| ■ 영문 제목 : Global GaN Semiconductor Device Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22043 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN 반도체 장치 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN 반도체 장치은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN 반도체 장치 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN 반도체 장치은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN 반도체 장치의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN 반도체 장치 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN 반도체 장치 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN 반도체 장치 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 전력 반도체, 광 반도체, RF 반도체) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN 반도체 장치 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN 반도체 장치 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN 반도체 장치 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN 반도체 장치 기술의 발전, GaN 반도체 장치 신규 진입자, GaN 반도체 장치 신규 투자, 그리고 GaN 반도체 장치의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN 반도체 장치 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN 반도체 장치 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN 반도체 장치 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN 반도체 장치 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN 반도체 장치 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN 반도체 장치 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN 반도체 장치 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN 반도체 장치 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
전력 반도체, 광 반도체, RF 반도체
*** 용도별 세분화 ***
자동차, 가전, 항공 우주/방위, 의료, 정보/통신 기술, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Toshiba, Panasonic, Cree, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM, Efficient Power Conversion, NXP Semiconductors, Texas Instruments, NTT Advanced Technology
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN 반도체 장치 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN 반도체 장치 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN 반도체 장치 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN 반도체 장치은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN 반도체 장치 시장분석 ■ 지역별 GaN 반도체 장치에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN 반도체 장치 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Toshiba, Panasonic, Cree, GaN Systems, Infineon Technologies, OSRAM, Efficient Power Conversion, NXP Semiconductors, Texas Instruments, NTT Advanced Technology – Toshiba – Panasonic – Cree ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN 반도체 장치 이미지 GaN 반도체 장치 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN 반도체 장치 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN 반도체 장치 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 기업별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN 반도체 장치 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN 반도체 장치 판매량 (2019-2024) 미주 GaN 반도체 장치 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 반도체 장치 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 반도체 장치 매출 (2019-2024) 유럽 GaN 반도체 장치 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN 반도체 장치 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 반도체 장치 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 반도체 장치 매출 (2019-2024) 미국 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN 반도체 장치 시장규모 (2019-2024) GaN 반도체 장치의 제조 원가 구조 분석 GaN 반도체 장치의 제조 공정 분석 GaN 반도체 장치의 산업 체인 구조 GaN 반도체 장치의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 반도체 장치 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 반도체 장치 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN) 반도체 소자는 뛰어난 전기적 및 열적 특성을 바탕으로 차세대 전력 반도체 및 고주파 통신 분야에서 혁신을 이끌고 있는 차세대 기술입니다. GaN은 주기율표에서 13족에 속하는 갈륨(Ga)과 15족에 속하는 질소(N)를 결합하여 만들어진 화합물 반도체로, 실리콘(Si)과 같은 기존의 반도체 소재가 가지는 한계를 극복할 수 있는 잠재력을 지니고 있습니다. 