| ■ 영문 제목 : Wide Bandgap Materials Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F57198 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 부품/재료 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,250 ⇒환산￦4,550,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 와이드 밴드갭 재료 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 와이드 밴드갭 재료 시장을 대상으로 합니다. 또한 와이드 밴드갭 재료의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 와이드 밴드갭 재료 시장은 가전, 자동차 및 운송, 공업용, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 와이드 밴드갭 재료 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
와이드 밴드갭 재료 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 와이드 밴드갭 재료 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 와이드 밴드갭 재료 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: GaN, SiC, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 와이드 밴드갭 재료 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 와이드 밴드갭 재료 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 와이드 밴드갭 재료 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 와이드 밴드갭 재료 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 와이드 밴드갭 재료 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 와이드 밴드갭 재료 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 와이드 밴드갭 재료에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 와이드 밴드갭 재료 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
와이드 밴드갭 재료 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– GaN, SiC, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– 가전, 자동차 및 운송, 공업용, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Infineon,Rohm,Mitsubishi,STMicro,Fuji,Toshiba,Microchip Technology,United Silicon Carbide Inc.,GeneSic,Efficient Power Conversion (EPC),GaN Systems,VisIC Technologies LTD
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 와이드 밴드갭 재료의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장 규모
3 장 : 와이드 밴드갭 재료 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 와이드 밴드갭 재료 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 와이드 밴드갭 재료 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Infineon,Rohm,Mitsubishi,STMicro,Fuji,Toshiba,Microchip Technology,United Silicon Carbide Inc.,GeneSic,Efficient Power Conversion (EPC),GaN Systems,VisIC Technologies LTD Infineon Rohm Mitsubishi 8. 글로벌 와이드 밴드갭 재료 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 와이드 밴드갭 재료 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 와이드 밴드갭 재료 세그먼트, 2023년 - 용도별 와이드 밴드갭 재료 세그먼트, 2023년 - 글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장 개요, 2023년 - 글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 와이드 밴드갭 재료 매출, 2019-2030 - 글로벌 와이드 밴드갭 재료 판매량: 2019-2030 - 와이드 밴드갭 재료 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 와이드 밴드갭 재료 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 와이드 밴드갭 재료 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 와이드 밴드갭 재료 가격 - 글로벌 용도별 와이드 밴드갭 재료 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 와이드 밴드갭 재료 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 와이드 밴드갭 재료 가격 - 지역별 와이드 밴드갭 재료 