| ■ 영문 제목 : Global Gate Driver IC Market Growth 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : LPI2407D22265 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2024년 5월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,660 ⇒환산￦5,124,000 | 견적의뢰/주문/질문 |
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LP Information (LPI)사의 최신 조사에 따르면, 글로벌 게이트 드라이버 IC 시장 규모는 2023년에 미화 XXX백만 달러로 산출되었습니다. 다운 스트림 시장의 수요가 증가함에 따라 게이트 드라이버 IC은 조사 대상 기간 동안 XXX%의 CAGR(연평균 성장율)로 2030년까지 미화 XXX백만 달러의 시장규모로 예상됩니다.
본 조사 보고서는 글로벌 게이트 드라이버 IC 시장의 성장 잠재력을 강조합니다. 게이트 드라이버 IC은 향후 시장에서 안정적인 성장을 보일 것으로 예상됩니다. 그러나 제품 차별화, 비용 절감 및 공급망 최적화는 게이트 드라이버 IC의 광범위한 채택을 위해 여전히 중요합니다. 시장 참여자들은 연구 개발에 투자하고, 전략적 파트너십을 구축하고, 진화하는 소비자 선호도에 맞춰 제품을 제공함으로써 게이트 드라이버 IC 시장이 제공하는 막대한 기회를 활용해야 합니다.
[주요 특징]
게이트 드라이버 IC 시장에 대한 보고서는 다양한 측면을 반영하고 업계에 대한 소중한 통찰력을 제공합니다.
시장 규모 및 성장: 본 조사 보고서는 게이트 드라이버 IC 시장의 현재 규모와 성장에 대한 개요를 제공합니다. 여기에는 과거 데이터, 유형별 시장 세분화 (예 : 온칩, 개별 모듈, 기타) 및 지역 분류가 포함될 수 있습니다.
시장 동인 및 과제: 본 보고서는 정부 규제, 환경 문제, 기술 발전 및 소비자 선호도 변화와 같은 게이트 드라이버 IC 시장의 성장을 주도하는 요인을 식별하고 분석 할 수 있습니다. 또한 인프라 제한, 범위 불안, 높은 초기 비용 등 업계가 직면한 과제를 강조할 수 있습니다.
경쟁 환경: 본 조사 보고서는 게이트 드라이버 IC 시장 내 경쟁 환경에 대한 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 업체의 프로필, 시장 점유율, 전략 및 제공 제품이 포함됩니다. 본 보고서는 또한 신흥 플레이어와 시장에 대한 잠재적 영향을 강조할 수 있습니다.
기술 개발: 본 조사 보고서는 게이트 드라이버 IC 산업의 최신 기술 개발에 대해 자세히 살펴볼 수 있습니다. 여기에는 게이트 드라이버 IC 기술의 발전, 게이트 드라이버 IC 신규 진입자, 게이트 드라이버 IC 신규 투자, 그리고 게이트 드라이버 IC의 미래를 형성하는 기타 혁신이 포함됩니다.
다운스트림 고객 선호도: 본 보고서는 게이트 드라이버 IC 시장의 고객 구매 행동 및 채택 동향을 조명할 수 있습니다. 여기에는 고객의 구매 결정에 영향을 미치는 요인, 게이트 드라이버 IC 제품에 대한 선호도가 포함됩니다.
정부 정책 및 인센티브: 본 조사 보고서는 정부 정책 및 인센티브가 게이트 드라이버 IC 시장에 미치는 영향을 분석합니다. 여기에는 규제 프레임워크, 보조금, 세금 인센티브 및 게이트 드라이버 IC 시장을 촉진하기위한 기타 조치에 대한 평가가 포함될 수 있습니다. 본 보고서는 또한 이러한 정책이 시장 성장을 촉진하는데 미치는 효과도 분석합니다.
환경 영향 및 지속 가능성: 조사 보고서는 게이트 드라이버 IC 시장의 환경 영향 및 지속 가능성 측면을 분석합니다.
시장 예측 및 미래 전망: 수행된 분석을 기반으로 본 조사 보고서는 게이트 드라이버 IC 산업에 대한 시장 예측 및 전망을 제공합니다. 여기에는 시장 규모, 성장률, 지역 동향, 기술 발전 및 정책 개발에 대한 예측이 포함됩니다.
권장 사항 및 기회: 본 보고서는 업계 이해 관계자, 정책 입안자, 투자자를 위한 권장 사항으로 마무리됩니다. 본 보고서는 시장 참여자들이 새로운 트렌드를 활용하고, 도전 과제를 극복하며, 게이트 드라이버 IC 시장의 성장과 발전에 기여할 수 있는 잠재적 기회를 강조합니다.
