| ■ 영문 제목 : SiC SBD (Schottky Barrier Diodes) Modules Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2408K17775 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 8월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장은 전원 공급 장치 및 인버터, 용접 장비, 모터 드라이브, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 600 및 650V SiC SBD 모듈, 1200V SiC SBD 모듈, 1700V SiC SBD 모듈), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 600 및 650V SiC SBD 모듈, 1200V SiC SBD 모듈, 1700V SiC SBD 모듈
■ 용도별 시장 세그먼트
– 전원 공급 장치 및 인버터, 용접 장비, 모터 드라이브, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Vishay Intertechnology、Rohm、Microchip (Microsemi)、SanRex、Littelfuse, Inc (IXYS)、AS ENERGI、Kyocera (AVX)、SemiQ、Fuji Electric、Semi-Powerex Corp、SANSHA ELECTRIC MFG、Magnachip
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장 규모
3 장 : SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Vishay Intertechnology、Rohm、Microchip (Microsemi)、SanRex、Littelfuse, Inc (IXYS)、AS ENERGI、Kyocera (AVX)、SemiQ、Fuji Electric、Semi-Powerex Corp、SANSHA ELECTRIC MFG、Magnachip Vishay Intertechnology Rohm Microchip (Microsemi) 8. 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량: 2019-2030 - SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 가격 - 글로벌 용도별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 가격 - 지역별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 캐나다 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 멕시코 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 유럽 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 프랑스 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 영국 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 이탈리아 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 러시아 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 아시아 지역별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 일본 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 한국 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 동남아시아 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 인도 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 남미 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 아르헨티나 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 이스라엘 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 아랍에미리트 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장규모 - 글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 생산 능력 - 지역별 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드 쇼트키 배리어 다이오드 모듈은 차세대 전력 반도체 소자인 실리콘 카바이드(SiC)를 기반으로 하는 쇼트키 배리어 다이오드(SBD)를 여러 개 집적하여 하나의 모듈 형태로 만든 것을 의미합니다. 단순히 개별 소자를 의미하는 것이 아니라, 여러 개의 SiC SBD가 효율적으로 동작하도록 설계되고 패키징된 복합적인 전력 소자입니다. SiC SBD 모듈은 기존의 실리콘(Si) 기반 다이오드나 쇼트키 다이오드와 비교하여 훨씬 뛰어난 성능을 제공합니다. 가장 큰 특징 중 하나는 높은 항복 전압과 낮은 순방향 전압 강하입니다. SiC는 실리콘보다 약 10배 더 높은 전기장 강도를 가지므로, 동일한 전압을 견디기 위해 더 얇은 피폭층(drift layer)으로 제작될 수 있습니다. 이는 순방향 전압 강하를 줄여 전력 손실을 최소화하는 데 크게 기여합니다. 또한, SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압을 견딜 수 있어 고전압 애플리케이션에 매우 적합합니다. SiC SBD 모듈의 또 다른 중요한 특징은 매우 빠른 스위칭 속도입니다. 쇼트키 다이오드는 본질적으로 바이어스 리버스 복구 전류(reverse recovery current)가 거의 발생하지 않는다는 장점을 가지고 있습니다. 