| ■ 영문 제목 : Global GaN-On-Si Epiwafer Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2409H6339 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 9월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업 체인 동향 개요, 광전, 전력, RF 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, GaN-On-Si 에피웨이퍼의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 4인치, 6인치, 8인치)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 GaN-On-Si 에피웨이퍼에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (광전, 전력, RF)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: GaN-On-Si 에피웨이퍼과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 4인치, 6인치, 8인치
용도별 시장 세그먼트
– 광전, 전력, RF
주요 대상 기업
– NTT AT、Wolfspeed、SCIOCS (Sumitomo)、EpiGaN (Soitec)、DOWA Electronics Materials、IQE、Enkris Semiconductor Inc、CorEnergy、GLC、Genettice、Suzhou Nanowin、Episil-Precision Inc、Xinguan Technology、Shanxi Yuteng
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– GaN-On-Si 에피웨이퍼 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– GaN-On-Si 에피웨이퍼 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– GaN-On-Si 에피웨이퍼 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, GaN-On-Si 에피웨이퍼의 산업 체인.
– GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 NTT AT Wolfspeed SCIOCS (Sumitomo) ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- GaN-On-Si 에피웨이퍼 이미지 - 종류별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 (2019-2030) - 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 GaN-On-Si 에피웨이퍼 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 GaN-On-Si 에피웨이퍼 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 세계의 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 평균 가격 - 세계의 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 평균 가격 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 영국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 러시아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 일본 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 한국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 인도 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 호주 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 이집트 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 성장 요인 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 제약 요인 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 제조 비용 구조 분석 - GaN-On-Si 에피웨이퍼의 제조 공정 분석 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨(GaN)은 뛰어난 전기적 및 열적 특성을 가진 차세대 반도체 소재로서, 실리콘(Si) 기판 위에 GaN을 성장시킨 GaN-On-Si 에피웨이퍼는 기존 실리콘 기술과의 호환성과 저비용 대량 생산 가능성으로 인해 많은 주목을 받고 있습니다. 본 글에서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 개념을 중심으로 그 정의, 특징, 종류, 용도 및 관련 기술에 대해 상세히 설명드리겠습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 GaN 박막을 실리콘 웨이퍼 위에 성장시킨 형태로, GaN의 우수한 반도체 특성을 활용하면서도 실리콘의 저렴한 가격과 대면적화의 장점을 결합한 차세대 전력 및 RF(고주파) 소자 구현을 위한 핵심 소재입니다. 전통적으로 GaN은 고가의 사파이어(Sapphire)나 탄화규소(SiC) 기판 위에 성장되었으나, 이러한 기판들은 가격이 비싸고 웨이퍼 면적이 작아 대량 생산에 제약이 있었습니다. 반면 실리콘은 이미 성숙된 반도체 제조 공정 기술을 바탕으로 대면적 웨이퍼 생산이 가능하고 가격 경쟁력이 매우 뛰어나다는 장점을 가지고 있습니다. 