■ 영문 제목 : Global GaN Wafers Market Growth 2024-2030 | |
![]() | ■ 상품코드 : LPI2407D22047 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 GaN 웨이퍼 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 GaN 웨이퍼은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 GaN 웨이퍼 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. GaN 웨이퍼은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 GaN 웨이퍼의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 GaN 웨이퍼 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
GaN 웨이퍼 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 GaN 웨이퍼 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 4인치, 6인치, 8인치, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 GaN 웨이퍼 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 GaN 웨이퍼 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 GaN 웨이퍼 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 GaN 웨이퍼 기술의 발전, GaN 웨이퍼 신규 진입자, GaN 웨이퍼 신규 투자, 그리고 GaN 웨이퍼의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 GaN 웨이퍼 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, GaN 웨이퍼 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 GaN 웨이퍼 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 GaN 웨이퍼 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 GaN 웨이퍼 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 GaN 웨이퍼 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, GaN 웨이퍼 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
GaN 웨이퍼 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
4인치, 6인치, 8인치, 기타
*** 용도별 세분화 ***
자동차, 가전 제품, 방위/항공 우주, 의료, 산업용 제어, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Mitsubishi Chemical Corporation, GLC Semiconductor Group, EpiGaN, Homray Material Technology, IGSS GaN, DOWA Electronics Materials Co., Ltd, Ceramicforum Co., Ltd, POWDEC
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 GaN 웨이퍼 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 GaN 웨이퍼 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 GaN 웨이퍼 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– GaN 웨이퍼은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 GaN 웨이퍼 시장분석 ■ 지역별 GaN 웨이퍼에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 GaN 웨이퍼 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Mitsubishi Chemical Corporation, GLC Semiconductor Group, EpiGaN, Homray Material Technology, IGSS GaN, DOWA Electronics Materials Co., Ltd, Ceramicforum Co., Ltd, POWDEC – Mitsubishi Chemical Corporation – GLC Semiconductor Group – EpiGaN ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]GaN 웨이퍼 이미지 GaN 웨이퍼 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 GaN 웨이퍼 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 GaN 웨이퍼 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 GaN 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 GaN 웨이퍼 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 GaN 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 GaN 웨이퍼 매출 시장 점유율 기업별 GaN 웨이퍼 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 웨이퍼 판매량 시장 점유율 2023 기업별 GaN 웨이퍼 매출 시장 2023 기업별 글로벌 GaN 웨이퍼 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 GaN 웨이퍼 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 GaN 웨이퍼 매출 시장 점유율 2023 미주 GaN 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 미주 GaN 웨이퍼 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 GaN 웨이퍼 매출 (2019-2024) 유럽 GaN 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 유럽 GaN 웨이퍼 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 웨이퍼 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 GaN 웨이퍼 매출 (2019-2024) 미국 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 캐나다 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 멕시코 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 브라질 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 중국 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 