니다. 예를 들어, 데이터 센터의 서버, 기지국의 통신 장비, 태양광 발전 시스템 등은 외부 환경 요인이나 전력망의 불안정성으로 인해 서지 발생 가능성이 높은 환경에 놓여 있으므로, 이러한 장비들의 안정적인 작동과 긴 수명을 보장하기 위해 과전압/서지 보호 IC는 필수적인 부품입니다. 과전압/서지 보호 IC의 성능을 평가하고 선택하는 데 있어서는 몇 가지 중요한 기술적 고려 사항이 있습니다. 첫째, 클램핑 전압(Clamping Voltage)입니다. 이는 보호 소자가 작동하여 과전압을 제한하는 최종 전압 수준을 의미하며, 보호 대상 회로의 최대 허용 전압보다 낮아야 합니다. 둘째, 최대 서지 전류 처리 능력(Peak Surge Current Capability)입니다. 이는 보호 소자가 파괴되지 않고 처리할 수 있는 순간적인 최대 전류 값을 나타내며, 예상되는 최대 서지 전류보다 충분히 커야 합니다. 셋째, 응답 속도(Response Time)입니다. 과전압 발생 시 얼마나 빠르게 반응하여 회로를 보호하는지를 나타내는 지표로, 매우 짧은 시간 내에 발생하는 서지를 효과적으로 차단하기 위해서는 빠른 응답 속도가 필수적입니다. 넷째, 누설 전류(Leakage Current)입니다. 정상 작동 시 보호 소자를 통해 흐르는 매우 작은 전류를 의미하며, 이 전류가 너무 크면 전력 손실이 발생하거나 회로의 오작동을 유발할 수 있으므로 최소화되어야 합니다. 마지막으로, 내구성(Durability) 또한 중요합니다. 반복적인 서지 발생에도 성능 저하 없이 일정 기간 이상 안정적으로 작동해야 하므로, 보호 소자의 수명과 신뢰성을 고려해야 합니다. 최근에는 기술 발전과 함께 더욱 정교하고 효율적인 과전압/서지 보호 솔루션이 등장하고 있습니다. 예를 들어, 실리콘 카바이드(SiC)나 질화 갈륨(GaN)과 같은 차세대 반도체 소재를 활용한 고성능 보호 소자들은 기존 실리콘 기반 소자보다 더 높은 전압과 전류를 견디면서도 더 빠른 응답 속도를 제공할 수 있습니다. 또한, 전력 회로의 특정 지점에 통합되어 주변 회로의 상태를 실시간으로 감지하고 최적의 보호를 제공하는 지능형 보호 IC들도 개발되고 있습니다. 이러한 지능형 보호 기술은 단순히 과전압을 차단하는 것을 넘어, 전력 품질을 모니터링하고 잠재적인 위험을 사전에 감지하여 시스템의 안정성을 더욱 높이는 데 기여할 수 있습니다. 결론적으로, 과전압/서지 보호 IC는 현대 전자기기의 필수적인 안전 부품으로서, 예측 불가능한 전력 이상 현상으로부터 소중한 전자 기기를 보호하는 중요한 역할을 수행합니다. 다양한 원인으로 발생하는 과전압 및 서지로부터 회로를 보호하기 위해 TVS 다이오드, MOV, GDT 등 다양한 기술이 활용되며, 각 기술은 고유의 장단점을 가지고 있습니다. 휴대용 전자기기부터 산업용 설비에 이르기까지 광범위한 분야에서 이러한 보호 IC는 기기의 성능 유지, 수명 연장, 그리고 궁극적으로는 사용자의 안전을 보장하는 데 핵심적인 기여를 하고 있습니다. 기술의 발전과 더불어 더욱 높은 성능과 지능적인 기능을 갖춘 과전압/서지 보호 IC의 개발은 앞으로도 지속될 것이며, 이는 우리 사회의 디지털 전환을 더욱 안전하고 안정적으로 이끌어갈 중요한 동력이 될 것입니다. |
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