| ■ 영문 제목 : Global GaAs Devices Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D21906 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaAs 장치 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaAs 장치은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaAs 장치 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaAs 장치은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaAs 장치의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaAs 장치 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaAs 장치 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaAs 장치 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : LEC 성장 GaAs 장치, VGF 성장 GaAs 장치) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaAs 장치 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaAs 장치 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaAs 장치 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaAs 장치 기술의 발전, GaAs 장치 신규 진입자, GaAs 장치 신규 투자, 그리고 GaAs 장치의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaAs 장치 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaAs 장치 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaAs 장치 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaAs 장치 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaAs 장치 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaAs 장치 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaAs 장치 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaAs 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
LEC 성장 GaAs 장치, VGF 성장 GaAs 장치
*** 용도별 세분화 ***
모바일 장치, 무선 통신, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Avago Technologies, RF Micro Devices, Skyworks Solutions, Qorvo, Advanced Wireless Semiconductor, Anadigics, Hittite Microwave, M/A-COM Technology Solutions, Murata Manufacturing, TriQuint Semiconductor, Renesas Electronics
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaAs 장치 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaAs 장치 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaAs 장치 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaAs 장치은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaAs 장치 시장분석 ■ 지역별 GaAs 장치에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaAs 장치 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Avago Technologies, RF Micro Devices, Skyworks Solutions, Qorvo, Advanced Wireless Semiconductor, Anadigics, Hittite Microwave, M/A-COM Technology Solutions, Murata Manufacturing, TriQuint Semiconductor, Renesas Electronics – Avago Technologies – RF Micro Devices – Skyworks Solutions ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaAs 장치 이미지 GaAs 장치 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaAs 장치 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaAs 장치 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 기업별 GaAs 장치 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaAs 장치 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaAs 장치 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaAs 장치 매출 