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 지역별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 지역별 와이드 밴드갭 재료 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 와이드 밴드갭 재료 판매량 시장 점유율 - 미국 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 캐나다 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 멕시코 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 유럽 국가별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 와이드 밴드갭 재료 판매량 시장 점유율 - 독일 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 프랑스 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 영국 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 이탈리아 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 러시아 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 아시아 지역별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 와이드 밴드갭 재료 판매량 시장 점유율 - 중국 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 일본 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 한국 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 동남아시아 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 인도 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 남미 국가별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 와이드 밴드갭 재료 판매량 시장 점유율 - 브라질 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 아르헨티나 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 와이드 밴드갭 재료 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 와이드 밴드갭 재료 판매량 시장 점유율 - 터키 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 이스라엘 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 사우디 아라비아 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 아랍에미리트 와이드 밴드갭 재료 시장규모 - 글로벌 와이드 밴드갭 재료 생산 능력 - 지역별 와이드 밴드갭 재료 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 와이드 밴드갭 재료 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 와이드 밴드갭 재료는 그 이름에서 알 수 있듯이 넓은 에너지 밴드갭을 가지는 반도체 물질을 의미합니다. 이러한 넓은 밴드갭은 재료가 전기가 통하지 않는 절연체에 가까운 특성을 보이게 하는 동시에, 특정 조건 하에서는 전기를 효과적으로 제어할 수 있는 반도체의 성질도 함께 나타나도록 합니다. 밴드갭이란 원자핵 주변을 도는 전자가 존재하는 에너지 상태인 가전자대와, 전자가 자유롭게 움직이며 전류를 형성하는 전도대 사이의 에너지 차이를 말합니다. 일반적으로 이 에너지 차이가 클수록 외부에서 전자가 전도대로 이동하기 위해 더 많은 에너지가 필요하게 되는데, 와이드 밴드갭 재료는 바로 이 에너지 차이가 기존의 실리콘(Si)과 같은 일반적인 반도체 재료보다 훨씬 큰 특징을 가지고 있습니다. 이러한 넓은 밴드갭은 와이드 밴드갭 재료에 여러 가지 독특하고 우수한 물리적, 전기적 특성을 부여합니다. 첫째로, 매우 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)을 견딜 수 있습니다. 이는 높은 전압이 가해져도 절연 상태를 유지하다가 특정 임계값을 넘어서야 전기가 통하는 특성을 의미하는데, 와이드 밴드갭 재료는 실리콘보다 수십 배에서 수백 배 이상 높은 전압을 견딜 수 있어 고전압 전력 변환 장치 설계에 필수적입니다. 둘째로, 높은 문턱 전압(Threshold Voltage)을 가집니다. 이는 소자가 켜지기 위해 필요한 최소 전압을 의미하는데, 와이드 밴드갭 재료는 일반적으로 높은 문턱 전압을 요구하므로 오동작을 줄이고 안정적인 작동을 보장하는 데 유리합니다. 셋째로, 높은 절연 파괴 강도(Dielectric Strength)를 가집니다. 이는 단위 면적당 견딜 수 있는 최대 전기장을 나타내는데, 와이드 밴드갭 재료는 실리콘에 비해 훨씬 높은 전기장을 견딜 수 있어 더 작고 얇은 소자에서도 높은 전력을 처리할 수 있게 합니다. 넷째로, 높은 열전도율(Thermal Conductivity)을 가집니다. 반도체 소자는 작동 시 많은 열을 발생시키는데, 높은 열전도율을 가진 재료는 발생한 열을 효과적으로 외부로 방출하여 소자의 과열을 방지하고 고온 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있도록 합니다. 따라서 추가적인 냉각 시스템의 부담을 줄여 소형화 및 고효율화에 기여합니다. 다섯째로, 높은 전자 이동도(Electron Mobility)를 가지는 경우도 있습니다. 