이러한 GaN의 독특한 물리적, 화학적 특성은 이를 활용한 반도체 소자들이 기존 소자 대비 월등한 성능을 발휘할 수 있도록 합니다. GaN 반도체 소자의 가장 두드러진 특징 중 하나는 바로 높은 항복 전압(Breakdown Voltage)입니다. GaN은 실리콘에 비해 훨씬 높은 전계 강도를 견딜 수 있어, 동일한 소자 구조에서도 더 높은 전압을 차단할 수 있습니다. 이는 고전압 전력 변환 시스템에서 소자의 크기를 줄이고 효율을 높이는 데 결정적인 역할을 합니다. 또한, GaN은 높은 전자 이동도(Electron Mobility)를 자랑합니다. 전자 이동도가 높다는 것은 전자가 물질 내에서 더 빠르게 이동할 수 있다는 의미이며, 이는 고속 스위칭 동작을 가능하게 하여 전력 손실을 줄이고 작동 주파수를 높이는 데 기여합니다. 열적 특성 측면에서도 GaN은 매우 우수합니다. GaN은 실리콘보다 훨씬 높은 열전도율(Thermal Conductivity)을 가지고 있어, 작동 중에 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있습니다. 이는 고출력 소자에서 발생하는 열 문제를 해결하는 데 중요한 요소로 작용하며, 별도의 복잡하고 값비싼 방열 시스템의 필요성을 줄여줍니다. 또한, GaN은 높은 온도에서도 안정적인 성능을 유지하는 내열성(High-Temperature Stability)을 가지고 있어, 극한의 환경에서도 신뢰성 있는 작동이 가능합니다. 이러한 우수한 열 특성은 GaN 소자가 고온 환경에서의 작동이나 고밀도 집적화에 유리하게 만드는 주요 요인입니다. GaN 반도체 소자의 종류는 주로 전력 스위칭 소자와 고주파 통신용 소자로 구분할 수 있습니다. 전력 스위칭 소자로는 GaN 기반의 쇼트키 다이오드(Schottky Diode), 금속-산화물-반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET), 고전자 이동도 트랜지스터(HEMT, High Electron Mobility Transistor) 등이 있습니다. GaN 쇼트키 다이오드는 실리콘 기반의 고속 다이오드보다 훨씬 낮은 역회복 전하(Reverse Recovery Charge)를 가져 고속 스위칭 애플리케이션에 적합합니다. GaN MOSFET은 기존 실리콘 MOSFET의 높은 온저항(On-Resistance) 문제를 해결하여 전력 변환 효율을 크게 향상시킬 수 있습니다. GaN HEMT는 높은 전자 이동도를 활용하여 매우 높은 주파수와 전력에서 안정적인 동작이 가능하며, 특히 무선 통신 분야에서 각광받고 있습니다. 고주파 통신용 소자로는 주로 GaN HEMT가 사용되며, 높은 주파수에서의 선형성과 출력 전력 밀도가 뛰어나 5G 통신 기지국이나 위성 통신 시스템 등에 핵심 부품으로 활용됩니다. GaN 반도체 소자의 용도는 매우 광범위하며 빠르게 확장되고 있습니다. 전력 변환 분야에서는 스마트폰, 노트북, 전기차 충전기, 서버 전원 공급 장치 등 다양한 전자 기기의 전력 효율을 높이는 데 핵심적인 역할을 하고 있습니다. 특히 GaN 기반 전력 소자를 사용하면 기존 실리콘 기반 소자 대비 크기를 획기적으로 줄일 수 있어 휴대용 전자기기의 소형화 및 경량화에 크게 기여하고 있습니다. 또한, 전기차의 충전 시스템, DC-DC 컨버터 등에서도 GaN 소자의 도입으로 에너지 손실을 줄여 주행 거리를 늘리고 충전 시간을 단축하는 데 도움을 주고 있습니다. 고주파 통신 분야에서는 5G 및 차세대 무선 통신 시스템의 성능 향상에 필수적인 요소입니다. GaN RF(Radio Frequency) 소자는 높은 주파수에서 높은 출력 전력을 안정적으로 제공하며 낮은 잡음 지수(Noise Figure)를 가지므로, 통신 기지국의 효율과 범위를 넓히는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, 위성 통신, 레이더 시스템, 전자전(Electronic Warfare) 등 고출력 및 고주파 특성이 요구되는 다양한 군사 및 항공우주 분야에서도 GaN 소자의 적용이 확대되고 있습니다. GaN 반도체 소자 기술과 관련하여서는 기판 기술, 소자 구조 설계, 제조 공정 기술 등 다양한 분야의 발전이 뒷받침되어야 합니다. GaN은 높은 결함 밀도 때문에 단결정 웨이퍼(Single Crystal Wafer)를 성장시키는 것이 어렵다는 기술적 난제가 있었습니다. 이를 극복하기 위해 실리콘(Si), 탄화규소(SiC), 사파이어(Sapphire) 등 다양한 기판 위에 GaN을 성장시키는 기술이 개발되어 왔습니다. 최근에는 고품질 GaN 단결정 웨이퍼 자체를 성장시키는 기술도 발전하고 있으며, 이는 소자의 성능 및 신뢰성을 더욱 향상시키는 데 기여하고 있습니다. 소자 구조 측면에서는 HEMT 구조가 가장 대표적이며, 채널을 형성하는 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas)의 성능을 극대화하기 위한 다양한 변형 구조들이 연구 개발되고 있습니다. 특히, 질화알루미늄갈륨(AlGaN)과 GaN의 이종 접합(Heterojunction)에서 발생하는 2DEG를 활용하는 것이 HEMT의 핵심 원리입니다. 소자 구동을 위한 게이트 전극, 드레인 전극, 소스 전극의 설계 및 제작 기술, 그리고 높은 항복 전압을 얻기 위한 공간 전하 영역 확장을 고려한 소자 구조 설계가 중요합니다. 제조 공정 기술 역시 GaN 반도체 소자의 성능과 수율을 결정하는 중요한 요소입니다. MOCVD(Metalorganic Chemical Vapor Deposition) 또는 MBE(Molecular Beam Epitaxy)와 같은 에피 성장 기술을 통해 고품질의 GaN 박막을 웨이퍼 위에 증착하는 것이 기본이 됩니다. 이후 포토리소그래피, 식각, 금속 증착 등의 공정을 거쳐 소자를 제작하게 됩니다. GaN은 경질 물질이므로, 고품질의 에칭 기술 및 전극 형성 기술 또한 매우 중요하며, 특히 고전압 스위칭 소자에서 발생할 수 있는 표면 결함으로 인한 누설 전류를 억제하기 위한 표면 처리 기술 또한 중요한 연구 분야입니다. GaN 반도체 소자 기술은 계속해서 발전하고 있으며, 향후 전력 변환 효율 향상, 고주파 통신 속도 증대, 휴대용 기기의 소형화 및 성능 강화 등 다양한 분야에서 혁신을 가져올 것으로 기대됩니다. 또한, 전기 자동차, 신재생 에너지 시스템, 데이터 센터 등 고효율 전력 관리 시스템에 대한 수요가 증가함에 따라 GaN 소자의 중요성은 더욱 커질 것입니다. 지속적인 연구 개발을 통해 GaN 반도체 소자는 우리 생활과 산업 전반에 걸쳐 더욱 큰 영향을 미칠 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN 반도체 장치 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22043) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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