| ■ 영문 제목 : Global SiC MOSFETs Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
| ■ 상품코드 : GIR2406C6284 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체  | |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC MOSFET 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC MOSFET 산업 체인 동향 개요, PV 인버터 및 컨버터, 스마트 그리드, 하이브리드 전기 자동차 (HEV), 기타 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC MOSFET의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC MOSFET 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC MOSFET 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC MOSFET 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC MOSFET 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 1200V 타입, 1700V 타입, 650V 타입, 기타)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC MOSFET 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC MOSFET 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC MOSFET 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC MOSFET에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC MOSFET 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC MOSFET에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (PV 인버터 및 컨버터, 스마트 그리드, 하이브리드 전기 자동차 (HEV), 기타)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC MOSFET과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC MOSFET 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC MOSFET 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC MOSFET 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 1200V 타입, 1700V 타입, 650V 타입, 기타
용도별 시장 세그먼트
– PV 인버터 및 컨버터, 스마트 그리드, 하이브리드 전기 자동차 (HEV), 기타
주요 대상 기업
– STMicroelectronics, Microsemi, Wolfspeed, ROHM, Littelfuse, Infineon Technologies, ON Semiconductor
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC MOSFET 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC MOSFET의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC MOSFET의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC MOSFET 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC MOSFET 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC MOSFET 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC MOSFET의 산업 체인.
– SiC MOSFET 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 STMicroelectronics Microsemi Wolfspeed ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC MOSFET 이미지 - 종류별 세계의 SiC MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC MOSFET 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC MOSFET 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC MOSFET 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC MOSFET 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC MOSFET 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 소비 금액 - 유럽 SiC MOSFET 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 소비 금액 - 남미 SiC MOSFET 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC MOSFET 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC MOSFET 평균 가격 - 북미 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC MOSFET 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC MOSFET 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC MOSFET 소비 금액 및 성장률 - SiC MOSFET 시장 성장 요인 - SiC MOSFET 시장 제약 요인 - SiC MOSFET 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC MOSFET의 제조 비용 구조 분석 - SiC MOSFET의 제조 공정 분석 - SiC MOSFET 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.  | 
