| ■ 영문 제목 : Global GaN RF Device Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22041 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN RF 장치 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN RF 장치은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN RF 장치 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN RF 장치은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN RF 장치의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN RF 장치 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN RF 장치 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN RF 장치 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : GaN-on-Si, GaN-on-Sic, GaN-on-Diamond) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN RF 장치 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN RF 장치 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN RF 장치 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN RF 장치 기술의 발전, GaN RF 장치 신규 진입자, GaN RF 장치 신규 투자, 그리고 GaN RF 장치의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN RF 장치 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN RF 장치 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN RF 장치 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN RF 장치 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN RF 장치 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN RF 장치 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN RF 장치 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN RF 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
GaN-on-Si, GaN-on-Sic, GaN-on-Diamond
*** 용도별 세분화 ***
통신, 군사/방위, 가전 제품, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Cree, MACOM, Infineon Technologies, NXP Semiconductors, GAN Systems, Qorvo Inc., Wolfspeed Inc., Ampleon Netherlands B.V.
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN RF 장치 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN RF 장치 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN RF 장치 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN RF 장치은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN RF 장치 시장분석 ■ 지역별 GaN RF 장치에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN RF 장치 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Cree, MACOM, Infineon Technologies, NXP Semiconductors, GAN Systems, Qorvo Inc., Wolfspeed Inc., Ampleon Netherlands B.V. – Cree – MACOM – Infineon Technologies ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN RF 장치 이미지 GaN RF 장치 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN RF 장치 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN RF 장치 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN RF 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN RF 장치 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN RF 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN RF 장치 매출 시장 점유율 기업별 GaN RF 장치 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN RF 장치 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN RF 장치 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN RF 장치 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN RF 장치 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN RF 장치 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN RF 장치 판매량 (2019-2024) 미주 GaN RF 장치 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN RF 장치 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN RF 장치 매출 (2019-2024) 유럽 GaN RF 장치 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN RF 장치 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN RF 장치 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN RF 장치 매출 (2019-2024) 미국 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN RF 장치 시장규모 (2019-2024) GaN RF 장치의 제조 원가 구조 분석 GaN RF 장치의 제조 공정 분석 GaN RF 장치의 산업 체인 구조 GaN RF 장치의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN RF 장치 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN RF 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN RF 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN RF 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN RF 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN RF 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(Gallium Nitride, GaN) RF 장치는 고주파(Radio Frequency, RF) 신호를 증폭하거나 생성하는 데 사용되는 반도체 장치입니다. 질화갈륨은 넓은 밴드갭, 높은 전자 이동도, 우수한 열전도율 등의 고유한 특성을 지니고 있어 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체로는 구현하기 어려웠던 고성능 RF 애플리케이션에 적합합니다. 이러한 특성 덕분에 GaN RF 장치는 높은 출력 밀도, 효율성, 그리고 넓은 작동 온도 범위를 제공하며, 이는 통신, 레이더, 전자전 등 다양한 분야에서 혁신을 이끌고 있습니다. GaN RF 장치의 가장 근본적인 개념은 질화갈륨이라는 화합물 반도체를 기반으로 한다는 점입니다. 질화갈륨은 주기율표의 III족 원소인 갈륨(Ga)과 V족 원소인 질소(N)가 결합된 화합물 반도체입니다. 이 화합물은 다이아몬드와 유사한 6H 또는 4H 다이아몬드 구조를 가지며, 특히 4H-SiC 기판 위에 성장시킨 GaN은 우수한 결정성을 보여 RF 장치 제작에 널리 사용됩니다. GaN RF 장치의 핵심적인 특징은 다음과 같습니다. 첫째, **높은 항복 전압(High Breakdown Voltage)**입니다. GaN은 실리콘에 비해 약 10배 높은 항복 전압을 견딜 수 있습니다. 이는 동일한 전압에서 더 얇은 절연층을 사용하거나, 더 높은 전압을 인가하여 더 높은 출력을 얻을 수 있음을 의미합니다. 결과적으로 고출력 RF 증폭기 설계에 유리합니다. 둘째, **높은 전자 이동도(High Electron Mobility)**입니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 높은 포화 전자 속도를 가지며, 이는 고주파에서 더 빠른 스위칭 속도와 더 높은 작동 주파수를 가능하게 합니다. 셋째, **우수한 열전도율(Good Thermal Conductivity)**입니다. GaN 자체의 열전도율은 실리콘보다 낮지만, 주로 사용하는 기판인 실리콘 카바이드(SiC)의 열전도율이 매우 높아 장치에서 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고출력 동작 시 발생하는 열로 인한 성능 저하 및 신뢰성 문제를 완화하는 데 기여합니다. 넷째, **높은 효율성(High Efficiency)**입니다. GaN RF 장치는 낮은 온-저항(on-resistance)과 높은 항복 전압 덕분에 높은 출력 전력에서도 효율적인 동작이 가능합니다. 이는 전력 소비를 줄이고 발열을 감소시켜 시스템의 전반적인 성능을 향상시킵니다. 다섯째, **낮은 잡음 지수(Low Noise Figure)**입니다. 고감도 수신기가 요구되는 애플리케이션에서는 낮은 잡음 지수가 매우 중요합니다. GaN은 본질적으로 낮은 잡음 특성을 보여, 통신 시스템의 수신 감도를 높이는 데 기여합니다. GaN RF 장치의 종류는 주로 어떤 구조로 제작되는지에 따라 나뉩니다. 가장 대표적인 두 가지 종류는 **GaN MESFET (MEtal-Semiconductor Field-Effect Transistor)**과 **GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor)**입니다. MESFET은 금속 게이트와 반도체 채널 사이의 쇼트키 접합을 이용하는 구조로, 비교적 간단한 구조를 가지고 있지만 작동 주파수나 출력 성능에 한계가 있습니다. 