| ■ 영문 제목 : SiC Junction Barrier Schottky (SiC JBS) Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F47124 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS)의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장은 태양광 장치, 전력, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 650V, 1200V), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS)에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 650V, 1200V
■ 용도별 시장 세그먼트
– 태양광 장치, 전력, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– STMicroelectronics, UnitedSiC, CALY Technologies, CR Micro, Yangzhou Yangjie Electronic, Nanchang WeEn Semiconductors
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS)의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장 규모
3 장 : SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 STMicroelectronics, UnitedSiC, CALY Technologies, CR Micro, Yangzhou Yangjie Electronic, Nanchang WeEn Semiconductors STMicroelectronics UnitedSiC CALY Technologies 8. 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량: 2019-2030 - SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 가격 - 글로벌 용도별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 가격 - 지역별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 캐나다 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 멕시코 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 유럽 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 프랑스 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 영국 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 이탈리아 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 러시아 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 아시아 지역별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 일본 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 한국 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 동남아시아 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 인도 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 남미 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 아르헨티나 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 이스라엘 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 아랍에미리트 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장규모 - 글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 생산 능력 - 지역별 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## SiC 접합 장벽 쇼트키(SiC JBS)의 개념 실리콘 카바이드(SiC) 접합 장벽 쇼트키(SiC Junction Barrier Schottky, 이하 SiC JBS) 다이오드는 현대 전력 반도체 기술에서 매우 중요한 위치를 차지하고 있는 소자입니다. 기존의 실리콘(Si) 기반 파워 다이오드의 성능 한계를 극복하고, 더 높은 효율, 더 빠른 스위칭 속도, 더 높은 신뢰성을 제공하기 위해 개발되었습니다. SiC JBS는 주로 쇼트키 접합과 P-N 접합을 결합하여 독특한 구조와 특성을 구현하며, 이를 통해 기존 쇼트키 다이오드의 단점을 보완하고 P-N 다이오드의 장점을 일부 수용하는 하이브리드 형태의 특성을 나타냅니다. SiC JBS 다이오드의 핵심적인 개념은 **장벽 높이 제어**와 **전하 축적 감소**에 있습니다. 일반적인 쇼트키 다이오드는 금속과 반도체 계면에서 형성되는 쇼트키 장벽을 통해 순방향 전압 강하를 낮추고 빠른 역회복 특성을 가지지만, 높은 순방향 전압 강하와 피크 역전류(reverse recovery current)로 인한 스위칭 손실 증가라는 단점을 가지고 있습니다. 반면, P-N 접합 다이오드는 순방향 전압 강하가 낮고 높은 내압을 가지지만, 역회복 시간이 길어 스위칭 손실이 크다는 단점이 있습니다. SiC JBS는 이러한 두 접합의 장점을 취합하기 위해 설계되었습니다. SiC JBS의 구조는 일반적으로 P형 SiC 기판 위에 N형 SiC 에피층을 성장시키고, 이 N형 에피층 위에 쇼트키 접촉 금속을 형성하는 방식입니다. 