| ■ 영문 제목 : Wide-Bandgap Power (WBG) Semiconductor Devices Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F57213 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장은 산업용 모터 드라이브, 재생 에너지, 자동차, UPS, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: SiC, GaN), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– SiC, GaN
■ 용도별 시장 세그먼트
– 산업용 모터 드라이브, 재생 에너지, 자동차, UPS, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Infineon Technologies, Cree, Transphorm, ROHM Semiconductor, Texas Instruments, STMicroelectronics, GaN Systems, Microchip Technology, United Silicon Carbide, Exagan, GeneSiC Semiconductor, Monolith Semiconductor, Qorvo
[주요 챕터의 개요]
1 장 : WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장 규모
3 장 : WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Infineon Technologies, Cree, Transphorm, ROHM Semiconductor, Texas Instruments, STMicroelectronics, GaN Systems, Microchip Technology, United Silicon Carbide, Exagan, GeneSiC Semiconductor, Monolith Semiconductor, Qorvo Infineon Technologies Cree Transphorm 8. 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량: 2019-2030 - WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 가격 - 글로벌 용도별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 가격 - 지역별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 캐나다 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 멕시코 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 유럽 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 프랑스 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 영국 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 이탈리아 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 러시아 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 아시아 지역별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 일본 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 한국 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 동남아시아 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 인도 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 남미 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 아르헨티나 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 이스라엘 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 아랍에미리트 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장규모 - 글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 생산 능력 - 지역별 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 와이드 밴드갭(WBG, Wide-Bandgap) 파워 반도체 소자는 기존 실리콘(Si) 기반 반도체 소자의 한계를 극복하고 고효율, 고성능, 고온 동작 등 까다로운 조건을 만족시킬 수 있는 차세대 파워 반도체 기술로 각광받고 있습니다. 밴드갭이란 전자가 원자가띠에서 전도띠로 이동하는 데 필요한 최소 에너지로, 물질의 전기적 특성을 결정하는 중요한 물리량입니다. WBG 반도체는 이러한 밴드갭이 실리콘보다 넓은 물질을 기반으로 제작되는 반도체 소자를 의미합니다. WBG 반도체 소자의 핵심적인 특징은 넓은 밴드갭으로 인해 발생하는 여러 가지 우수한 물리적 특성에서 비롯됩니다. 첫째, 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)입니다. 밴드갭이 넓을수록 물질 내에서 전기장이 가해졌을 때 절연 파괴가 일어나는 전압이 높아집니다. 이는 동일한 전압을 견디기 위해 필요한 소자의 두께를 줄일 수 있음을 의미하며, 결과적으로 온저항(On-resistance)을 낮추어 전력 손실을 감소시킵니다. 둘째, 높은 임계 전계 강도(Critical Electric Field Strength)입니다. 이는 소자가 더 얇은 두께로도 높은 전압을 견딜 수 있게 해주며, 콤팩트한 설계와 소형화를 가능하게 합니다. 