| ※참고 정보 SiC MOSFET은 탄화규소(Silicon Carbide, SiC)라는 차세대 반도체 소재를 기반으로 제작된 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)입니다. 기존의 실리콘(Si) 기반 MOSFET에 비해 월등히 뛰어난 전기적, 열적 특성을 지니고 있어 고전력, 고주파, 고온 환경 등 기존 Si MOSFET으로는 구현하기 어려웠던 다양한 분야에서 혁신적인 성능 향상을 가져오고 있습니다. SiC MOSFET의 핵심적인 개념은 바로 '소재의 혁신'에 있습니다. SiC는 실리콘에 비해 밴드갭 에너지(Bandgap Energy), 항복 전압(Breakdown Voltage), 열 전도율(Thermal Conductivity)이 훨씬 높습니다. 이러한 물성은 SiC MOSFET이 더 높은 전압을 견디고, 더 낮은 온 저항(On-resistance)을 가지며, 더 높은 온도에서 안정적으로 동작할 수 있게 하는 근본적인 이유가 됩니다. 구체적으로 SiC의 우수한 특성을 살펴보면 다음과 같습니다. 첫째, 밴드갭 에너지가 약 3.2 eV로 실리콘(약 1.1 eV)의 세 배에 달합니다. 이는 SiC가 더 높은 온도에서도 전도체와 절연체 간의 구분이 명확하게 유지됨을 의미하며, 고온 동작에 유리하게 작용합니다. 둘째, 항복 전압은 SiC가 Si보다 약 10배 가량 높습니다. 이는 같은 두께의 절연층으로 더 높은 전압을 견딜 수 있다는 뜻이며, 결과적으로 스위칭 소자의 크기를 줄이면서도 고전압 애플리케이션에 적용 가능하게 합니다. 셋째, 열 전도율 역시 SiC가 Si보다 약 3배 정도 높아, 스위칭 시 발생하는 열을 효율적으로 외부로 방출할 수 있습니다. 이는 소자의 온도 상승을 억제하여 신뢰성을 높이고 냉각 시스템의 부담을 줄여줍니다. 이러한 SiC 소재의 장점을 바탕으로 제작된 SiC MOSFET은 기존 Si MOSFET 대비 여러 가지 뛰어난 특징을 가집니다. 가장 대표적인 특징은 매우 낮은 온 저항(Low On-resistance)입니다. MOSFET의 온 저항은 전류가 흐를 때 발생하는 전력 손실과 직결되는데, SiC MOSFET은 동일한 크기의 Si MOSFET 대비 수십 배에서 수백 배 이상 낮은 온 저항을 가집니다. 이는 스위칭 손실 및 전도 손실을 획기적으로 줄여 에너지 효율을 크게 향상시킵니다. 또한, 스위칭 속도가 매우 빠릅니다. 이는 SiC 소자의 낮은 게이트 전하량(Gate Charge) 및 출력 전하량(Output Charge) 덕분이며, 이를 통해 전력 변환 회로의 스위칭 주파수를 높일 수 있습니다. 스위칭 주파수의 증가는 회로에 사용되는 수동 소자(인덕터, 커패시터)의 크기를 줄여 시스템의 집적도와 경량화를 가능하게 합니다. SiC MOSFET의 구조는 기본적으로 MOSFET의 구조를 따르지만, 소재의 특성을 극대화하기 위한 다양한 설계 기술이 적용됩니다. SiC MOSFET은 주로 4H-SiC 결정 구조를 기반으로 제작되며, 접합형(JFET)과 절연형(MOSFET) 방식이 혼합된 하이브리드 구조를 사용하기도 합니다. 현재 상용화된 SiC MOSFET은 주로 카바이드(Carbide) 계열의 에피택셜(epitaxial) 성장층 위에 채널을 형성하는 구조를 가집니다. 게이트 절연막으로는 주로 산화 실리콘(SiO2) 대신 산화 탄화규소(SiC/SiO2) 계면 특성이 우수한 산화막이 사용되거나, 질화물(nitride) 등이 사용되기도 합니다. 또한, 높은 항복 전압을 효과적으로 활용하기 위해 평면형(Planar) 구조와 격자형(Trench) 구조가 모두 사용됩니다. 격자형 구조는 더욱 낮은 온 저항을 구현하는 데 유리하지만, 공정 난이도가 높다는 특징이 있습니다. SiC MOSFET은 그 뛰어난 성능을 바탕으로 매우 광범위한 응용 분야를 가지고 있습니다. 가장 주목받는 분야는 전기 자동차(EV)입니다. EV의 구동 시스템에서 전력 변환 효율은 주행 거리와 직결되는데, SiC MOSFET을 적용한 인버터는 기존 Si IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 대비 효율을 크게 향상시켜 주행 거리를 늘리고 배터리 용량을 줄일 수 있게 합니다. 또한, 충전 인프라에서도 고효율 충전기 구현에 필수적입니다. 재생 에너지 분야에서도 SiC MOSFET의 활용은 매우 중요합니다. 태양광 발전 시스템의 인버터는 직류(DC)를 교류(AC)로 변환하는 과정에서 전력 손실이 발생하는데, SiC MOSFET을 사용하면 이 손실을 줄여 발전 효율을 높일 수 있습니다. 풍력 발전 시스템의 컨버터 및 인버터에도 동일하게 적용되어 전체 시스템의 효율성을 증대시킵니다. 데이터 센터 및 고성능 컴퓨팅 시스템에서 사용되는 서버 전원 공급 장치(SMPS) 역시 SiC MOSFET의 주요 적용 분야입니다. 높은 효율은 전력 소비를 줄이고 발열을 감소시켜 안정적인 운영에 기여합니다. 또한, 고압 직류 송전(HVDC) 시스템, 산업용 전력 장비, 항공 우주 및 국방 분야 등 고전압, 고전력, 고효율이 요구되는 다양한 시스템에서 SiC MOSFET의 적용이 확대되고 있습니다. SiC MOSFET 기술은 계속해서 발전하고 있으며, 이를 뒷받침하는 관련 기술들도 함께 진화하고 있습니다. 첫째, 소재 기술입니다. 고품질의 SiC 웨이퍼(wafer)를 안정적으로 대량 생산하는 기술은 SiC MOSFET의 가격 경쟁력을 확보하는 데 필수적입니다. 또한, 더 낮은 결함 밀도를 갖는 에피택셜 성장 기술은 소자의 신뢰성을 높이는 데 중요한 역할을 합니다. 둘째, 소자 설계 및 공정 기술입니다. 앞서 언급했듯이 격자형 구조, 표면 전하 관리 기술 등을 통해 온 저항을 더욱 낮추고 항복 전압을 유지하는 연구가 활발히 진행 중입니다. 또한, 게이트 산화막의 품질 향상, 캐리어 주입 효율 증대 등 소자 성능 극대화를 위한 공정 기술 개발이 이루어지고 있습니다. 셋째, 패키징 기술입니다. SiC MOSFET은 기존 Si 소자보다 높은 온도에서 작동하며, 더 큰 전류를 처리할 수 있습니다. 따라서 고온에서도 안정적인 성능을 발휘하고, 높은 전력 밀도를 수용할 수 있는 새로운 패키징 기술이 요구됩니다. 예를 들어, 와이어 본딩 대신 직접 접합(direct bonding) 기술을 사용하거나, 더 넓은 온도 범위에서 동작하는 절연 재료를 사용하는 등의 기술들이 연구되고 있습니다. 넷째, 드라이버 회로 설계 기술입니다. SiC MOSFET은 게이트 특성이 Si MOSFET과 다르기 때문에, 효율적이고 안정적인 스위칭을 위해서는 전용 드라이버 회로가 필요합니다. 빠른 스위칭 속도에 맞춰 적절한 게이트 구동 전압과 전류를 공급하고, 데드 타임(dead time)을 정밀하게 제어하며, 과전압이나 과전류로부터 소자를 보호하는 기술이 중요합니다. 마지막으로, 테스트 및 신뢰성 평가 기술입니다. SiC MOSFET은 극한 조건에서 동작하는 경우가 많기 때문에, 엄격한 테스트와 신뢰성 평가를 통해 실제 적용 시 발생할 수 있는 문제점을 사전에 파악하고 해결하는 것이 중요합니다. 특히, 고온, 고전압, 고주파수에서의 장기적인 신뢰성 확보는 상용화의 핵심 과제 중 하나입니다. 결론적으로 SiC MOSFET은 소재 자체의 혁신을 통해 기존의 반도체 기술의 한계를 뛰어넘는 성능을 제공하며, 에너지 효율 향상, 시스템 소형화 및 경량화, 그리고 고온/고전압 환경에서의 안정적인 동작을 가능하게 합니다. 전기 자동차, 신재생 에너지, 데이터 센터 등 미래 핵심 산업에서 SiC MOSFET의 역할은 더욱 증대될 것이며, 지속적인 기술 개발을 통해 더욱 발전해 나갈 것으로 기대됩니다.  | 

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