| ■ 영문 제목 : Global Power Semiconductor Chips Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1222 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 113 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 파워 반도체 칩의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 파워 반도체 칩 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 파워 반도체 칩 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 파워 반도체 칩 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 파워 반도체 칩 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (MOSFET 칩, 다이오드 칩, IGBT 칩) 시장규모와 용도별 (개별 소자, 개별 반도체 모듈) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 파워 반도체 칩 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 파워 반도체 칩 시장분석 - 종류별 파워 반도체 칩 시장규모 2020년-2025년 (MOSFET 칩, 다이오드 칩, IGBT 칩) - 용도별 파워 반도체 칩 시장규모 2020년-2025년 (개별 소자, 개별 반도체 모듈) 기업별 파워 반도체 칩 시장분석 - 기업별 파워 반도체 칩 판매량 - 기업별 파워 반도체 칩 매출액 - 기업별 파워 반도체 칩 판매가격 - 주요기업의 파워 반도체 칩 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 파워 반도체 칩 판매량 2020년-2025년 - 지역별 파워 반도체 칩 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 파워 반도체 칩 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 파워 반도체 칩 시장규모 : 종류별 - 미주의 파워 반도체 칩 시장규모 : 용도별 - 미국 파워 반도체 칩 시장규모 - 캐나다 파워 반도체 칩 시장규모 - 멕시코 파워 반도체 칩 시장규모 - 브라질 파워 반도체 칩 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 파워 반도체 칩 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 파워 반도체 칩 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 파워 반도체 칩 시장규모 : 용도별 - 중국 파워 반도체 칩 시장규모 - 일본 파워 반도체 칩 시장규모 - 한국 파워 반도체 칩 시장규모 - 동남아시아 파워 반도체 칩 시장규모 - 인도 파워 반도체 칩 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 파워 반도체 칩 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 파워 반도체 칩 시장규모 : 종류별 - 유럽의 파워 반도체 칩 시장규모 : 용도별 - 독일 파워 반도체 칩 시장규모 - 프랑스 파워 반도체 칩 시장규모 - 영국 파워 반도체 칩 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 파워 반도체 칩 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 파워 반도체 칩 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 파워 반도체 칩 시장규모 : 용도별 - 이집트 파워 반도체 칩 시장규모 - 남아프리카 파워 반도체 칩 시장규모 - 중동GCC 파워 반도체 칩 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 파워 반도체 칩의 제조원가 구조 분석 - 파워 반도체 칩의 제조 프로세스 분석 - 파워 반도체 칩의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 파워 반도체 칩의 유통업체 - 파워 반도체 칩의 주요 고객 지역별 파워 반도체 칩 시장 예측 - 지역별 파워 반도체 칩 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - 파워 반도체 칩의 종류별 시장예측 (MOSFET 칩, 다이오드 칩, IGBT 칩) - 파워 반도체 칩의 용도별 시장예측 (개별 소자, 개별 반도체 모듈) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Wolfspeed, Infineon Technologies, STMicroelectronics, ROHM, Littelfuse (IXYS), Jiangsu Jiejie Microelectronics, Hangzhou Li-On Microelectronics Corporation, Microchip, Mitsubishi Electric, Toshiba, CRRC, BYD, Texas Instruments, Alpha & Omega Semiconductor, Mitsubishi Electric, Toshiba 조사의 결과/결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Power Semiconductor Chips Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Power Semiconductor Chips sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Power Semiconductor Chips sales for 2025 through 2031. With Power Semiconductor Chips sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Power Semiconductor Chips industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Power Semiconductor Chips landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Power Semiconductor Chips portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Power Semiconductor Chips market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Power Semiconductor Chips and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Power Semiconductor Chips.
The global Power Semiconductor Chips market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Power Semiconductor Chips is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Power Semiconductor Chips is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Power Semiconductor Chips is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Power Semiconductor Chips players cover Wolfspeed, Infineon Technologies, STMicroelectronics, ROHM, Littelfuse (IXYS), Jiangsu Jiejie Microelectronics, Hangzhou Li-On Microelectronics Corporation, Microchip and Mitsubishi Electric, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Power Semiconductor Chips market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
MOSFET Chips
Diode Chips
IGBT Chips
Segmentation by application
Discrete Devices
Discrete Semiconductor Modules
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Wolfspeed
Infineon Technologies
STMicroelectronics
ROHM
Littelfuse (IXYS)
Jiangsu Jiejie Microelectronics
Hangzhou Li-On Microelectronics Corporation
Microchip
Mitsubishi Electric
Toshiba
CRRC
BYD
Texas Instruments
Alpha & Omega Semiconductor
Mitsubishi Electric
Toshiba
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Power Semiconductor Chips market?
What factors are driving Power Semiconductor Chips market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Power Semiconductor Chips market opportunities vary by end market size?