하지만 여기서 중요한 차이점은, N형 에피층 내부에 짧은 P형 주입 채널(P+ implant channel)을 형성하여 마치 깊게 파고든 P-N 접합처럼 동작하게 만든다는 것입니다. 이 P+ 주입 채널은 순방향 전압이 인가되었을 때 N형 에피층의 전도도를 높여 순방향 전압 강하를 효과적으로 낮추는 역할을 합니다. 또한, 역방향 전압이 인가되면 이 P+ 주입 채널은 마치 드리프트 영역(drift region)과 P형 기판 사이에 형성된 P-N 접합처럼 동작하여, 드리프트 영역에 축적되는 전하를 효과적으로 배출하고 캐리어 농도를 낮추는 데 기여합니다. 이로 인해 역회복 시 발생하는 피크 역전류와 회복 전하량을 크게 줄여, 결과적으로 고속 스위칭 특성을 달성하면서도 순방향 전압 강하를 허용 가능한 수준으로 유지할 수 있게 됩니다. SiC JBS 다이오드의 주요 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **낮은 순방향 전압 강하(Low Forward Voltage Drop)**입니다. SiC 자체의 밴드갭이 크기 때문에 일반적인 실리콘 쇼트키 다이오드보다는 순방향 전압 강하가 다소 높을 수 있으나, P+ 주입 채널의 존재로 인해 기존의 일반적인 SiC 쇼트키 다이오드에 비해 순방향 전압 강하가 더욱 낮아져 전력 손실을 감소시키는 데 기여합니다. 둘째, **매우 빠른 스위칭 속도(Very Fast Switching Speed)**입니다. P+ 주입 채널이 역방향 전압 시 축적되는 전하를 효과적으로 제거함으로써, 역회복 특성이 매우 뛰어나며 이는 고주파 스위칭 애플리케이션에서 스위칭 손실을 크게 줄여줍니다. 셋째, **높은 항복 전압(High Breakdown Voltage)**입니다. SiC는 실리콘에 비해 높은 전기장 강도를 가지므로, 동일한 칩 면적에서 훨씬 높은 역방향 전압을 견딜 수 있습니다. 넷째, **높은 동작 온도(High Operating Temperature)**입니다. SiC의 넓은 밴드갭과 높은 열 전도성은 고온에서도 안정적인 동작을 가능하게 하여, 냉각 시스템의 부담을 줄이고 소형화에 유리합니다. 다섯째, **낮은 누설 전류(Low Leakage Current)**입니다. 쇼트키 접합 자체의 특성과 함께, 잘 설계된 P-N 접합 구조는 역방향 누설 전류를 효과적으로 억제합니다. SiC JBS 다이오드는 구조적인 설계에 따라 몇 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 일반적인 형태는 앞서 설명한 **P+ implant JBS** 구조입니다. 이는 N형 에피층에 깊은 P+ 영역을 주입하여 형성됩니다. 또 다른 형태로는 **MOSFET 기반 JBS(MOSFET-controlled JBS)**가 있습니다. 이 구조에서는 P+ 주입 영역 대신 게이트 전극을 이용하여 P형 채널의 전기적 특성을 조절함으로써, 순방향 전압 강하를 더욱 미세하게 제어하고 차단 특성을 향상시킬 수 있습니다. 하지만 이는 구조가 더욱 복잡해지는 단점이 있습니다. 또한, 쇼트키 접합을 형성하는 금속의 종류나 계면 처리 기술에 따라서도 성능 차이가 발생할 수 있습니다. SiC JBS 다이오드는 그 뛰어난 성능 덕분에 다양한 고전력 및 고주파 애플리케이션에 적용되고 있습니다. 대표적인 용도로는 **전기차(EV)용 온보드 충전기(OBC)**, **DC-DC 컨버터**, **인버터**, **고효율 파워 서플라이**, **태양광 인버터**, **데이터 센터 파워 모듈**, 그리고 **산업용 전원 공급 장치** 등이 있습니다. 특히 전기차 분야에서는 높은 효율과 빠른 충전 속도가 중요하므로, SiC JBS 다이오드는 이러한 요구 사항을 충족하는 핵심 부품으로 각광받고 있습니다. 또한, 우주 항공이나 국방 분야와 같이 극한 환경에서의 신뢰성이 요구되는 애플리케이션에서도 SiC JBS 다이오드가 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. SiC JBS 기술과 관련된 기술로는 **SiC 에피 성장 기술**, **이온 주입 및 열처리 기술**, **고온 금속 접합 기술**, **패키징 기술**, 그리고 **소자 시뮬레이션 및 설계 기술** 등이 있습니다. SiC 웨이퍼 상에 고품질의 N형 SiC 에피층을 균일하게 성장시키는 것은 소자의 성능과 수율을 결정하는 중요한 요소입니다. 또한, P+ 주입 영역을 정밀하게 형성하고 최적의 전기적 특성을 얻기 위한 이온 주입 공정과 고온 열처리 공정 역시 매우 중요합니다. 고온에서 안정적인 쇼트키 접합을 형성하기 위한 금속 접합 기술 또한 필수적이며, SiC의 높은 동작 온도를 고려한 고온 패키징 기술의 발전도 중요합니다. 마지막으로, 복잡한 소자 구조의 성능을 예측하고 최적화하기 위한 첨단 소자 시뮬레이션 및 설계 기술은 SiC JBS 다이오드의 상용화를 가속화하는 데 기여합니다. 결론적으로 SiC JBS 다이오드는 기존 반도체 소자의 한계를 극복하고 차세대 전력 변환 시스템의 효율성과 성능을 한 단계 끌어올리는 핵심 기술입니다. 낮은 순방향 전압 강하, 빠른 스위칭 속도, 높은 항복 전압, 그리고 고온에서의 안정성이라는 장점을 바탕으로, SiC JBS 다이오드는 앞으로도 더욱 다양한 분야에서 중요한 역할을 수행할 것으로 기대됩니다. 지속적인 연구 개발을 통해 공정 기술이 더욱 발전하고 생산 단가가 낮아진다면, SiC JBS 다이오드는 에너지 효율 향상과 지속 가능한 에너지 시스템 구축에 크게 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC 접합 장벽 쇼트키 (SiC JBS) 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F47124) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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