시장 점유율 2023 미주 GaAs 장치 판매량 (2019-2024) 미주 GaAs 장치 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaAs 장치 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaAs 장치 매출 (2019-2024) 유럽 GaAs 장치 판매량 (2019-2024) 유럽 GaAs 장치 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaAs 장치 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaAs 장치 매출 (2019-2024) 미국 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 중국 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 일본 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 한국 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 인도 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 호주 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 독일 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 영국 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) 터키 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaAs 장치 시장규모 (2019-2024) GaAs 장치의 제조 원가 구조 분석 GaAs 장치의 제조 공정 분석 GaAs 장치의 산업 체인 구조 GaAs 장치의 유통 채널 글로벌 지역별 GaAs 장치 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaAs 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaAs 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 갈륨비소(GaAs) 장치는 현대 전자 및 통신 산업에서 매우 중요한 역할을 담당하는 반도체 소자입니다. 이러한 장치들은 실리콘(Si) 기반 소자로는 구현하기 어려운 고속 동작, 높은 전력 효율, 그리고 우수한 방사능 저항성 등의 뛰어난 성능을 제공하기 때문에 특정 응용 분야에서는 필수적인 소재로 자리매김하고 있습니다. 갈륨비소의 독특한 결정 구조와 전자적 특성은 이를 차세대 전자 소자 개발에 있어 매우 매력적인 재료로 만들고 있습니다. 갈륨비소는 주기율표상의 3족 원소인 갈륨(Ga)과 15족 원소인 비소(As)가 결합하여 만들어진 화합물 반도체입니다. 이러한 III-V족 화합물 반도체는 실리콘과 같은 원소 반도체와는 근본적으로 다른 특성을 지니고 있습니다. 갈륨비소의 가장 두드러진 특징 중 하나는 실리콘보다 훨씬 높은 전자 이동도(electron mobility)를 가진다는 점입니다. 전자 이동도는 전자가 물질 내에서 얼마나 빠르고 자유롭게 움직일 수 있는지를 나타내는 지표인데, 이는 곧 소자의 동작 속도와 직결됩니다. 높은 전자 이동도는 갈륨비소가 고주파 대역에서 뛰어난 성능을 발휘할 수 있는 핵심적인 이유입니다. 또한, 갈륨비소는 직접 천이형(direct bandgap) 반도체라는 중요한 특성을 가지고 있습니다. 이는 전자와 정공이 재결합할 때 에너지를 빛의 형태로 직접 방출할 수 있다는 의미입니다. 실리콘은 간접 천이형(indirect bandgap) 반도체이기 때문에 전자와 정공의 재결합 시 빛이 효율적으로 방출되지 않습니다. 이러한 직접 천이형 특성은 갈륨비소가 발광 다이오드(LED)나 레이저 다이오드(LD)와 같은 광전자 소자(optoelectronic devices)에 매우 적합하게 만드는 요인입니다. 또한, 갈륨비소는 실리콘보다 넓은 밴드갭(bandgap)을 가지고 있어 고온에서도 안정적으로 동작할 수 있으며, 높은 전력 밀도를 견딜 수 있는 장점도 있습니다. 이러한 특성 덕분에 갈륨비소 장치는 까다로운 환경에서도 뛰어난 성능을 유지해야 하는 우주항공 및 군사 분야에서도 폭넓게 활용됩니다. 갈륨비소 장치의 종류는 매우 다양하며, 그 응용 분야에 따라 특화된 구조와 기능을 갖습니다. 대표적인 갈륨비소 장치로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, 고전자 이동도 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor, HEMT)는 갈륨비소 기반 소자 중 가장 널리 사용되는 종류 중 하나입니다. HEMT는 갈륨비소와 알루미늄갈륨비소(AlGaAs)와 같은 다른 III-V족 화합물을 접합하여 형성되는 이종 접합(heterojunction) 구조를 특징으로 합니다. 이 접합부에는 2차원 전자 기체(2-Dimensional Electron Gas, 2DEG)라고 불리는 고이동도 전자 채널이 형성되어, 기존의 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET)보다 훨씬 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. HEMT는 주로 마이크로파(microwave) 및 밀리미터파(millimeter wave) 통신 시스템, 레이더 시스템, 그리고 고주파 증폭기 등에서 사용됩니다. 특히, 휴대폰 기지국이나 위성 통신 장치에서 요구되는 높은 주파수 대역의 신호를 효율적으로 처리하는 데 필수적인 역할을 합니다. 