| ■ 영문 제목 : Global Gallium Nitride RF Semiconductor Device Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D21973 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦4,941,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (5명 열람용) | USD5,490 ⇒환산￦7,411,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Corporate User (동일기업내 공유가능) | USD7,320 ⇒환산￦9,882,000 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 질화 갈륨 RF 반도체 소자은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 질화 갈륨 RF 반도체 소자은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 질화 갈륨 RF 반도체 소자의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 2인치, 4인치, 6인치 이상) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 기술의 발전, 질화 갈륨 RF 반도체 소자 신규 진입자, 질화 갈륨 RF 반도체 소자 신규 투자, 그리고 질화 갈륨 RF 반도체 소자의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 질화 갈륨 RF 반도체 소자 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 질화 갈륨 RF 반도체 소자 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
2인치, 4인치, 6인치 이상
*** 용도별 세분화 ***
전원 드라이버, 공급/인버터, 무선 주파수, 조명/레이저
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Cree (US), Samsung (South Korea), Infineon (Germany), Qorvo (US), MACOM (US), Microchip Technology(US), Analog Devices (US), Mitsubishi Electric (Japan), Efficient Power Conversion (US), GaN Systems (Canada), Exagan (France), VisIC Technologies (Israel), Integra Technologies (US), Transphorm (US), Navitas Semiconductor (US), Nichia (Ja
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 질화 갈륨 RF 반도체 소자은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장분석 ■ 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Cree (US), Samsung (South Korea), Infineon (Germany), Qorvo (US), MACOM (US), Microchip Technology(US), Analog Devices (US), Mitsubishi Electric (Japan), Efficient Power Conversion (US), GaN Systems (Canada), Exagan (France), VisIC Technologies (Israel), Integra Technologies (US), Transphorm (US), Navitas Semiconductor (US), Nichia (Ja – Cree (US) – Samsung (South Korea) – Infineon (Germany) ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]질화 갈륨 RF 반도체 소자 이미지 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 기업별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 2023 기업별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 2023 기업별 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 2023 미주 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 (2019-2024) 미주 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 (2019-2024) 유럽 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 (2019-2024) 미국 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 캐나다 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 멕시코 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 브라질 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 중국 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 일본 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 한국 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 인도 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 호주 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 독일 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 프랑스 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 영국 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 러시아 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 이집트 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 터키 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장규모 (2019-2024) 질화 갈륨 RF 반도체 소자의 제조 원가 구조 분석 질화 갈륨 RF 반도체 소자의 제조 공정 분석 질화 갈륨 RF 반도체 소자의 산업 체인 구조 질화 갈륨 RF 반도체 소자의 유통 채널 글로벌 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 질화 갈륨 RF 반도체 소자 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) RF 반도체 소자는 질화갈륨이라는 화합물 반도체를 기반으로 제작되는 고주파(RF: Radio Frequency) 대역에서 작동하는 전자 소자를 말합니다. 