셋째, 높은 열 전도도(Thermal Conductivity)입니다. WBG 반도체 소재들은 실리콘보다 열을 훨씬 잘 전달하는 특성을 가지고 있어, 소자 자체에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 별도의 냉각 시스템을 간소화하거나 생략할 수 있게 하여 시스템의 전체적인 효율과 신뢰성을 높이는 데 기여합니다. 넷째, 높은 전자 포화 이동도(Electron Saturation Mobility)입니다. 이는 전자의 이동 속도를 나타내는 지표로, WBG 반도체는 실리콘보다 높은 전자 이동 속도를 보여 스위칭 속도를 향상시킬 수 있습니다. 따라서 고주파 동작이 가능해져 전력 변환 장치의 크기를 줄이고 효율을 높이는 데 유리합니다. 마지막으로, 높은 내열성(High Temperature Operation)입니다. 넓은 밴드갭 물질은 고온에서도 전기적 특성이 안정적으로 유지되는 특성이 있어, 열악한 환경에서도 안정적인 작동이 가능합니다. 현재 파워 반도체 시장에서 주로 사용되는 소재는 실리콘이지만, 위에 언급된 WBG 반도체의 우수한 특성들로 인해 특히 질화갈륨(GaN, Gallium Nitride)과 탄화규소(SiC, Silicon Carbide)가 차세대 WBG 파워 반도체 소재로 주목받고 있습니다. 질화갈륨은 실리콘보다 약 3배 정도 높은 항복 전압, 약 10배 정도 높은 임계 전계 강도, 그리고 훨씬 빠른 전자 이동 속도를 가지는 장점이 있습니다. 이러한 특성을 바탕으로 질화갈륨 기반 소자는 고주파 스위칭이 필요한 애플리케이션에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 탄화규소 역시 실리콘에 비해 높은 항복 전압과 임계 전계 강도를 가지며, 특히 높은 열 전도도와 내열성이 뛰어나 고온 및 고전압 환경에서 사용되는 파워 애플리케이션에 적합합니다. 질화갈륨 기반 파워 반도체 소자로는 주로 질화갈륨/알루미늄 질화갈륨(GaN/AlGaN) 헤테로구조를 이용한 고이동도 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor)가 대표적입니다. HEMT는 GaN과 AlGaN의 서로 다른 밴드갭 차이를 이용하여 전계 효과 트랜지스터(FET, Field Effect Transistor)를 구현하는 방식으로, 소량의 전압으로도 많은 수의 전자를 흐르게 하여 매우 낮은 온저항과 빠른 스위칭 속도를 실현합니다. 이러한 GaN HEMT는 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 서버 파워 서플라이, 전기차 충전기, 레이더 시스템 등 고효율 및 고밀도 전력 변환이 요구되는 다양한 분야에서 활용되고 있습니다. 특히 기존의 실리콘 기반 MOSFET이나 IGBT 대비 스위칭 손실과 전도 손실을 크게 줄여, 전력 변환 효율을 높이고 제품의 크기를 획기적으로 줄일 수 있다는 장점이 있습니다. 탄화규소 기반 파워 반도체 소자로는 주로 탄화규소 쇼트키 다이오드(SiC Schottky Diode)와 탄화규소 MOSFET(SiC MOSFET)이 있습니다. 탄화규소 쇼트키 다이오드는 실리콘 PN 접합 다이오드 대비 복구 전하(Reverse Recovery Charge)가 거의 없어 고속 스위칭 시 발생하는 역 복구 손실이 매우 적습니다. 이는 전력 변환 효율을 높이고 방열 요구 사항을 완화하는 데 크게 기여합니다. 탄화규소 MOSFET은 높은 항복 전압과 낮은 온저항을 제공하여, 기존 실리콘 IGBT의 높은 전력 손실 문제를 해결하고 더 높은 전력 밀도를 구현할 수 있습니다. 이러한 SiC 소자들은 전기 자동차의 인버터, 고속 열차의 전력 시스템, 산업용 모터 드라이브, 태양광 발전 시스템, 전기차 충전기 등 높은 전압과 전류를 처리해야 하는 분야에서 주로 사용됩니다. 특히 전기차의 경우, SiC 파워 모듈을 사용하면 전력 변환 효율이 향상되어 주행 거리를 늘릴 수 있으며, 시스템의 무게와 부피를 줄여 연비 효율에도 긍정적인 영향을 미칩니다. 이 외에도 산화갈륨(Ga2O3, Gallium Oxide)과 같은 차세대 WBG 소재들도 연구되고 있으며, 이 소재들은 GaN이나 SiC보다 훨씬 더 넓은 밴드갭을 가지는 것으로 알려져 있어, 극고전압(Ultra-High Voltage) 애플리케이션에 적합할 것으로 기대됩니다. WBG 반도체 소자의 적용을 확대하기 위해서는 몇 가지 관련 기술의 발전이 필수적입니다. 첫째, 고품질의 WBG 웨이퍼 제조 기술입니다. GaN이나 SiC와 같은 소재는 실리콘에 비해 웨이퍼 제조 공정이 복잡하고 비용이 많이 드는 편입니다. 따라서 결함 밀도를 낮추고 결정성을 높이는 고품질 웨이퍼 생산 기술 확보가 중요합니다. 둘째, 소자 설계 및 공정 기술입니다. WBG 소재의 고유한 특성을 최대한 활용하고 고장 메커니즘을 제어하기 위한 정밀한 소자 구조 설계와 미세 공정 기술이 요구됩니다. 특히 GaN HEMT의 경우, 계면 특성 제어 및 전도 채널 형성을 위한 질화알루미늄 함량 조절, 게이트 구조 최적화 등이 중요합니다. 셋째, 패키징 기술입니다. WBG 소자는 높은 열 발생량과 빠른 스위칭 속도를 가지기 때문에, 이러한 환경에서도 안정적으로 작동할 수 있는 고성능 패키징 기술이 필수적입니다. 열 방출을 효과적으로 지원하고 고속 스위칭 시 발생하는 기생 성분(Parasitic Components)을 최소화하는 패키징 기술 개발이 진행되고 있습니다. 넷째, 시스템 통합 및 제어 기술입니다. WBG 소자를 기존 시스템에 효과적으로 적용하고 성능을 극대화하기 위해서는 새로운 제어 알고리즘 개발 및 시스템 레벨 최적화가 필요합니다. WBG 파워 반도체 기술은 전기차, 신재생 에너지, 5G 통신, 데이터센터 등 미래 핵심 산업의 발전과 직결되어 있으며, 에너지 효율 향상, 탄소 배출 저감, 전력 시스템의 성능 향상 등 다양한 사회적, 경제적 가치를 창출할 것으로 기대됩니다. 이러한 잠재력을 바탕으로 WBG 파워 반도체 시장은 지속적으로 성장할 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 WBG (와이드 밴드갭 파워) 반도체 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F57213) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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