| ■ 영문 제목 : Third Generation Semiconductor GaN Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F52440 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 부품/재료 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 3세대 반도체 GaN 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 3세대 반도체 GaN 시장을 대상으로 합니다. 또한 3세대 반도체 GaN의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 3세대 반도체 GaN 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 3세대 반도체 GaN 시장은 LED, 레이저, 무선 주파수를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 3세대 반도체 GaN 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 3세대 반도체 GaN 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
3세대 반도체 GaN 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 3세대 반도체 GaN 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 3세대 반도체 GaN 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 통합 갈륨 질화물 반도체, 이산 갈륨 질화물 반도체), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 3세대 반도체 GaN 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 3세대 반도체 GaN 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 3세대 반도체 GaN 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 3세대 반도체 GaN 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 3세대 반도체 GaN 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 3세대 반도체 GaN 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 3세대 반도체 GaN에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 3세대 반도체 GaN 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
3세대 반도체 GaN 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 통합 갈륨 질화물 반도체, 이산 갈륨 질화물 반도체
■ 용도별 시장 세그먼트
– LED, 레이저, 무선 주파수
■ 지역별 및 국가별 글로벌 3세대 반도체 GaN 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Wolfspeed, Infineon Technologies, IQE, Sumitomo Chemical, Soitec, SweGaN, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Kyma Technologies, Inc., Mitsubishi Chemical Corporation, Powdec K.K., DOWA Electronics Materials Co., Ltd., Suzhou Nanowin Science and Technology, Dynax Semiconductor, Sanan Optoelectronics, Latticepower Corporation
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 3세대 반도체 GaN의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 3세대 반도체 GaN 시장 규모
3 장 : 3세대 반도체 GaN 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 3세대 반도체 GaN 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 3세대 반도체 GaN 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 3세대 반도체 GaN 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Wolfspeed, Infineon Technologies, IQE, Sumitomo Chemical, Soitec, SweGaN, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Kyma Technologies, Inc., Mitsubishi Chemical Corporation, Powdec K.K., DOWA Electronics Materials Co., Ltd., Suzhou Nanowin Science and Technology, Dynax Semiconductor, Sanan Optoelectronics, Latticepower Corporation Wolfspeed Infineon Technologies IQE 8. 