일본 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 한국 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 인도 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 호주 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 독일 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 프랑스 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 영국 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 러시아 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이집트 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) 터키 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 GaN 웨이퍼 시장규모 (2019-2024) GaN 웨이퍼의 제조 원가 구조 분석 GaN 웨이퍼의 제조 공정 분석 GaN 웨이퍼의 산업 체인 구조 GaN 웨이퍼의 유통 채널 글로벌 지역별 GaN 웨이퍼 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 GaN 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 웨이퍼 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 GaN 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 웨이퍼 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 GaN 웨이퍼 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
※참고 정보 질화갈륨(GaN) 웨이퍼는 질화갈륨이라는 화합물 반도체를 기판으로 사용한 얇고 둥근 원판 형태의 반도체 재료입니다. 질화갈륨은 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체와는 차별화되는 독특하고 우수한 물성을 지니고 있어, 고성능 전력 소자, 고주파 통신 부품, LED와 같은 광학 소자 등 다양한 첨단 기술 분야에서 핵심적인 소재로 각광받고 있습니다. 질화갈륨 웨이퍼의 가장 큰 특징 중 하나는 높은 에너지 밴드갭입니다. 밴드갭은 반도체가 전기를 전도할 수 있게 하는 전자들의 에너지 범위를 의미하는데, 질화갈륨은 실리콘보다 훨씬 넓은 밴드갭을 가지고 있어 더 높은 전압과 온도를 견딜 수 있습니다. 이는 고출력 전력 변환 장치나 극한 환경에서 작동하는 전자 부품을 만드는 데 매우 유리한 조건입니다. 또한, 질화갈륨은 높은 전자 이동도를 자랑합니다. 전자 이동도가 높다는 것은 전자가 더 빠르고 효율적으로 움직일 수 있다는 것을 의미하며, 이는 고주파 신호를 처리하는 데 필수적입니다. 따라서 질화갈륨 웨이퍼는 5G 통신과 같은 고속 정보 통신 기술에 필요한 고주파 증폭기나 스위칭 소자를 제작하는 데 이상적인 소재입니다. 또한 질화갈륨은 우수한 열전도성을 가지고 있어 소자 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고출력 장치의 성능 저하를 막고 안정성을 높이는 데 중요한 역할을 합니다. 기존 실리콘 기반 소자의 경우, 높은 전력이나 주파수에서 발생하는 열을 효과적으로 관리하기 어렵다는 한계가 있었지만, 질화갈륨은 이러한 문제를 상당 부분 해결할 수 있습니다. 질화갈륨 웨이퍼는 주로 에피택셜 성장 방식으로 제작됩니다. 에피택셜 성장이란, 성장할 기판 위에 특정 결정 구조를 가지는 얇은 박막을 성장시키는 기술입니다. 질화갈륨 웨이퍼의 경우, 일반적으로 사파이어(Sapphire), 탄화규소(SiC), 또는 자체적으로 성장된 질화갈륨 결정 자체를 기판으로 사용하여 그 위에 질화갈륨 박막을 성장시키는 방식을 사용합니다. 사파이어는 저렴하고 대면적 생산이 용이하여 가장 널리 사용되는 기판이지만, 기판과 질화갈륨 간의 격자 불일치로 인해 결정 결함이 발생할 수 있다는 단점이 있습니다. 탄화규소는 사파이어보다 더 우수한 격자 정합성을 제공하여 고품질의 질화갈륨 박막을 얻는 데 유리하지만, 가격이 상대적으로 비싸다는 단점이 있습니다. 최근에는 자체적으로 성장된 질화갈륨 웨이퍼 기판(Native GaN Substrate)도 개발되고 있으며, 이는 가장 우수한 결정 품질을 제공하지만 생산 비용이 매우 높은 편입니다. 질화갈륨 웨이퍼를 기반으로 제작되는 소자들은 매우 다양합니다. 고출력 전력 소자로는 질화갈륨 기반 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 및 HEMT(High Electron Mobility Transistor)가 있습니다. 이러한 소자들은 스마트폰 충전기, 전기차 충전기, 태양광 인버터, 전력 공급 장치 등에서 효율을 높이고 크기를 줄이는 데 기여합니다. 고주파 소자로는 RF(Radio Frequency) 스위치, 증폭기, 전력 증폭기 등이 있으며, 이는 레이더 시스템, 위성 통신, 차세대 이동통신 기지국 및 단말기 등에 사용되어 더 빠르고 안정적인 통신을 가능하게 합니다. 또한, 질화갈륨은 발광 효율이 매우 높은 LED(Light Emitting Diode) 제작에도 사용됩니다. 청색 LED의 발명은 백색 LED의 시대를 열었고, 디스플레이, 조명 등 다양한 분야에서 에너지 절감과 혁신을 가져왔습니다. 질화갈륨 웨이퍼 관련 기술은 크게 두 가지 방향으로 발전하고 있습니다. 첫째는 웨이퍼 자체의 품질을 향상시키는 기술입니다. 결정 결함을 줄이고 균일도를 높여 소자의 성능과 신뢰성을 향상시키는 것이 중요합니다. 이를 위해 새로운 성장 방법론, 성장 공정 최적화, 기판 재료 개발 등이 활발히 연구되고 있습니다. 둘째는 질화갈륨 웨이퍼 위에 다양한 소자를 효율적으로 제작하는 기술입니다. 에피택셜 성장 기술, 패터닝 기술, 식각 기술, 금속 증착 기술 등 반도체 공정 전반에 걸쳐 질화갈륨 특성에 맞는 최적화된 기술 개발이 이루어지고 있습니다. 특히, 고밀도 집적이 가능한 차세대 소자 제작 기술과 함께 질화갈륨의 장점을 극대화할 수 있는 새로운 소자 구조 설계 연구도 활발히 진행 중입니다. 또한, 질화갈륨 웨이퍼의 가격 경쟁력을 확보하기 위한 노력도 중요합니다. 고품질의 질화갈륨 웨이퍼를 안정적으로 대량 생산하는 기술은 질화갈륨 기반 소자의 상용화를 가속화하는 데 필수적입니다. 이는 생산 공정의 효율성을 높이고, 원자재 비용을 절감하며, 불량률을 낮추는 방식으로 이루어집니다. 최근에는 질화갈륨과 다른 소재를 결합하여 새로운 기능을 구현하는 이종 집적 기술 또한 주목받고 있습니다. 예를 들어, 실리콘 웨이퍼 위에 질화갈륨 소자를 직접 성장시키는 기술은 기존 실리콘 공정 인프라를 활용하면서 질화갈륨의 장점을 도입할 수 있다는 점에서 많은 연구가 이루어지고 있습니다. 이러한 기술 발전은 질화갈륨 웨이퍼가 더욱 폭넓은 분야에서 활용될 수 있는 가능성을 열어주고 있습니다. |

※본 조사보고서 [세계의 GaN 웨이퍼 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22047) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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