| ■ 영문 제목 : Global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1468 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 93 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (모듈 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 디스크리트 절연 게이트 양극성 트랜지스터)와 용도별 시장규모 (EV/HEV, 산업용 모터 드라이브, 교통, 운송, HVAC, 재생 에너지, UPS, 직렬 보상, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장분석 - 종류별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 (모듈 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 디스크리트 절연 게이트 양극성 트랜지스터) - 용도별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 (EV/HEV, 산업용 모터 드라이브, 교통, 운송, HVAC, 재생 에너지, UPS, 직렬 보상, 기타) 기업별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장분석 - 기업별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매량 - 기업별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 매출액 - 기업별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매가격 - 주요기업의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 판매량 2020년-2025년 - 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 종류별 - 미주의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 용도별 - 미국 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 캐나다 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 멕시코 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 브라질 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 종류별 - 아시아의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 용도별 - 중국 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 일본 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 한국 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 동남아시아 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 인도 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 종류별 - 유럽의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 용도별 - 독일 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 프랑스 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 영국 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 : 용도별 - 이집트 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 남아프리카 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 - 중동GCC 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 제조원가 구조 분석 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 제조 프로세스 분석 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 유통업체 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 주요 고객 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장 예측 - 지역별 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 종류별 시장예측 (모듈 절연 게이트 양극성 트랜지스터, 디스크리트 절연 게이트 양극성 트랜지스터) - 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT)의 용도별 시장예측 (EV/HEV, 산업용 모터 드라이브, 교통, 운송, HVAC, 재생 에너지, UPS, 직렬 보상, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - ABB, Fairchild Semiconductor International, Fuji Electric, Hitachi, Infineon Technologies 조사의 결론 |
An insulated-gate bipolar transistor (IGBT) is a three-terminal power semiconductor device primarily used as an electronic switch which, as it was developed, came to combine high efficiency and fast switching.
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) sales for 2025 through 2031. With Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT).
The global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) players cover ABB, Fairchild Semiconductor International, Fuji Electric, Hitachi and Infineon Technologies, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Modular Insulated Gate Bipolar Transistor
Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor
Segmentation by application
EV/HEV
Industrial Motor Drives
Traction
Transportation
Hvac
Renewable Energy
UPS
Series Compensation
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
ABB
Fairchild Semiconductor International
Fuji Electric
Hitachi
Infineon Technologies
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market?
What factors are driving Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) market opportunities vary by end market size?
How does Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)는 현대 전력 전자 분야에서 매우 중요한 역할을 수행하는 반도체 소자입니다. 이름에서 알 수 있듯이, IGBT는 절연 게이트 구조와 양극성 트랜지스터의 특성을 결합하여 두 소자의 장점을 모두 활용하도록 설계되었습니다. 기본적인 개념은 MOSFET(금속-산화막-반도체 전계효과 트랜지스터)의 게이트 제어 방식으로 전류를 효율적으로 제어하면서도, 바이폴라 트랜지스터(BJT)와 같이 높은 전류 밀도와 낮은 온-상태 전압 강하를 구현하는 것입니다. IGBT의 작동 원리는 MOSFET의 입력단과 BJT의 출력단을 통합한 구조에서 비롯됩니다. 게이트 단자는 산화막을 통해 격리되어 있어 낮은 입력 전력으로도 제어가 가능합니다. 이 게이트에 전압이 인가되면, MOSFET과 유사하게 채널이 형성되어 소수 캐리어(전자)가 주입됩니다. 이 주입된 전자는 P-N 접합을 통과하여 NPN 바이폴라 트랜지스터의 베이스 영역으로 작용하게 됩니다. 이렇게 형성된 베이스 전류는 강력한 전류 증폭 효과를 발생시켜, 컬렉터에서 이미터로의 주 전류 흐름을 제어하게 됩니다. 즉, MOSFET의 전압 제어 편리성과 BJT의 높은 전류 전달 능력을 동시에 얻게 되는 것입니다. IGBT의 주요 특징으로는 먼저, 높은 스위칭 속도를 들 수 있습니다. MOSFET에 비해 스위칭 속도가 다소 느린 경향이 있지만, BJT와 비교하면 훨씬 빠릅니다. 이러한 스위칭 속도는 전력 변환 시스템의 효율성과 크기에 직접적인 영향을 미치므로, 고주파수 동작이 요구되는 응용 분야에서 중요한 이점이 됩니다. 두 번째로, IGBT는 높은 전류 밀도와 낮은 온-상태 전압 강하를 제공합니다. 이는 동일한 크기의 소자에서 더 많은 전류를 흘릴 수 있음을 의미하며, 전력 손실을 줄여 소자의 효율성을 높입니다. 특히 높은 전압을 차단해야 하는 상황에서 BJT는 베이스 전류를 계속 공급해야 하는 반면, IGBT는 게이트 전압만으로 전류를 차단할 수 있어 제어가 용이합니다. 세 번째로, MOSFET과 마찬가지로 게이트 전압에 의해 전류가 제어되므로, 입력 임피던스가 매우 높아 제어 회로가 간단하고 낮은 구동 전력으로도 운용이 가능합니다. 이는 전력 시스템의 설계 복잡성을 줄이고 전력 효율을 향상시키는 데 기여합니다. 마지막으로, 상대적으로 견고한 구조를 가지고 있어 과도한 전압이나 전류에도 BJT보다는 강한 내성을 가집니다. IGBT는 그 특성 덕분에 매우 광범위한 응용 분야에서 사용됩니다. 가장 대표적인 예로는 전력 시스템의 전력 변환 장치에서 스위칭 소자로 사용되는 경우입니다. 예를 들어, 산업용 인버터, 모터 드라이브, 무정전 전원 장치(UPS), 전력 공급 장치(SMPS), 전기 자동차의 인버터 및 컨버터, 철도 차량의 추진 시스템, 고전압 직류 송전(HVDC) 시스템 등이 있습니다. 또한, 유도 가열 장치, 전력 계통 연계 태양광 발전 시스템, 풍력 발전 시스템 등에서도 중요한 역할을 담당합니다. 최근에는 전기 자동차의 보급 확대로 인해 IGBT의 수요가 급증하고 있으며, 차량의 효율성과 성능을 높이기 위한 고성능 IGBT 개발 경쟁이 치열합니다. 고전압, 고전류 스위칭이 필요한 다양한 산업 분야에서 IGBT는 핵심 부품으로 자리 잡고 있습니다. IGBT는 구조 및 특성에 따라 다양한 종류로 구분될 수 있습니다. 일반적으로 IGBT는 전류 흐름 방향에 따라 컬렉터(Collector)와 이미터(Emitter)가 존재하며, 게이트(Gate)를 통해 제어됩니다. 내부 구조에 따라 전류가 흐르는 방식이나 전력 손실 특성이 달라질 수 있습니다. 예를 들어, "기본 IGBT(Standard IGBT)"는 가장 보편적인 형태이며, "고속 IGBT(Fast Switching IGBT)"는 스위칭 속도를 높이기 위해 내부 구조를 최적화한 것입니다. 또한, "하이브리드Выберите IGBT(HybridВыберите IGBT)" 또는 "콜렉터-단락 IGBT(Collector-Shortened IGBT)"와 같이 특정 응용에 맞게 개선된 형태도 존재합니다. 최근에는 전력 손실을 더욱 줄이기 위한 새로운 기술들이 개발되고 있으며, 이는 특히 전기 자동차와 같이 배터리 효율이 중요한 응용 분야에서 필수적입니다. IGBT의 성능 향상을 위한 관련 기술 또한 지속적으로 발전하고 있습니다. 반도체 제조 공정의 미세화 및 신소재 적용은 IGBT의 효율성과 신뢰성을 높이는 데 기여하고 있습니다. 특히 차세대 전력 반도체 소자로 주목받는 질화갈륨(GaN)이나 탄화규소(SiC)를 이용한 IGBT 또는 이와 유사한 소자들은 기존 실리콘 기반 IGBT보다 훨씬 높은 스위칭 주파수와 낮은 온-상태 전압 강하를 제공하여 전력 변환 시스템의 효율을 극대화할 수 있을 것으로 기대됩니다. 또한, IGBT 내부의 손실을 줄이고 스위칭 특성을 개선하기 위한 새로운 구조 설계, 캐리어 주입 및 제거 메커니즘 최적화, 게이트 구동 회로의 고속화 및 저전력화 기술 개발도 활발히 이루어지고 있습니다. 더 나아가, 고온에서도 안정적으로 동작할 수 있는 내열성 강화 기술, 소자 수명을 연장하기 위한 신뢰성 향상 기술 등도 중요한 연구 분야입니다. 이러한 기술 발전은 IGBT를 더욱 작고, 효율적이며, 신뢰성 높은 부품으로 만들어 다양한 첨단 산업 분야에서 그 활용도를 더욱 넓힐 것입니다. IGBT 기술의 발전은 에너지 효율 향상과 더불어 친환경적인 전력 시스템 구축에 필수적인 역할을 하고 있으며, 앞으로도 그 중요성은 더욱 커질 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1468) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 절연 게이트 양극성 트랜지스터 (IGBT) 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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