이는 스위칭 시 발생하는 전력 손실을 크게 줄여주고, 고주파 동작을 가능하게 합니다. SiC SBD는 이러한 쇼트키 특성을 유지하면서도 실리콘 쇼트키 다이오드보다 더 높은 항복 전압과 전류 밀도를 제공하므로, 결과적으로 더욱 효율적인 전력 변환이 가능해집니다. SiC SBD 모듈은 이러한 우수한 전기적 특성 외에도 높은 열 전도성을 가집니다. SiC의 열 전도성은 실리콘보다 약 3배 정도 높아, 동일한 전류를 흘릴 때 발생하는 열을 더 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 모듈의 온도 상승을 억제하여 신뢰성을 향상시키고, 더 작은 방열판으로도 설계가 가능하게 하여 시스템의 소형화 및 경량화에 기여합니다. 또한, 높은 작동 온도에서도 안정적인 성능을 유지할 수 있어 극한 환경에서의 사용에도 유리합니다. SiC SBD 모듈의 종류는 다양한 구성으로 나눌 수 있습니다. 가장 기본적인 형태는 단일 SiC SBD를 두 개 이상 연결한 형태입니다. 예를 들어, 두 개의 SiC SBD를 병렬로 연결하여 전류 용량을 확장하거나, 시리즈로 연결하여 더 높은 전압을 견딜 수 있도록 구성할 수 있습니다. 또한, SiC SBD와 SiC MOSFET이나 IGBT와 같은 다른 스위칭 소자를 함께 통합한 하이브리드 모듈도 존재합니다. 이러한 하이브리드 모듈은 각 소자의 장점을 결합하여 전력 변환 효율을 극대화하고 복잡한 회로 설계를 단순화하는 데 기여합니다. 모듈의 내부 연결 방식이나 패키징 형태 또한 다양한 기준으로 분류될 수 있으며, 이는 특정 애플리케이션의 요구 사항에 맞춰 최적화됩니다. SiC SBD 모듈은 그 뛰어난 성능을 바탕으로 매우 광범위한 용도로 활용되고 있습니다. 가장 대표적인 분야는 전기 자동차(EV)의 전력 변환 시스템입니다. EV의 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 인버터 등에 SiC SBD 모듈이 적용되어 에너지 효율을 높이고 주행 거리를 늘리는 데 기여하고 있습니다. 기존 실리콘 기반 부품 대비 스위칭 손실이 현저히 줄어들기 때문에 차량의 연비 향상과 발열 감소에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, 태양광 발전 시스템의 인버터에도 SiC SBD 모듈이 활발히 적용되고 있습니다. 태양광 인버터는 태양광 패널에서 생산된 직류(DC) 전력을 교류(AC) 전력으로 변환하는 역할을 하는데, 이 과정에서 높은 효율은 시스템 전체의 발전량에 큰 영향을 미칩니다. SiC SBD 모듈은 높은 효율과 신뢰성을 바탕으로 태양광 발전 시스템의 성능을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 데이터 센터의 서버 전원 공급 장치(PSU) 역시 SiC SBD 모듈의 주요 적용처 중 하나입니다. 데이터 센터는 막대한 양의 에너지를 소비하는데, 전력 변환 효율의 작은 개선만으로도 상당한 에너지 절감 효과를 얻을 수 있습니다. SiC SBD 모듈은 이러한 고밀도 고효율 전원 공급 장치 설계에 필수적인 부품으로 자리 잡고 있습니다. 이 외에도 산업용 전원 공급 장치, 산업용 모터 드라이브, 통신 장비, 에너지 저장 시스템(ESS), 고출력 충전 인프라 등 다양한 분야에서 SiC SBD 모듈의 적용이 확대되고 있습니다. 이는 SiC 기술이 가진 에너지 효율 향상, 소형화, 경량화, 고온 동작 능력 등의 장점이 현대 전력 전자 시스템이 요구하는 성능을 충족시키기 때문입니다. SiC SBD 모듈과 관련된 주요 기술로는 재료 기술, 소자 설계 기술, 공정 기술, 패키징 기술, 그리고 이를 활용하는 시스템 설계 기술 등이 있습니다. SiC 웨이퍼의 품질을 높이고 결함을 줄이는 기술은 소자의 성능과 신뢰성에 직접적인 영향을 미칩니다. 또한, SiC의 고유한 특성을 최대한 활용할 수 있도록 쇼트키 접합을 설계하고, 고전압 및 고전류를 처리할 수 있는 소자 구조를 개발하는 것이 중요합니다. 이온 주입, 에피 성장 등 SiC 소자를 제작하는 데 사용되는 첨단 공정 기술 또한 SiC SBD 모듈의 성능을 결정짓는 요소입니다. 특히, SiC SBD 모듈은 개별 소자의 성능만큼이나 패키징 기술이 중요합니다. 고전류 및 고전압 환경에서 안정적으로 동작하기 위해서는 우수한 열 방출 능력과 전기적 연결성을 확보해야 합니다. 실버 소결, 직접 접합 기술(DBC), 절연 게이트 양극 트랜지스터(IGBT)와 같은 기존 기술들을 활용하여 고밀도 고성능의 SiC SBD 모듈을 구현합니다. 최근에는 더욱 향상된 열 방출과 신뢰성을 위해 새로운 패키징 기술들이 연구 개발되고 있습니다. 또한, SiC SBD 모듈을 효과적으로 활용하기 위해서는 전력 변환 시스템 자체의 설계 또한 중요합니다. SiC의 고속 스위칭 특성을 최대한 활용하기 위한 최적의 제어 알고리즘 개발, 공진형 컨버터 설계, 그리고 방열 설계 등이 요구됩니다. 이러한 시스템 레벨에서의 최적화는 SiC SBD 모듈의 잠재력을 최대한 발휘하는 데 필수적입니다. 결론적으로, SiC SBD 모듈은 실리콘 카바이드라는 우수한 소재의 장점을 집약한 혁신적인 전력 반도체 모듈로서, 기존 실리콘 기반 소자의 한계를 극복하고 에너지 효율, 소형화, 신뢰성 등 다양한 측면에서 뛰어난 성능을 제공합니다. 전기 자동차, 신재생 에너지, 정보 기술 등 미래 사회의 핵심 산업 분야에서 그 중요성이 더욱 커지고 있으며, 관련 기술의 지속적인 발전과 함께 그 적용 범위는 더욱 확대될 것으로 예상됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC SBD (쇼트키 배리어 다이오드) 모듈 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2408K17775) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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