글로벌 3세대 반도체 GaN 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 3세대 반도체 GaN 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 3세대 반도체 GaN 세그먼트, 2023년 - 용도별 3세대 반도체 GaN 세그먼트, 2023년 - 글로벌 3세대 반도체 GaN 시장 개요, 2023년 - 글로벌 3세대 반도체 GaN 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 3세대 반도체 GaN 매출, 2019-2030 - 글로벌 3세대 반도체 GaN 판매량: 2019-2030 - 3세대 반도체 GaN 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 3세대 반도체 GaN 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 3세대 반도체 GaN 가격 - 글로벌 용도별 3세대 반도체 GaN 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 3세대 반도체 GaN 가격 - 지역별 3세대 반도체 GaN 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 지역별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 지역별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 미국 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 캐나다 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 멕시코 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 유럽 국가별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 독일 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 프랑스 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 영국 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 이탈리아 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 러시아 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 아시아 지역별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 중국 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 일본 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 한국 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 동남아시아 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 인도 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 남미 국가별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 브라질 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 아르헨티나 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 3세대 반도체 GaN 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 3세대 반도체 GaN 판매량 시장 점유율 - 터키 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 이스라엘 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 사우디 아라비아 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 아랍에미리트 3세대 반도체 GaN 시장규모 - 글로벌 3세대 반도체 GaN 생산 능력 - 지역별 3세대 반도체 GaN 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 3세대 반도체 GaN 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 제3세대 반도체 질화갈륨(GaN)에 대한 이해 차세대 반도체 소재로 각광받고 있는 질화갈륨(GaN)은 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체 한계를 뛰어넘는 혁신적인 성능을 제공하며 우리 생활 곳곳에 빠르게 스며들고 있습니다. GaN은 주기율표상 13족 원소인 갈륨(Ga)과 15족 원소인 질소(N)가 화합하여 만들어진 화합물 반도체로, 그 독특한 결정 구조와 물리적 특성 덕분에 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 이러한 GaN의 중요성을 이해하기 위해, 먼저 그 정의와 특징, 그리고 다양한 응용 분야와 관련 기술들을 살펴보겠습니다. GaN의 가장 큰 특징 중 하나는 넓은 띠간격(wide bandgap)을 가지고 있다는 점입니다. 일반적으로 반도체의 띠간격은 전자가 자유롭게 이동할 수 있는 에너지 범위와 고정되어 있는 에너지 범위를 구분하는 에너지 차이를 의미합니다. GaN의 띠간격은 약 3.4 eV로, 실리콘(Si)의 약 1.1 eV에 비해 두 배 이상 넓습니다. 이 넓은 띠간격은 GaN이 더 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 견딜 수 있게 하여, 고전압 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 합니다. 이는 전력 변환 장치와 같이 높은 전압을 다루는 분야에서 GaN의 활용도를 극대화하는 결정적인 요인이 됩니다. 또한 GaN은 높은 전자 이동도(high electron mobility)를 자랑합니다. 이는 GaN 내에서 전자가 더 빠르고 효율적으로 이동할 수 있다는 것을 의미하며, 결과적으로 더 높은 스위칭 속도(switching speed)와 더 낮은 온 저항(on-resistance)을 구현할 수 있습니다. 빠른 스위칭 속도는 전력 변환 시 발생하는 에너지 손실을 줄여 전력 효율을 크게 향상시키며, 이는 스마트폰 충전기, 전기차 충전 시스템, 태양광 인버터 등 에너지 효율이 중요한 모든 분야에서 매우 유리한 장점으로 작용합니다. 낮은 온 저항은 전류가 흐를 때 발생하는 열 발생을 최소화하여 제품의 신뢰성과 수명을 높이는 데 기여합니다. GaN은 또한 높은 열전도율(high thermal conductivity)을 가지고 있어 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 전력 반도체 소자는 작동 시 많은 열을 발생시키는데, GaN의 우수한 열 방출 능력은 별도의 복잡하고 부피가 큰 방열 시스템의 필요성을 줄여주어 소형화 및 경량화에 유리합니다. 