이는 전자가 재료 내에서 얼마나 빠르게 이동할 수 있는지를 나타내는 지표인데, 높은 전자 이동도는 소자의 스위칭 속도를 빠르게 하여 고주파수에서도 효율적인 작동을 가능하게 합니다. 현재 상용화되어 널리 사용되는 와이드 밴드갭 재료로는 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride), 탄화규소(SiC, Silicon Carbide) 등이 대표적입니다. 질화갈륨은 약 3.4 eV의 밴드갭 에너지를 가지며, 이는 실리콘의 1.1 eV보다 훨씬 큽니다. 질화갈륨은 높은 전자 이동도와 높은 항복 전압, 우수한 열 안정성 등의 장점을 가지고 있어 주로 고주파 고출력 전자 소자, 전력 반도체, 발광 다이오드(LED) 등에 활용됩니다. 특히, 질화갈륨 기반의 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor)는 기존 실리콘 기반 트랜지스터에 비해 훨씬 빠른 스위칭 속도와 높은 전력 처리 능력을 제공하여 이동통신 기지국, 레이더 시스템 등에서 중요한 역할을 합니다. 또한, 청색 LED 기술의 발전에 기여하여 현재 우리가 사용하는 다양한 색상의 LED 조명과 디스플레이 기술의 근간이 되었습니다. 탄화규소 역시 실리콘보다 훨씬 넓은 밴드갭(4H-SiC의 경우 약 3.2 eV)을 가지며, 매우 뛰어난 열적, 기계적 강도를 자랑합니다. 탄화규소는 높은 항복 전압과 낮은 스위칭 손실, 그리고 뛰어난 내열성을 바탕으로 고전압 전력 변환 장치, 전기 자동차의 인버터, 고속 열차의 전력 장치 등 높은 신뢰성과 효율이 요구되는 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 특히, 탄화규소 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)는 기존 실리콘 PN 접합 다이오드에 비해 역회복(Reverse Recovery) 특성이 매우 우수하여 전력 손실을 크게 줄일 수 있습니다. 또한, 탄화규소 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)은 실리콘 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)보다 높은 효율과 스위칭 속도를 제공하여 전력 전자 분야에서 기존 기술을 대체하며 빠르게 시장을 확대하고 있습니다. 이 외에도 산화갈륨(Ga2O3, Gallium Oxide), 다이아몬드(Diamond) 등 더욱 넓은 밴드갭을 가지는 차세대 와이드 밴드갭 재료들이 연구 개발되고 있습니다. 산화갈륨은 약 4.8 eV 이상의 밴드갭을 가지며, 특히 베타 산화갈륨(β-Ga2O3)은 저렴한 비용으로 단결정 기판 성장이 가능하다는 장점이 있어 미래 전력 반도체 분야에서 주목받고 있습니다. 다이아몬드는 모든 고체 물질 중에서 가장 넓은 밴드갭(약 5.5 eV)을 가지며, 극히 높은 열전도율, 높은 전자 이동도, 높은 항복 전압 등의 궁극적인 특성을 지니고 있어 극한 환경에서의 전자 소자 개발에 대한 기대가 높지만, 아직은 재료 성장 및 공정 기술의 어려움으로 인해 상용화에는 많은 기술적 난관이 있습니다. 와이드 밴드갭 재료의 응용 분야는 매우 광범위합니다. 앞서 언급한 것처럼 전력 전자 분야에서는 고효율, 고밀도 전력 변환 장치, 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템(태양광, 풍력 발전), 고속철도 등에 필수적으로 사용됩니다. 또한, 이동통신 분야에서는 5G, 6G와 같은 차세대 이동통신 시스템의 고주파 대역에서 작동하는 고성능 RF(Radio Frequency) 소자 개발에 핵심적인 역할을 합니다. 조명 분야에서는 이미 질화갈륨 기반의 LED가 일반 조명 시장을 석권했으며, 디스플레이 분야에서도 마이크로 LED 등 고화질, 고효율 디스플레이 구현에 중요한 기술로 자리 잡고 있습니다. 또한, 우주항공, 군사 분야와 같이 극한 환경에서도 안정적으로 작동해야 하는 특수 장비나, 고온, 고압 환경에서 작동하는 산업용 장치 등에서도 와이드 밴드갭 재료의 필요성이 점점 커지고 있습니다. 와이드 밴드갭 재료의 성능을 극대화하기 위한 관련 기술 또한 활발히 연구되고 있습니다. 먼저, 고품질의 와이드 밴드갭 반도체 웨이퍼(Wafer)를 생산하는 기술이 중요합니다. 질화갈륨과 탄화규소는 실리콘과는 다른 성장 방식과 기판 재료를 요구하며, 결함 밀도를 낮추고 결정성을 향상시키는 기술이 핵심입니다. 다음으로, 이러한 재료 위에 원하는 소자를 제작하는 공정 기술 역시 중요합니다. 포토리소그래피, 식각, 증착 등 반도체 제조의 기본 공정들은 와이드 밴드갭 재료의 특성에 맞춰 최적화되어야 하며, 특히 높은 작동 온도와 강한 전기장을 견딜 수 있는 전극 및 절연체 재료 선택이 중요합니다. 또한, 소자 설계 기술도 빼놓을 수 없습니다. 와이드 밴드갭 재료의 장점을 최대한 활용하면서도 단점을 보완할 수 있는 새로운 소자 구조와 회로 설계를 개발하는 것이 중요합니다. 예를 들어, 고온에서도 안정적으로 작동하는 열 관리 기술이나, 높은 스위칭 속도로 인한 전자기 간섭(EMI, Electromagnetic Interference) 문제를 해결하기 위한 기술 등이 포함됩니다. 최근에는 실리콘 기반 기술과의 상호 보완적인 활용이나, 기존 기술과의 집적을 통한 시스템 성능 향상에 대한 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 와이드 밴드갭 재료는 기존 실리콘 반도체가 가지는 물리적 한계를 극복하고 에너지 효율 증대, 소형화, 고성능화라는 현대 산업의 요구사항을 충족시키는 핵심적인 기술로서, 앞으로도 그 중요성은 더욱 커질 것으로 예상됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F57198) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 와이드 밴드갭 재료 시장예측 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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