반면에 HEMT는 서로 다른 밴드갭을 가지는 두 가지 반도체 물질(예: AlGaN과 GaN)의 계면에서 형성되는 2차원 전자 가스(2-Dimensional Electron Gas, 2DEG)를 이용하여 채널을 형성하는 구조입니다. AlGaN과 GaN의 이종 접합에서 발생하는 이종 접합 효과(heterojunction effect) 및 슈바르츠 효과(spontaneous polarization effect)로 인해 GaN 자체에는 존재하지 않는 높은 농도의 전자가 계면 근처에 형성되어 높은 전자 이동도를 확보할 수 있습니다. 이러한 HEMT 구조는 GaN RF 장치에서 가장 널리 사용되며, 특히 고주파, 고출력 애플리케이션에 적합합니다. GaN HEMT는 다시 다음과 같은 세부적인 구조로 나눌 수 있습니다. 첫째, **AlGaN/GaN HEMT**는 AlGaN과 GaN의 이종 접합을 이용한 기본적인 HEMT 구조입니다. 둘째, **GaN/AlGaN HEMT**는 GaN 위에 AlGaN을 성장시킨 구조로, 특정 애플리케이션에서 사용될 수 있습니다. 셋째, **Cascode HEMT**는 GaN HEMT와 실리콘 MOSFET 등을 직렬로 연결하여 더 높은 전압 처리 능력과 개선된 구동 특성을 얻는 구조입니다. 넷째, **MOSHEMT (MOSFET-like HEMT)**는 HEMT 구조에 게이트 절연막을 추가하여 게이트 누설 전류를 줄이고 선형성을 개선한 구조입니다. GaN RF 장치의 주요 용도는 다음과 같습니다. 첫째, **무선 통신 시스템**입니다. 스마트폰, 기지국, 위성 통신 등에서 고성능 RF 신호를 증폭하는 데 사용됩니다. GaN RF 장치는 높은 효율성과 선형성을 제공하여 데이터 전송 속도를 높이고 에너지 소비를 줄이는 데 기여합니다. 둘째, **레이더 시스템**입니다. 군용 레이더, 항공 관제 레이더, 자동차 레이더 등에서 강력하고 정밀한 RF 신호를 송수신하는 데 필수적입니다. GaN RF 장치의 고출력 및 광대역 특성은 레이더의 탐지 거리와 해상도를 향상시킵니다. 셋째, **전자전(Electronic Warfare, EW) 시스템**입니다. 전자전 시스템은 적의 통신이나 레이더를 방해하고 무력화하는 역할을 수행하는데, 이를 위해 고출력의 광대역 RF 신호를 생성하고 증폭할 수 있는 GaN RF 장치가 중요합니다. 넷째, **우주 항공**입니다. 우주 환경은 극심한 온도 변화와 방사선으로 인해 전자 부품에 대한 높은 신뢰성이 요구됩니다. GaN RF 장치는 이러한 혹독한 환경에서도 안정적인 성능을 발휘하여 위성 통신 및 센서 시스템에 사용됩니다. 다섯째, **산업용 및 의료용 고주파 장비**입니다. 유도 가열, 플라즈마 발생, 의료용 영상 장치 등 다양한 산업 및 의료 분야에서도 고출력, 고주파 기술이 활용되며, GaN RF 장치가 이러한 장비의 핵심 부품으로 사용될 수 있습니다. GaN RF 장치와 관련된 기술들은 다양합니다. **기판 기술**은 GaN RF 장치의 성능과 신뢰성에 지대한 영향을 미칩니다. 앞서 언급했듯이 SiC 기판은 우수한 열전도율과 기계적 강도를 제공하여 GaN HEMT 제작에 이상적입니다. 또한, 저렴한 가격으로 대량 생산이 가능한 실리콘(Si) 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술도 활발히 연구되고 있습니다. Si 기판은 비용 효율성을 높일 수 있지만, 결정성 차이로 인한 결함 발생 가능성 때문에 기술적인 난이도가 높습니다. **소자 설계 및 공정 기술**은 GaN RF 장치의 성능을 극대화하는 데 중요합니다. 고이동도 채널 형성을 위한 AlGaN 농도 및 두께 최적화, 게이트 길이 최소화, 전극 재료 및 구조 최적화 등이 포함됩니다. 또한, GaN 에피층 성장 시 발생하는 스트레스 및 결함 제어 기술, 금속 접촉 저항 감소 기술, 절연막 증착 기술 등도 중요한 요소입니다. **패키징 기술**은 GaN RF 장치의 고출력 특성을 효과적으로 관리하고 외부 환경으로부터 보호하는 데 필수적입니다. 고출력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출하기 위한 열 관리 패키징 기술, 고주파 신호의 손실을 최소화하는 저유전율 및 저손실 패키징 재료, 그리고 고전압 및 고전류를 안전하게 전달하기 위한 절연 및 접합 기술 등이 요구됩니다. **열 관리 기술**은 GaN RF 장치 성능의 핵심입니다. GaN 자체의 열전도율이 실리콘만큼 높지 않기 때문에, 효과적인 방열 설계는 필수적입니다. 히트 싱크, 열 인터페이스 재료(TIM) 사용, 그리고 다층 기판 설계 등을 통해 열을 효과적으로 분산시켜 장치의 신뢰성과 수명을 보장해야 합니다. **모듈화 기술**은 개별적인 GaN RF 소자를 통합하여 특정 애플리케이션에 요구되는 기능을 수행하는 고집적 모듈을 만드는 기술입니다. 여러 개의 GaN 소자를 효율적으로 배치하고 상호 연결하여 고출력, 광대역 특성을 갖는 증폭기 모듈이나 송수신 모듈 등을 제작합니다. 결론적으로, GaN RF 장치는 우수한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 차세대 고성능 RF 시스템 구현에 핵심적인 역할을 수행하고 있습니다. 고출력, 고주파, 고효율이라는 이점을 바탕으로 이동 통신, 레이더, 전자전 등 다양한 첨단 산업 분야에서 그 중요성이 더욱 증대될 것으로 예상됩니다. 이러한 추세에 발맞추어 기판, 소자 설계 및 공정, 패키징, 열 관리 등 관련 기술 분야의 지속적인 발전이 요구됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN RF 장치 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22041) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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