How does Power Semiconductor Chips break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 파워 반도체 칩의 이해 파워 반도체 칩은 전기 에너지를 효율적으로 제어하고 변환하는 데 필수적인 반도체 소자로, 현대 전자기기의 심장 역할을 수행하고 있습니다. 단순히 전류를 흘리거나 차단하는 것을 넘어, 고전압, 고전류 환경에서도 안정적으로 작동하며 에너지 손실을 최소화하는 것이 핵심적인 특징입니다. 이러한 특성 덕분에 파워 반도체는 스마트폰 충전기부터 전기 자동차, 신재생 에너지 발전 시스템에 이르기까지 매우 광범위한 분야에서 핵심적인 부품으로 자리매김하고 있습니다. 파워 반도체 칩의 가장 근본적인 정의는 "높은 전력(Power)을 다루도록 설계된 반도체 소자"라고 할 수 있습니다. 여기서 '높은 전력'이라 함은 일반적으로 수십 볼트 이상의 전압이나 수 암페어 이상의 전류를 의미하며, 일반적인 로직 반도체나 아날로그 반도체가 주로 신호의 처리나 증폭에 집중하는 것과는 확연히 구분되는 지점입니다. 파워 반도체는 전력 변환 효율, 견딜 수 있는 전압 및 전류 용량, 그리고 작동 속도가 중요한 성능 지표가 됩니다. 파워 반도체 칩의 주요 특징을 살펴보면, 첫째, **높은 내압 및 내전류 특성**을 들 수 있습니다. 이는 고전압이나 고전류 환경에서도 소자가 파괴되지 않고 안정적으로 작동할 수 있도록 설계되었음을 의미합니다. 둘째, **낮은 온-저항(On-resistance)** 또는 **낮은 순방향 전압 강하(Forward voltage drop)**입니다. 이는 스위칭 또는 전류 통과 시 발생하는 전력 손실을 최소화하여 에너지 효율을 극대화하는 데 기여합니다. 셋째, **빠른 스위칭 속도**입니다. 이는 전력 변환 과정에서 발생하는 스위칭 손실을 줄이고 전력 변환 효율을 높이는 데 매우 중요합니다. 넷째, **높은 신뢰성과 내구성**입니다. 파워 반도체는 종종 극한의 환경에서 작동해야 하므로, 높은 온도, 습도, 진동 등 다양한 외부 요인에도 견딜 수 있는 견고한 설계가 요구됩니다. 파워 반도체 칩의 종류는 매우 다양하며, 각각의 소자는 고유한 특성과 용도를 가집니다. 가장 대표적인 파워 반도체 소자는 다음과 같습니다. 첫째, **다이오드(Diode)**입니다. 전류를 한 방향으로만 흐르게 하는 기본적인 반도체 소자이지만, 파워 다이오드는 높은 순방향 전류를 견딜 수 있도록 설계되었습니다. 정류 회로, 프리휠링(Freewheeling) 회로 등에 사용되어 전력 변환 과정에서 전류 방향을 제어하는 역할을 합니다. 둘째, **사이리스터(Thyristor)** 또는 **SCR(Silicon Controlled Rectifier)**입니다. 게이트 신호를 통해 전류의 흐름을 제어할 수 있는 소자로, 일단 켜지면 게이트 신호가 없어도 계속 전류를 흘릴 수 있는 특징을 가집니다. 높은 전압 및 전류를 제어하는 데 효과적이며, 전력 조절기, 모터 제어 장치 등에 활용됩니다. 셋째, **트라이악(Triac)**입니다. 사이리스터와 유사하지만, 교류 전류의 양방향을 모두 제어할 수 있습니다. 조광기, 팬 속도 조절기 등 AC 전원 제어에 널리 사용됩니다. 넷째, **IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)**입니다. MOSFET의 장점(높은 입력 임피던스, 빠른 스위칭 속도)과 바이폴라 트랜지스터의 장점(낮은 포화 전압, 높은 전류 밀도)을 결합한 하이브리드 소자입니다. 높은 전압과 높은 전류를 효과적으로 제어할 수 있어, 인버터, 컨버터, 모터 드라이브 등 전력전자 분야에서 가장 널리 사용되는 소자 중 하나입니다. 다섯째, **MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)**입니다. 전압 제어 방식으로 작동하며, 비교적 빠른 스위칭 속도와 낮은 온-저항 특성을 가집니다. 특히 저전압 및 중전압 애플리케이션에서 효율성이 뛰어나며, SMPS(Switching Mode Power Supply), DC-DC 컨버터 등 다양한 전력 변환 장치에 사용됩니다. 최근에는 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 소재를 기반으로 한 SiC(실리콘 카바이드) MOSFET이나 GaN(질화 갈륨) MOSFET이 기존 실리콘 MOSFET의 한계를 극복하며 고효율, 고주파, 고내압 특성을 제공하여 주목받고 있습니다. 파워 반도체 칩의 용도는 그 중요성만큼이나 매우 다양합니다. 