[시장 세분화]
게이트 드라이버 IC 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 수량 및 금액 측면에서 제공합니다.
*** 종류별 세분화 ***
온칩, 개별 모듈, 기타
*** 용도별 세분화 ***
공업용, 자동차, 소비자, 기타
본 보고서는 또한 시장을 지역별로 분류합니다:
– 미주 (미국, 캐나다, 멕시코, 브라질)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 호주)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 중동 및 아프리카 (이집트, 남아프리카 공화국, 이스라엘, 터키, GCC 국가)
아래 프로파일링 대상 기업은 주요 전문가로부터 수집한 정보를 바탕으로 해당 기업의 서비스 범위, 제품 포트폴리오, 시장 점유율을 분석하여 선정되었습니다.
Infineon Technologies, NXP Semiconductors, Renesas Electronics, Texas Instruments Incorporated, Mitsubishi Electric, Dialog Semiconductor PLC, STMicroelectronics, Toshiba, Maxim Integrated, ROHM Semiconductor, Semtech, Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor
[본 보고서에서 다루는 주요 질문]
– 글로벌 게이트 드라이버 IC 시장의 향후 10년 전망은 어떻게 될까요?
– 전 세계 및 지역별 게이트 드라이버 IC 시장 성장을 주도하는 요인은 무엇입니까?
– 시장과 지역별로 가장 빠르게 성장할 것으로 예상되는 분야는 무엇인가요?
– 최종 시장 규모에 따라 게이트 드라이버 IC 시장 기회는 어떻게 다른가요?
– 게이트 드라이버 IC은 종류, 용도를 어떻게 분류합니까?
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차■ 보고서의 범위 ■ 보고서의 요약 ■ 기업별 세계 게이트 드라이버 IC 시장분석 ■ 지역별 게이트 드라이버 IC에 대한 추이 분석 ■ 미주 시장 ■ 아시아 태평양 시장 ■ 유럽 시장 ■ 중동 및 아프리카 시장 ■ 시장 동인, 도전 과제 및 동향 ■ 제조 비용 구조 분석 ■ 마케팅, 유통업체 및 고객 ■ 지역별 게이트 드라이버 IC 시장 예측 ■ 주요 기업 분석 Infineon Technologies, NXP Semiconductors, Renesas Electronics, Texas Instruments Incorporated, Mitsubishi Electric, Dialog Semiconductor PLC, STMicroelectronics, Toshiba, Maxim Integrated, ROHM Semiconductor, Semtech, Fairchild Semiconductor, ON Semiconductor – Infineon Technologies – NXP Semiconductors – Renesas Electronics ■ 조사 결과 및 결론 [그림 목록]게이트 드라이버 IC 이미지 게이트 드라이버 IC 판매량 성장률 (2019-2030) 글로벌 게이트 드라이버 IC 매출 성장률 (2019-2030) 지역별 게이트 드라이버 IC 매출 (2019, 2023 및 2030) 글로벌 종류별 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 종류별 게이트 드라이버 IC 매출 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 용도별 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 2023 글로벌 용도별 게이트 드라이버 IC 매출 시장 점유율 기업별 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 2023 기업별 글로벌 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 2023 기업별 게이트 드라이버 IC 매출 시장 2023 기업별 글로벌 게이트 드라이버 IC 매출 시장 점유율 2023 지역별 글로벌 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 (2019-2024) 글로벌 게이트 드라이버 IC 매출 시장 점유율 2023 미주 게이트 드라이버 IC 판매량 (2019-2024) 미주 게이트 드라이버 IC 매출 (2019-2024) 아시아 태평양 게이트 드라이버 IC 판매량 (2019-2024) 아시아 태평양 게이트 드라이버 IC 매출 (2019-2024) 유럽 게이트 드라이버 IC 판매량 (2019-2024) 유럽 게이트 드라이버 IC 매출 (2019-2024) 중동 및 아프리카 게이트 드라이버 IC 판매량 (2019-2024) 중동 및 아프리카 게이트 드라이버 IC 매출 (2019-2024) 미국 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 캐나다 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 멕시코 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 