| ■ 영문 제목 : Global Silicon-germanium Semiconductors Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1456 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 110 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 실리콘 게르마늄 반도체의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 실리콘 게르마늄 반도체 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 실리콘 게르마늄 반도체 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 실리콘 게르마늄 반도체 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (실리콘 반도체, 게르마늄 반도체, 혼합 반도체) 시장규모와 용도별 (가전, 통신 장비, 산업 장비, 자동차, 항공 우주, 기타) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 실리콘 게르마늄 반도체 시장분석 - 종류별 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 2020년-2025년 (실리콘 반도체, 게르마늄 반도체, 혼합 반도체) - 용도별 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 2020년-2025년 (가전, 통신 장비, 산업 장비, 자동차, 항공 우주, 기타) 기업별 실리콘 게르마늄 반도체 시장분석 - 기업별 실리콘 게르마늄 반도체 판매량 - 기업별 실리콘 게르마늄 반도체 매출액 - 기업별 실리콘 게르마늄 반도체 판매가격 - 주요기업의 실리콘 게르마늄 반도체 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 실리콘 게르마늄 반도체 판매량 2020년-2025년 - 지역별 실리콘 게르마늄 반도체 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 : 종류별 - 미주의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 : 용도별 - 미국 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 캐나다 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 멕시코 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 브라질 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 : 용도별 - 중국 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 일본 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 한국 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 동남아시아 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 인도 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 : 종류별 - 유럽의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 : 용도별 - 독일 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 프랑스 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 영국 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 : 용도별 - 이집트 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 남아프리카 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 - 중동GCC 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 실리콘 게르마늄 반도체의 제조원가 구조 분석 - 실리콘 게르마늄 반도체의 제조 프로세스 분석 - 실리콘 게르마늄 반도체의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 실리콘 게르마늄 반도체의 유통업체 - 실리콘 게르마늄 반도체의 주요 고객 지역별 실리콘 게르마늄 반도체 시장 예측 - 지역별 실리콘 게르마늄 반도체 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 실리콘 게르마늄 반도체의 종류별 시장예측 (실리콘 반도체, 게르마늄 반도체, 혼합 반도체) - 실리콘 게르마늄 반도체의 용도별 시장예측 (가전, 통신 장비, 산업 장비, 자동차, 항공 우주, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Cree Inc, International Quantum Epitaxy Plc, Freescale Semiconductor, LM Ericsson Telefon AB, Canatu Ltd, Iljin Display, General Electric, Taiwan Semiconductor, Qualcomm, Texas Instruments, Avago, ASML, ARM Holdings, Applied Materials, Renesas Electronics, Infineon Technologies 조사의 결과/결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Silicon-germanium Semiconductors Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Silicon-germanium Semiconductors sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Silicon-germanium Semiconductors sales for 2025 through 2031. With Silicon-germanium Semiconductors sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Silicon-germanium Semiconductors industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Silicon-germanium Semiconductors landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Silicon-germanium Semiconductors portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Silicon-germanium Semiconductors market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Silicon-germanium Semiconductors and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Silicon-germanium Semiconductors.
The global Silicon-germanium Semiconductors market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Silicon-germanium Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Silicon-germanium Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Silicon-germanium Semiconductors is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Silicon-germanium Semiconductors players cover Cree Inc, International Quantum Epitaxy Plc, Freescale Semiconductor, LM Ericsson Telefon AB, Canatu Ltd, Iljin Display, General Electric, Taiwan Semiconductor and Qualcomm, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Silicon-germanium Semiconductors market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Silicon Semiconductor
Germanium Semiconductor
Mixed Semiconductor
Segmentation by application
Consumer Electronics
Telecommunication Device
Industrial Equipment
Automotive
Aerospace
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Cree Inc
International Quantum Epitaxy Plc
Freescale Semiconductor
LM Ericsson Telefon AB
Canatu Ltd
Iljin Display
General Electric
Taiwan Semiconductor
Qualcomm
Texas Instruments
Avago
ASML
ARM Holdings
Applied Materials
Renesas Electronics
Infineon Technologies
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Silicon-germanium Semiconductors market?
What factors are driving Silicon-germanium Semiconductors market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Silicon-germanium Semiconductors market opportunities vary by end market size?