전통적으로 실리콘(Si) 기반의 반도체가 주를 이루었지만, 최근 RF 통신 기술의 발전과 함께 GaN 소자의 중요성이 크게 부각되고 있습니다. GaN은 실리콘에 비해 훨씬 뛰어난 전기적 및 열적 특성을 가지고 있어, 더 높은 주파수, 더 높은 출력, 더 높은 효율로 RF 신호를 처리할 수 있게 합니다. 이러한 장점 덕분에 차세대 무선 통신 시스템, 레이더 시스템, 위성 통신 등 고성능 RF 애플리케이션에 필수적인 기술로 자리매김하고 있습니다. GaN 소자가 주목받는 가장 근본적인 이유는 그 물질 자체의 고유한 특성 때문입니다. GaN은 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 가집니다. 이는 GaN 소자가 더 높은 전압에서도 안정적으로 작동할 수 있음을 의미하며, 이는 곧 더 높은 출력 파워를 구현하는 데 결정적인 역할을 합니다. RF 파워 증폭기(Power Amplifier)와 같이 높은 전력을 다루는 소자에서는 높은 항복 전압이 필수적입니다. 또한, GaN은 높은 전자 이동도(electron mobility)를 가지고 있습니다. 이는 전자들이 물질 내에서 빠르게 이동할 수 있다는 것을 의미하며, 결과적으로 더 높은 주파수 대역에서 효율적으로 작동할 수 있도록 합니다. 5G 및 그 이후의 통신 기술은 점점 더 높은 주파수 대역을 사용하는데, 이러한 고주파수에서 성능을 유지하는 데 GaN의 높은 전자 이동도가 중요한 역할을 합니다. GaN의 또 다른 중요한 특징은 뛰어난 열전도성입니다. RF 소자는 작동 중에 많은 열을 발생시키는데, 이 열을 효과적으로 방출하지 못하면 소자의 성능 저하 및 수명 단축으로 이어질 수 있습니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 우수한 열전도성을 가지고 있어, 발생하는 열을 효율적으로 외부로 전달함으로써 소자의 과열을 방지하고 안정적인 고출력 작동을 가능하게 합니다. 이는 컴팩트하고 고밀도화되는 RF 시스템 설계에 있어서 매우 중요한 이점입니다. 또한, GaN은 실리콘과 달리 상대적으로 좁은 밴드갭(wide bandgap)을 가지고 있습니다. 이는 GaN 소자가 더 높은 온도에서도 안정적으로 작동할 수 있음을 의미합니다. 극한 환경이나 고온 환경에서 작동해야 하는 군용 레이더나 우주항공 분야에서 GaN 소자의 활용도가 높은 이유 중 하나입니다. GaN RF 반도체 소자의 주요 종류로는 GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)와 GaN JFET(Junction Field-Effect Transistor) 등이 있습니다. 이 중 GaN HEMT가 가장 널리 사용되는 형태로, GaN과 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN) 간의 이종 접합(heterojunction)을 이용하여 채널에 높은 농도의 2차원 전자 가스(2DEG: two-dimensional electron gas)를 형성함으로써 높은 전자 이동도와 캐리어 농도를 얻습니다. 이 2DEG 채널을 통해 전류가 흐르며, 게이트 전압으로 전류를 제어하여 증폭이나 스위칭 기능을 수행합니다. GaN HEMT는 높은 주파수 성능과 높은 전력 처리 능력을 동시에 갖추고 있어 가장 각광받는 GaN 기반 RF 소자입니다. GaN JFET은 GaN 자체 또는 GaN과 다른 물질과의 접합을 이용하여 채널을 형성하는 구조로, HEMT에 비해 구조가 간단하고 전압 제어가 용이한 장점을 가질 수 있습니다. GaN RF 반도체 소자는 그 뛰어난 성능을 바탕으로 다양한 첨단 분야에서 폭넓게 활용되고 있습니다. 가장 대표적인 용도는 바로 이동통신 기지국입니다. 5G 이동통신 시스템은 이전 세대보다 훨씬 빠른 속도와 더 많은 용량을 제공하기 위해 고주파 대역을 사용하며, 이를 위해서는 높은 효율과 출력을 제공하는 RF 파워 증폭기가 필수적입니다. GaN 파워 증폭기는 이러한 요구사항을 만족시키며, 기지국의 전력 소비를 줄이고 더 넓은 커버리지를 제공하는 데 기여합니다. 또한, 자동차 산업에서는 첨단 운전자 보조 시스템(ADAS: Advanced Driver-Assistance Systems) 및 자율주행 기술의 핵심 요소인 레이더 시스템에 GaN 소자가 사용됩니다. GaN 기반 레이더는 더 높은 해상도와 더 긴 탐지 거리를 제공하여 차량의 안전성을 크게 향상시킵니다. 군사 및 방위 산업에서도 GaN RF 소자의 중요성은 매우 큽니다. 강력한 레이다 시스템, 전자전 장비, 위성 통신 등 고신뢰성과 고성능이 요구되는 분야에서 GaN 소자는 핵심 부품으로 사용됩니다. 예를 들어, 최신 전투기나 군함에 탑재되는 레이다 시스템은 광대역 주파수에서 높은 출력으로 작동해야 하는데, GaN은 이러한 혹독한 환경에서도 안정적인 성능을 보장합니다. 우주항공 분야에서도 위성 통신이나 탐사 장비에 사용되는 RF 송수신 모듈에 GaN 소자가 적용되어 극한의 온도와 방사선 환경에서도 안정적인 작동을 가능하게 합니다. 이 외에도 무선 충전 시스템, 고출력 RF 히터 등 다양한 산업 분야에서 GaN 소자의 활용이 확대되고 있습니다. GaN RF 소자의 성능을 더욱 향상시키고 응용 범위를 넓히기 위한 관련 기술 개발도 활발히 이루어지고 있습니다. GaN 자체만으로는 높은 품질의 단결정 웨이퍼를 얻기 어렵기 때문에, 보통 실리콘 카바이드(SiC)나 사파이어(Sapphire) 기판 위에 GaN을 성장시키는 에피택셜 성장(epitaxial growth) 기술이 중요합니다. 최근에는 실리콘(Si) 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술도 발전하고 있는데, 이는 비용 절감과 대면적 웨이퍼 제작에 유리하여 생산 단가를 낮추는 데 기여할 수 있습니다. 또한, GaN 소자의 집적도를 높이고 회로 설계를 최적화하는 반도체 공정 기술, 소자의 열 방출을 더욱 효과적으로 하기 위한 패키징 기술, 그리고 GaN 소자의 특성을 극대화하는 회로 설계 기술 등이 지속적으로 발전하고 있습니다. 최근에는 GaN 소자의 새로운 형태인 GaN-on-Si 기술이 주목받고 있습니다. 실리콘은 대량 생산이 가능하고 가격 경쟁력이 뛰어나지만, 실리콘 기판은 GaN과 결정 격자 및 열팽창 계수 차이가 커서 고품질의 GaN 에피층을 성장시키는 데 어려움이 있었습니다. 하지만 최근의 공정 기술 발전으로 이러한 문제를 극복하고 고품질의 GaN-on-Si 웨이퍼를 생산할 수 있게 되었습니다. 이는 GaN RF 소자의 생산 비용을 크게 낮추고 시장 확대를 가속화할 것으로 기대됩니다. 또한, GaN과 함께 질화알루미늄(AlN)이나 다른 질화물 반도체를 조합하여 새로운 구조의 소자를 개발하거나, GaN 소자의 성능을 최적화하기 위한 연구도 진행 중입니다. 결론적으로, 질화갈륨 RF 반도체 소자는 뛰어난 전기적, 열적 특성을 바탕으로 차세대 고성능 RF 통신 및 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. GaN HEMT와 같은 주요 소자들은 높은 주파수, 높은 출력, 높은 효율을 제공하며, 이동통신, 레이더, 위성 통신, 국방 등 다양한 산업 분야에서 그 가치를 인정받고 있습니다. 관련 기술의 지속적인 발전과 더불어 GaN RF 소자는 앞으로도 더욱 중요한 역할을 담당하며 기술 혁신을 이끌어갈 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D21973) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 질화 갈륨 RF 반도체 소자 시장 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
※당 사이트에 없는 보고서도 취급 가능한 경우가 많으니 문의 주세요!