브라질 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 중국 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 일본 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 한국 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 동남아시아 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 인도 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 호주 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 독일 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 프랑스 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 영국 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 이탈리아 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 러시아 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 이집트 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 남아프리카 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 이스라엘 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 터키 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) GCC 국가 게이트 드라이버 IC 시장규모 (2019-2024) 게이트 드라이버 IC의 제조 원가 구조 분석 게이트 드라이버 IC의 제조 공정 분석 게이트 드라이버 IC의 산업 체인 구조 게이트 드라이버 IC의 유통 채널 글로벌 지역별 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 전망 (2025-2030) 글로벌 지역별 게이트 드라이버 IC 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 종류별 게이트 드라이버 IC 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 게이트 드라이버 IC 판매량 시장 점유율 예측 (2025-2030) 글로벌 용도별 게이트 드라이버 IC 매출 시장 점유율 예측 (2025-2030) ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 게이트 드라이버 IC: 스위칭 소자를 효율적으로 제어하는 핵심 부품 현대 전자 회로, 특히 전력 변환 및 제어 분야에서 스위칭 소자의 효율적인 동작은 매우 중요합니다. MOSFET, IGBT와 같은 고속 스위칭 소자들은 전력 효율성을 높이는 데 필수적인 역할을 하지만, 이들을 빠르고 정확하게 켜고 끄기 위해서는 특별한 회로가 필요합니다. 바로 여기서 게이트 드라이버 IC(Gate Driver IC)의 중요성이 부각됩니다. 게이트 드라이버 IC는 이러한 스위칭 소자의 게이트 단자에 적절한 전압과 전류를 공급하여 스위칭 소자를 빠르고 효율적으로 제어하는 역할을 수행하는 전용 반도체 집적 회로입니다. 마치 자동차의 가속 페달이 엔진의 출력을 조절하듯, 게이트 드라이버는 스위칭 소자의 게이트에 섬세하게 제어된 신호를 전달하여 전력 변환의 효율성과 성능을 극대화합니다. 게이트 드라이버 IC의 기본적인 기능은 스위칭 소자의 게이트에 **급격한 전압 변화**를 제공하는 것입니다. 스위칭 소자는 게이트 전압이 특정 임계값 이상으로 올라갈 때 켜지고, 임계값 이하로 내려갈 때 꺼지는데, 이 전환 과정이 얼마나 빠르고 매끄러운지가 전력 손실과 직결됩니다. 만약 게이트 전압이 천천히 변한다면, 스위칭 소자가 켜지거나 꺼지는 동안 일정 시간 동안 저항 성분이 높게 유지되어 불필요한 열 발생으로 인한 전력 손실이 커집니다. 게이트 드라이버 IC는 높은 피크 전류를 공급하여 게이트 커패시턴스를 빠르게 충전 또는 방전시킴으로써 이러한 스위칭 손실을 최소화합니다. 또한, 스위칭 소자의 종류와 요구 사양에 따라 정밀하게 제어된 게이트 전압 레벨을 유지하는 것도 중요한 기능입니다. 예를 들어, 특정 전압 레벨에서 스위칭 소자를 안정적으로 유지하거나, 과도한 전압으로부터 스위칭 소자를 보호하는 기능도 포함될 수 있습니다. 게이트 드라이버 IC는 그 구조와 기능에 따라 매우 다양하게 분류될 수 있지만, 가장 기본적인 구분은 **하이 사이드(High-side) 드라이버**와 **로우 사이드(Low-side) 드라이버**로 나눌 수 있습니다. 로우 사이드 드라이버는 접지(Ground)를 기준으로 스위칭 소자의 게이트를 구동합니다. 이는 비교적 간단한 구조로 구현될 수 있으며, 부하가 접지에 연결된 경우에 주로 사용됩니다. 반면에 하이 사이드 드라이버는 스위칭 소자의 소스(Source) 또는 이미터(Emitter) 단자가 접지가 아닌 다른 전압 레벨에 연결되어 있을 때 사용됩니다. 