How does Silicon-germanium Semiconductors break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 실리콘-게르마늄(SiGe) 반도체는 실리콘(Si)과 게르마늄(Ge)을 합금하여 만든 화합물 반도체입니다. 두 원소 모두 주기율표상 14족에 속하며 비슷한 결정 구조를 가지고 있어 서로 쉽게 혼합될 수 있습니다. 이러한 혼합을 통해 순수한 실리콘이나 게르마늄만으로는 얻을 수 없는 독특하고 향상된 전기적, 광학적 특성을 갖게 됩니다. SiGe 반도체는 주로 실리콘 기반 공정과의 호환성을 유지하면서도 실리콘의 한계를 극복하기 위한 목적으로 개발 및 활용되고 있습니다. SiGe 반도체의 가장 두드러진 특징은 밴드갭 조절 가능성입니다. 실리콘의 밴드갭은 약 1.12 eV인데 반해, 게르마늄은 약 0.67 eV입니다. SiGe 합금에서 게르마늄의 함량을 조절함으로써 밴드갭의 크기를 연속적으로 변화시킬 수 있습니다. 이는 특정 파장의 빛을 흡수하거나 방출하는 능력을 제어할 수 있게 해주므로 광전자 소자 개발에 매우 유리합니다. 또한, 실리콘과 비교했을 때 SiGe는 더 높은 전자의 이동도와 정공의 이동도를 가집니다. 특히, 게르마늄 함량이 높아질수록 전하 운반체의 이동도가 증가하는 경향을 보입니다. 이는 고속 트랜지스터 및 고주파 회로 설계에 있어 중요한 이점으로 작용합니다. SiGe 반도체는 그 조성 비율에 따라 다양한 특성을 나타내며, 이러한 특성 차이를 기반으로 여러 종류의 소자가 구현될 수 있습니다. 가장 대표적인 예로는 바이폴라 트랜지스터(BJT)와 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)에 SiGe를 적용한 경우를 들 수 있습니다. SiGe HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)는 실리콘 베이스에 SiGe를 적용하여 계면에서의 에너지 장벽을 조절함으로써 전자 이동을 용이하게 합니다. 이로 인해 기존 실리콘 HBT보다 훨씬 빠른 속도로 동작할 수 있으며, 고주파 통신 시스템에 널리 사용됩니다. 또한, SiGe BiCMOS(Bipolar-CMOS) 공정은 SiGe HBT와 실리콘 CMOS 기술을 하나의 칩에 집적할 수 있게 하여 고성능과 저전력 소모를 동시에 달성하는 데 기여합니다. SiGe는 또한 광전자 분야에서도 중요한 역할을 합니다. 앞서 언급한 밴드갭 조절 능력 덕분에 SiGe는 실리콘보다 낮은 에너지의 적외선 영역의 빛을 감지하는 광검출기(photodetector)로 사용될 수 있습니다. 특히, 게르마늄 실리콘(SiGe) 합금은 특정 파장의 빛을 효율적으로 흡수하여 전기 신호로 변환할 수 있으므로 광통신 시스템의 수신단에 필수적인 부품으로 자리 잡고 있습니다. 실리콘 포토닉스 기술과의 결합을 통해 집적도가 높은 광학 시스템 구축에도 기여하고 있습니다. SiGe 반도체 기술의 핵심은 고품질의 SiGe 합금 박막을 실리콘 웨이퍼 상에 성장시키는 것입니다. 이는 주로 화학 기상 증착(CVD, Chemical Vapor Deposition)이나 원자층 증착(ALD, Atomic Layer Deposition)과 같은 증착 기술을 통해 이루어집니다. 특히, SiGe 합금 박막을 성장시킬 때 격자 불일치(lattice mismatch)로 인해 발생하는 응력(strain)을 관리하는 것이 매우 중요합니다. 이 응력은 전하 운반체의 이동도를 향상시키는 효과를 가져오기도 하지만, 과도할 경우 결정 결함을 유발하여 소자 성능을 저하시킬 수 있습니다. 따라서 응력 제어 기술은 SiGe 반도체 소자의 성능과 신뢰성을 결정짓는 중요한 요소입니다. 이러한 응력을 제어하기 위한 다양한 기법들이 연구되고 있으며, 이는 SiGe 기반 소자의 고성능화를 위한 핵심 기술입니다. SiGe 반도체는 모바일 통신, 레이더 시스템, 위성 통신, 고속 데이터 전송 등 다양한 분야에서 요구되는 고성능, 저전력, 소형화 요구를 충족시키는 데 중요한 역할을 하고 있습니다. 특히 5G 및 미래 통신 기술의 발전에 따라 SiGe 반도체의 중요성은 더욱 커지고 있으며, 이를 기반으로 하는 새로운 소자 및 시스템 개발 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 이러한 기술적 발전은 더 빠르고 효율적인 전자 기기의 개발을 가능하게 할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 실리콘 게르마늄 반도체 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1456) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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