이는 모바일 기기나 웨어러블 장치와 같이 공간 제약이 심한 제품에서 특히 중요한 장점입니다. 이러한 뛰어난 특성들을 바탕으로 GaN은 다양한 분야에서 혁신을 이끌고 있습니다. 첫째, **전력 전자(Power Electronics)** 분야입니다. 앞서 언급했듯이 GaN은 높은 항복 전압, 높은 전자 이동도, 낮은 온 저항 덕분에 기존 실리콘 기반 전력 반도체를 대체할 강력한 후보로 떠오르고 있습니다. GaN 기반 전력 반도체는 실리콘 기반 제품 대비 약 10배 이상의 스위칭 속도와 약 50% 이상의 전력 손실 감소 효과를 보여줍니다. 이는 스마트폰 및 노트북 충전기와 같은 소비재 전원 어댑터에서 더 작고 가벼우면서도 효율적인 충전기 구현을 가능하게 했습니다. 또한, 전기 자동차의 충전 시스템, 전력망에서 에너지 손실을 줄이는 전력 변환 장치, 산업용 모터 제어 등 고효율 및 소형화가 필수적인 분야에서 GaN의 적용이 빠르게 확대되고 있습니다. 전기차의 경우, GaN 파워 반도체를 사용하면 에너지 효율이 높아져 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 기여할 수 있습니다. 둘째, **고주파 및 RF(Radio Frequency) 통신** 분야입니다. GaN은 높은 전자 이동도와 더불어 높은 항복 전압을 견딜 수 있는 능력 덕분에 고출력 및 고주파 신호를 효과적으로 처리할 수 있습니다. 이는 5G 이동 통신 기지국, 레이더 시스템, 위성 통신 장비 등에서 매우 중요한 성능 지표입니다. GaN 기반 RF 증폭기는 기존 실리콘이나 비화갈륨(GaAs) 기반 증폭기보다 훨씬 높은 출력과 효율을 제공하며, 더 넓은 대역폭을 지원하여 데이터 전송 속도를 향상시킬 수 있습니다. 또한, GaN은 높은 열 방출 능력 덕분에 고출력 작동 시 발생하는 열을 효과적으로 관리하여 장비의 안정성과 수명을 보장합니다. 셋째, **광전자(Optoelectronics)** 분야입니다. GaN은 직접 천이형(direct bandgap) 반도체로서 효율적인 빛 방출 특성을 가집니다. 특히, GaN을 기반으로 하는 질화물 계열 화합물 반도체(InGaN, AlGaN 등)는 청색, 녹색, 자색 등 가시광선 영역의 빛을 효율적으로 방출할 수 있습니다. 이러한 특성은 LED(Light Emitting Diode) 및 LD(Laser Diode) 개발에 혁신을 가져왔습니다. 우리가 일상생활에서 사용하는 스마트폰 화면, TV 백라이트, 조명 등에 사용되는 고효율 청색 LED는 GaN 기술 덕분에 구현될 수 있었으며, 이는 에너지 절약과 환경 보호에도 크게 기여하고 있습니다. 또한, 차세대 디스플레이 기술인 마이크로 LED(Micro LED) 구현에도 GaN 기술이 필수적으로 요구됩니다. GaN은 또한 자외선(UV) 영역의 빛을 방출하는 데에도 활용될 수 있어, 살균, 경화, 분석 등 다양한 산업 분야에서의 응용 가능성을 열어주고 있습니다. GaN 기반 소자를 제작하기 위해서는 고품질의 GaN 결정 성장이 필수적입니다. 일반적으로 GaN은 자체적으로 높은 결정성을 가지는 기판을 얻기 어렵기 때문에, 사파이어(Sapphire), 탄화규소(SiC), 실리콘(Si)과 같은 다른 물질 위에 박막 형태로 성장시키는 방식을 사용합니다. 이 과정에서 기판과 GaN 박막 간의 격자 불일치(lattice mismatch)와 열팽창 계수 차이로 인해 결정 결함이 발생할 수 있으며, 이는 소자 성능에 영향을 미칠 수 있습니다. 따라서 이러한 결함을 최소화하고 고품질의 GaN 박막을 성장시키는 기술이 매우 중요합니다. 금속유기화학증착법(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)은 이러한 GaN 박막 성장에 널리 사용되는 기술이며, 최근에는 수소화물 기상 에피탁시(HVPE, Hydride Vapor Phase Epitaxy)와 같은 새로운 성장 방법도 연구되고 있습니다. GaN 소자 제작 기술 역시 지속적으로 발전하고 있습니다. GaN 전력 소자의 경우, 고효율 및 고속 스위칭을 위해 고전압을 견딜 수 있는 평면 구조와 더불어 수직 구조(vertical structure)의 GaN FET(Field Effect Transistor)가 개발되고 있습니다. 수직 구조는 더 높은 항복 전압과 더 낮은 온 저항을 달성하는 데 유리합니다. 또한, GaN 기반 소자의 전력 밀도를 더욱 높이기 위해 GaN on GaN 기술, 즉 GaN 기판 위에 GaN을 성장시키는 방식도 주목받고 있습니다. 이는 결함 밀도를 획기적으로 줄여 소자 성능을 극대화할 수 있습니다. GaN 기술의 발전은 단순히 개별 소자의 성능 향상을 넘어, 관련 시스템 전체의 효율과 성능을 끌어올리는 데 기여하고 있습니다. GaN 기반 전력 전자 소자의 도입은 데이터 센터, 전기 자동차, 재생 에너지 시스템 등 에너지 소비가 많은 분야에서 에너지 효율을 높이고 탄소 배출량을 줄이는 데 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. 또한, 5G 통신망의 확산과 더불어 더욱 빠르고 안정적인 통신 환경을 구축하는 데에도 GaN RF 기술이 핵심적인 역할을 수행할 것입니다. 결론적으로, 질화갈륨(GaN)은 넓은 띠간격, 높은 전자 이동도, 우수한 열 특성과 같은 고유의 장점을 바탕으로 전력 전자, 고주파 통신, 광전자 등 다양한 첨단 기술 분야에서 기존 반도체의 한계를 극복하는 혁신적인 솔루션을 제공하고 있습니다. 고품질 GaN 결정 성장 기술과 소자 제작 기술의 지속적인 발전은 GaN의 활용 범위를 더욱 넓혀갈 것이며, 우리 사회의 에너지 효율 향상, 통신 기술 발전, 그리고 새로운 디스플레이 및 조명 기술 구현에 중요한 동력이 될 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 3세대 반도체 GaN 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F52440) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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