예를 들어, buck 컨버터나 boost 컨버터와 같이 전압을 승압하거나 강압하는 회로에서 고전압 측의 스위칭 소자를 제어할 때 하이 사이드 드라이버가 필수적입니다. 하이 사이드 드라이버는 구동할 스위칭 소자의 소스 단자보다 더 높은 전압 레벨을 생성해야 하므로, 자체적으로 부트스트랩 회로(Bootstrap circuit)를 내장하거나 절연된 전원 공급 장치를 필요로 합니다. 부트스트랩 회로는 콘덴서와 다이오드로 구성되어 스위칭 과정에서 발생하는 전압을 이용하여 하이 사이드 드라이버의 구동 전원을 충전하는 방식입니다. 게이트 드라이버 IC의 핵심 특징 중 하나는 **높은 전류 구동 능력**입니다. 앞서 언급했듯이, 스위칭 소자의 게이트는 일종의 커패시터처럼 동작합니다. 이 커패시터를 빠르게 충전하거나 방전시키기 위해서는 높은 전류가 필요하며, 게이트 드라이버 IC는 이러한 요구를 충족시키기 위해 높은 피크 전류를 공급할 수 있도록 설계됩니다. 일반적으로 수 암페어(Ampere) 이상의 피크 전류를 제공할 수 있는 게이트 드라이버 IC들이 존재합니다. 또한, **빠른 스위칭 속도**는 전력 변환 효율을 높이는 데 매우 중요합니다. 게이트 드라이버 IC는 수십 나노초(nanosecond) 이내의 매우 짧은 상승 시간(rise time)과 하강 시간(fall time)을 제공하여 스위칭 손실을 최소화합니다. **절연 기능** 역시 중요한 특징 중 하나입니다. 특히 하이 사이드 드라이버의 경우, 제어 회로와 고전압 스위칭 소자 사이에 전기적 절연이 필요합니다. 이를 위해 옵토커플러(Optocoupler)나 절연 변압기(Isolation transformer)와 같은 절연 방식을 사용하거나, 자체적으로 절연된 내부 구조를 가진 IC를 사용하기도 합니다. 이러한 절연은 제어 회로를 고전압으로부터 보호하고, 노이즈 간섭을 줄여 시스템의 안정성을 높입니다. 게이트 드라이버 IC는 다양한 애플리케이션에서 필수적으로 사용됩니다. 가장 대표적인 용도는 **전력 변환기(Power converters)**입니다. 스위치 모드 파워 서플라이(SMPS), DC-DC 컨버터, AC-DC 컨버터, 인버터 등 거의 모든 전력 변환 회로에서 스위칭 소자의 효율적인 제어를 위해 게이트 드라이버 IC가 사용됩니다. 또한, **모터 드라이브(Motor drives)** 분야에서도 게이트 드라이버 IC는 중요한 역할을 합니다. BLDC 모터나 PMSM 모터와 같은 동기 모터는 PWM(Pulse Width Modulation) 신호를 사용하여 속도와 토크를 제어하는데, 이때 게이트 드라이버 IC는 모터의 스위칭 소자를 정밀하게 제어하여 부드럽고 효율적인 모터 구동을 가능하게 합니다. **연료 전지 제어, 태양광 발전 시스템, 전기차 충전 시스템, 조명 제어** 등 고효율 및 고성능이 요구되는 다양한 전력 제어 시스템에서 게이트 드라이버 IC는 빼놓을 수 없는 핵심 부품입니다. 관련 기술로는 **고주파 스위칭(High-frequency switching)** 기술이 있습니다. 스위칭 주파수가 높아질수록 전력 변환기의 크기를 줄이고 효율을 높일 수 있지만, 스위칭 손실 또한 증가하기 때문에 고속 스위칭이 가능한 고성능 게이트 드라이버 IC가 필수적입니다. 또한, **전력 밀도 향상(Power density improvement)** 기술과도 밀접한 관련이 있습니다. 더 작고 가벼운 전력 변환기 설계를 위해서는 스위칭 소자의 효율적인 동작을 통해 발열을 줄이고 부품 수를 최소화해야 하는데, 게이트 드라이버 IC는 이러한 목표 달성에 기여합니다. 최근에는 **실리콘 카바이드(SiC)**나 **질화갈륨(GaN)**과 같은 차세대 전력 반도체 소자가 등장하면서, 기존의 실리콘 기반 스위칭 소자보다 훨씬 높은 전압과 전류, 그리고 빠른 스위칭 속도를 지원하는 새로운 요구사항이 발생하고 있습니다. 이에 따라 SiC 및 GaN 소자를 효율적으로 구동할 수 있는 고전압, 고전류, 초고속 게이트 드라이버 IC에 대한 연구 개발이 활발히 진행되고 있습니다. 이러한 차세대 게이트 드라이버 IC는 단순히 스위칭 소자를 구동하는 것을 넘어, **내장된 보호 기능(Protection features)**을 통해 과전압, 과전류, 과열 등으로부터 스위칭 소자를 보호하고 시스템의 신뢰성을 높이는 방향으로 발전하고 있습니다. 또한, 디지털 제어와의 인터페이스를 강화하여 시스템 설계를 간소화하고 유연성을 높이는 노력도 이루어지고 있습니다. 요약하자면, 게이트 드라이버 IC는 현대 전력 전자 회로의 핵심적인 구성 요소로서, 스위칭 소자의 성능을 극대화하고 전력 변환 시스템의 효율성과 신뢰성을 향상시키는 데 필수적인 역할을 수행합니다. 끊임없이 발전하는 전력 반도체 기술과 함께 게이트 드라이버 IC 역시 더욱 발전된 기능과 성능으로 다양한 첨단 기술 분야를 선도해 나갈 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 게이트 드라이버 IC 시장 2024-2030] (코드 : LPI2407D22265) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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