따라서 GaN-On-Si 에피웨이퍼는 이러한 실리콘의 장점을 빌려 GaN 기술의 상용화를 앞당기는 데 중요한 역할을 합니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼의 핵심적인 특징은 다음과 같습니다. 첫째, 높은 전자 이동도와 넓은 밴드갭을 가진 GaN의 본질적인 특성을 그대로 활용할 수 있습니다. 이는 고속 스위칭 및 고주파 동작이 가능한 트랜지스터 개발에 유리하게 작용합니다. 둘째, 실리콘 기판을 사용함으로써 기존 실리콘 반도체 제조 인프라 및 공정 기술과의 호환성이 높다는 장점을 가집니다. 이는 새로운 설비 투자 없이도 GaN 소자 생산을 가능하게 하여 비용 절감 효과를 가져옵니다. 셋째, 실리콘은 사파이어나 SiC에 비해 열전도율이 낮지만, GaN의 열적 특성이 뛰어나기 때문에 적절한 열 관리 기술을 적용하면 고출력 소자에서도 충분히 활용 가능합니다. 넷째, 실리콘 기판의 대구경화(Large wafer size)는 웨이퍼당 생산량을 크게 늘려 단위 소자당 제조 비용을 낮추는 데 기여합니다. 예를 들어, 6인치, 8인치, 12인치 실리콘 웨이퍼에 GaN을 성장시킬 수 있어 생산 효율성을 극대화할 수 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 성장되는 GaN의 구조 및 목적에 따라 다양한 종류로 분류될 수 있습니다. 가장 일반적인 형태는 전력 스위칭 소자에 사용되는 AlGaN/GaN 헤테로구조(Heterostructure)입니다. 이는 GaN 위에 알루미늄갈륨나이트라이드(AlGaN) 박막을 성장시켜 계면에서 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas)를 형성함으로써 높은 이동도를 가지는 전자 채널을 구현합니다. 이러한 구조는 고전압, 저온화 및 고효율 특성을 요구하는 전력 변환기, DC-DC 컨버터 등에 활용됩니다. RF 통신 분야에서는 고주파 신호를 처리하기 위한 고성능 트랜지스터 구현을 위해 사용되며, 특히 5G 이동통신 기지국이나 휴대폰의 전력 증폭기(PA, Power Amplifier) 등에 필수적인 소재입니다. 이 외에도 LED(발광다이오드)나 레이저 다이오드와 같은 광전자 소자에도 GaN-On-Si 기술이 적용될 수 있으나, 현재까지는 전력 및 RF 소자 분야에서의 활용이 더 두드러집니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼의 주요 용도는 다음과 같습니다. 첫째, 고효율 전력 전자 소자입니다. GaN은 실리콘에 비해 항복 전압이 높고 스위칭 속도가 빠르며 온저항이 낮아 전력 손실을 줄일 수 있습니다. 이는 전기자동차의 충전 시스템, 태양광 발전 시스템의 인버터, 고효율 전원 공급 장치 등 에너지 효율성이 중요한 분야에서 핵심적인 역할을 합니다. 둘째, 고주파 RF 소자입니다. GaN은 높은 전자 이동도와 낮은 기생 커패시턴스로 인해 GHz 이상의 고주파수 대역에서 뛰어난 성능을 발휘합니다. 따라서 5G 및 차세대 통신 시스템의 RF 프론트엔드, 레이더 시스템, 위성 통신 등에 필수적으로 사용됩니다. 셋째, 미래의 다양한 전자 소자 응용 분야입니다. 예를 들어, 고온 동작이 가능한 전자 소자, 고출력 마이크로파(HPM) 소자, 그리고 차세대 디스플레이 기술에 적용될 수 있는 잠재력을 가지고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술의 성공적인 구현을 위해서는 여러 관련 기술들이 뒷받침되어야 합니다. 가장 중요한 기술 중 하나는 **버퍼층 기술(Buffer Layer Technology)**입니다. GaN과 실리콘은 결정 구조 및 격자 상수가 크게 다르기 때문에 직접 성장 시 심각한 격자 불일치(Lattice mismatch)와 열팽창 계수 차이로 인해 다량의 결함이 발생합니다. 이를 극복하기 위해 GaN과 실리콘 사이에 질화알루미늄(AlN), 질화알루미늄갈륨(AlGaN) 등 다양한 조성의 버퍼층을 다층적으로 성장시켜 응력과 변형을 완화하고 고품질의 GaN 박막을 얻는 기술이 필수적입니다. 또한, **금속유기화학증착(MOCVD, Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)**은 GaN 에피웨이퍼를 성장시키는 주요 기술로, 고순도의 전구체 가스를 사용하여 정밀하게 박막을 증착하는 기술입니다. MOCVD 공정 최적화를 통해 GaN의 결정 품질과 2DEG 특성을 향상시키는 것이 중요합니다. **소자 제조 공정 기술** 또한 매우 중요합니다. GaN은 기존 실리콘 소자 제조 공정과는 다른 화학적 및 물리적 특성을 가지기 때문에, 식각(Etching), 금속 증착(Metallization), 패시베이션(Passivation) 등 각 공정 단계에 최적화된 기술 개발이 필요합니다. 특히, 소자 성능을 저하시키는 표면 결함을 최소화하고 안정적인 소자 특성을 확보하는 것이 중요합니다. 또한, **열 관리 기술**은 GaN 소자의 고출력 동작 시 발생하는 열을 효과적으로 방출하여 소자의 신뢰성과 성능을 유지하는 데 필수적입니다. 실리콘 기판의 낮은 열전도도를 고려하여 고효율 히트싱크(Heat Sink) 설계 및 열 전도성이 우수한 패키징 기술이 요구됩니다. 마지막으로, **테스트 및 검증 기술** 또한 빼놓을 수 없습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼 및 이를 기반으로 제작된 소자의 성능, 신뢰성, 수명 등을 정확하게 평가하고 검증하는 기술은 상용화를 위한 필수 과정입니다. 결론적으로 GaN-On-Si 에피웨이퍼는 차세대 반도체 기술을 이끌어갈 핵심 소재로서, 실리콘의 장점과 GaN의 뛰어난 물성을 결합하여 에너지 효율성과 고성능을 동시에 만족시키는 다양한 응용 분야에 기여할 것으로 기대됩니다. 지속적인 연구 개발과 기술 혁신을 통해 GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술은 더욱 발전하여 우리의 삶을 더욱 편리하고 지속 가능하게 만드는 데 중요한 역할을 할 것입니다. |
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