대표적인 용도는 다음과 같습니다. * **전력 변환(Power Conversion)**: AC 전압을 DC 전압으로 변환하는 정류기, DC 전압을 다른 DC 전압으로 변환하는 컨버터, DC 전압을 AC 전압으로 변환하는 인버터 등 전력의 형태를 바꾸는 모든 장치에 필수적으로 사용됩니다. 이는 스마트폰 충전기, 노트북 어댑터, 태양광 발전 시스템의 인버터, 전기 자동차의 배터리 관리 시스템 등 우리 생활과 밀접한 모든 전자기기에 적용됩니다. * **모터 제어(Motor Control)**: 전기 모터의 속도, 방향, 토크 등을 정밀하게 제어하는 데 파워 반도체가 사용됩니다. 전기 자동차의 구동 시스템, 산업용 로봇, 가전제품 등 다양한 곳에서 효율적인 모터 제어를 통해 에너지 절감 및 성능 향상을 달성합니다. * **전력 공급 장치(Power Supply Unit, PSU)**: 컴퓨터, 서버, 가전제품 등에 안정적인 전력을 공급하는 전원 장치에 핵심적으로 사용됩니다. 특히 스위칭 방식의 파워 서플라이는 높은 효율로 인해 일반적인 선형 방식보다 선호됩니다. * **신재생 에너지 시스템**: 태양광 패널에서 생산된 직류 전력을 교류 전력으로 변환하는 인버터, 풍력 발전기에서 생산된 전력을 계통 연계에 적합하게 변환하는 장치 등 신재생 에너지 시스템의 효율성과 안정성을 높이는 데 중요한 역할을 합니다. * **전기 자동차(Electric Vehicle, EV)**: 전기 자동차의 배터리에서 모터로 전력을 공급하는 인버터, 배터리 충전 시스템, 차량 내 전력 관리 시스템 등 파워 반도체는 전기 자동차의 심장부라고 할 수 있습니다. 특히 전기 자동차의 주행 거리와 충전 속도에 직접적인 영향을 미치는 고효율, 고성능 파워 반도체 기술이 중요하게 부각되고 있습니다. 파워 반도체 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, 이를 뒷받침하는 관련 기술들도 함께 진화하고 있습니다. 첫째, **차세대 소재 기술**: 기존의 실리콘(Si) 소재를 넘어, 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 소재인 실리콘 카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN)이 파워 반도체 기술의 혁신을 이끌고 있습니다. SiC는 높은 항복 전압, 낮은 온-저항, 높은 열전도율을 가지며, GaN은 SiC보다 더 높은 스위칭 속도와 효율성을 제공합니다. 이러한 소재들은 전기 자동차, 고주파 통신, 데이터센터 등 고성능, 고효율이 요구되는 분야에서 기존 실리콘 기반 파워 반도체를 대체하며 시장을 확대하고 있습니다. 둘째, **패키징 기술**: 파워 반도체는 높은 전류와 열을 다루기 때문에 소자 자체의 성능뿐만 아니라, 이를 포장하고 외부와 연결하는 패키징 기술 또한 매우 중요합니다. 열 방출 효율을 높이고, 전기적 성능 저하를 최소화하며, 소형화 및 경량화를 달성하는 첨단 패키징 기술은 파워 반도체의 성능을 극대화하는 데 기여합니다. 예를 들어, 몰딩 기술, 방열 기술, 고속 연결 기술 등이 있습니다. 셋째, **설계 및 시뮬레이션 기술**: 복잡한 전력 변환 회로에서 파워 반도체가 최적의 성능을 발휘하도록 설계하고 검증하는 데는 고도화된 설계 툴과 시뮬레이션 기술이 필수적입니다. 전력 손실 예측, 열 관리 시뮬레이션, 전자파 간섭(EMI) 분석 등 다양한 시뮬레이션을 통해 제품의 성능과 신뢰성을 사전에 확보합니다. 넷째, **제어 기술**: 파워 반도체를 효율적으로 제어하기 위한 디지털 제어 기술, 소프트 스위칭 기술 등은 파워 변환 효율을 더욱 높이고 전력 품질을 개선하는 데 중요한 역할을 합니다. 특히 인공지능(AI)을 활용한 제어 기술은 더욱 발전될 것으로 기대됩니다. 결론적으로 파워 반도체 칩은 현대 사회의 에너지 효율성 증대, 친환경 에너지로의 전환, 그리고 첨단 전자기기 발전에 있어 없어서는 안 될 핵심 기술입니다. 차세대 소재와 첨단 패키징 기술, 그리고 정교한 설계 및 제어 기술의 지속적인 발전은 앞으로 파워 반도체 산업이 더욱 성장하고 혁신을 거듭할 수 있는 원동력이 될 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 파워 반도체 칩 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1222) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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