둘째, 표면 계면 전하량 제어 트랜지스터(High Electron Mobility Transistor, MESFET) 또한 갈륨비소 기반의 중요한 소자입니다. MESFET는 갈륨비소 기판 위에 금속 게이트를 직접 형성하여 채널의 전도도를 제어하는 구조를 가집니다. HEMT보다는 동작 속도가 느릴 수 있지만, 공정의 간편성과 비용 효율성 면에서 장점을 가지기도 합니다. MESFET 역시 고주파 증폭기, 스위치 등으로 활용되며, 특히 초기 고주파 통신 시스템이나 특정 군사용 장비에 많이 적용되었습니다. 셋째, 포화된 전자 이동도 트랜지스터(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor, P-HEMT)는 HEMT의 성능을 더욱 향상시킨 소자입니다. P-HEMT는 HEMT에서 사용하는 AlGaAs 대신 인화인듐갈륨(InGaAs)과 같은 더 넓은 밴드갭을 가진 물질을 채널층으로 사용하여 전자 이동도를 더욱 높입니다. 이를 통해 더 높은 동작 주파수와 더 낮은 잡음 성능을 달성할 수 있습니다. P-HEMT는 최첨단 레이더 시스템, 고성능 위성 통신, 그리고 무선 통신 장비 등에서 핵심 부품으로 사용됩니다. 넷째, 광전자 소자로서의 갈륨비소는 그 응용 범위가 매우 넓습니다. 앞서 언급한 바와 같이 갈륨비소는 직접 천이형 반도체이기 때문에 빛을 효율적으로 생성하고 검출하는 데 매우 유리합니다. 갈륨비소 및 그 화합물 반도체를 기반으로 하는 발광 다이오드(LED)와 레이저 다이오드(LD)는 통신망의 광섬유 데이터 전송, CD/DVD 플레이어, 레이저 프린터 등 다양한 분야에서 사용됩니다. 특히, 고속 광 통신을 위한 광 송수신 모듈에는 갈륨비소 기반의 레이저 다이오드가 필수적으로 사용됩니다. 또한, 갈륨비소는 광검출기(photodetector)로도 활용되어 빛 신호를 전기 신호로 변환하는 데 사용됩니다. 갈륨비소 장치의 용도는 매우 광범위하며, 주로 다음과 같은 첨단 산업 분야에서 중요한 역할을 수행합니다. 첫째, 이동 통신 분야입니다. 휴대폰, 스마트폰의 기지국 및 사용자 장비에 사용되는 고주파 증폭기, 저잡음 증폭기(Low Noise Amplifier, LNA) 등은 갈륨비소 기반 HEMT나 P-HEMT로 제작되는 경우가 많습니다. 이는 높은 주파수 대역에서의 신호 처리 능력과 낮은 잡음 성능이 필수적이기 때문입니다. 또한, 5G 및 향후 차세대 통신 기술의 발전은 갈륨비소 장치의 중요성을 더욱 부각시키고 있습니다. 둘째, 위성 통신 및 레이더 시스템입니다. 우주 공간에서의 극한 환경을 견디면서도 높은 주파수 대역의 신호를 안정적으로 처리해야 하는 위성 통신 장비나 레이더 시스템에는 갈륨비소 기반의 고출력 증폭기, 스위치 등이 필수적으로 사용됩니다. 갈륨비소의 높은 전자 이동도와 전력 처리 능력은 이러한 시스템의 성능을 결정짓는 핵심 요소입니다. 셋째, 광전자 분야입니다. 고속 데이터 통신을 위한 광섬유 네트워크의 핵심 부품인 레이저 다이오드와 광검출기는 갈륨비소 및 관련 화합물 반도체를 기반으로 제작됩니다. 특히, 대용량 데이터를 초고속으로 전송하는 데 있어 갈륨비소의 뛰어난 광학적 특성이 매우 중요합니다. 넷째, 기타 첨단 응용 분야입니다. 갈륨비소는 또한 고속 반도체 스위치, 센서, 그리고 전력 전자 소자 등 다양한 분야에서도 활용됩니다. 우주 항공 분야에서는 우수한 방사능 저항성 덕분에 우주선이나 인공위성에 사용되는 전자 부품에도 적용됩니다. 갈륨비소 장치와 관련된 주요 기술은 다음과 같습니다. 첫째, 성장 기술입니다. 고품질의 갈륨비소 웨이퍼를 성장시키는 기술은 갈륨비소 장치의 성능을 좌우하는 가장 기본적인 요소입니다. 주로 분자선 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 또는 금속-유기 화학 기상 증착(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)과 같은 성장 기술을 사용하여 정밀하게 제어된 박막을 증착합니다. 이러한 기술은 갈륨비소와 다른 III-V족 화합물을 조합하여 원하는 전기적, 광학적 특성을 구현하는 데 핵심적입니다. 둘째, 공정 기술입니다. 고성능 갈륨비소 장치를 제작하기 위해서는 매우 정밀하고 복잡한 공정 기술이 요구됩니다. 특히, 미세한 패턴을 형성하는 포토리소그래피, 고도의 식각 기술, 그리고 금속 접합 기술 등은 소자의 성능과 집적도를 결정하는 중요한 요소입니다. HEMT나 P-HEMT와 같은 복잡한 구조의 장치를 제작하기 위해서는 게이트 길이 단축, 계면 특성 제어 등 고도의 공정 기술이 필요합니다. 셋째, 소재 통합 기술입니다. 갈륨비소는 실리콘과 직접적으로 집적하기 어렵다는 한계가 있습니다. 따라서 갈륨비소 장치를 실리콘 기반 회로와 함께 사용하는 경우, 실리콘 웨이퍼 위에 갈륨비소 박막을 성장시키는 웨이퍼 접합(wafer bonding) 기술이나 에피택셜 전사(epitaxial transfer) 기술 등이 활용됩니다. 이러한 통합 기술은 갈륨비소의 고성능과 실리콘의 집적 회로 기술을 결합하여 혁신적인 시스템을 구현하는 데 중요한 역할을 합니다. 결론적으로, 갈륨비소 장치는 높은 전자 이동도, 직접 천이형 밴드 구조, 그리고 우수한 열적, 방사능 저항성 등의 뛰어난 특성을 바탕으로 고속 통신, 레이더, 광전자 공학 등 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 5G 및 그 이상의 차세대 통신 기술의 발전, 그리고 인공지능 및 사물 인터넷(IoT) 시대의 도래와 함께 고성능 반도체에 대한 수요는 더욱 증가할 것이며, 이에 따라 갈륨비소 장치의 중요성은 앞으로도 계속 커질 것으로 전망됩니다. 새로운 소재 및 공정 기술의 발전은 갈륨비소 장치의 성능을 더욱 향상시키고, 더욱 다양한 응용 분야를 개척하는 데 기여할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaAs 장치 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D21906) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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