| ■ 영문 제목 : Global SiC Epitaxy System Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2409H6940 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 9월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC 에피택시 시스템 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC 에피택시 시스템 산업 체인 동향 개요, 2인치 에피택셜 웨이퍼, 3인치 에피택셜 웨이퍼, 4인치 에피택셜 웨이퍼, 6인치 에피택셜 웨이퍼 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC 에피택시 시스템의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC 에피택시 시스템 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : n형, p형)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC 에피택시 시스템 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC 에피택시 시스템 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC 에피택시 시스템 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC 에피택시 시스템에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC 에피택시 시스템에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (2인치 에피택셜 웨이퍼, 3인치 에피택셜 웨이퍼, 4인치 에피택셜 웨이퍼, 6인치 에피택셜 웨이퍼)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC 에피택시 시스템과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC 에피택시 시스템 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC 에피택시 시스템 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC 에피택시 시스템 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– n형, p형
용도별 시장 세그먼트
– 2인치 에피택셜 웨이퍼, 3인치 에피택셜 웨이퍼, 4인치 에피택셜 웨이퍼, 6인치 에피택셜 웨이퍼
주요 대상 기업
– Veeco、Tokyo Electron、Aixtron、NuFlare Technology、ASM International、NAURA、Shenzhen Naso Tech、Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC 에피택시 시스템 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC 에피택시 시스템의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC 에피택시 시스템의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC 에피택시 시스템 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC 에피택시 시스템 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC 에피택시 시스템 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC 에피택시 시스템의 산업 체인.
– SiC 에피택시 시스템 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Veeco Tokyo Electron Aixtron ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC 에피택시 시스템 이미지 - 종류별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC 에피택시 시스템 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC 에피택시 시스템 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC 에피택시 시스템 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC 에피택시 시스템 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 남미 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC 에피택시 시스템 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC 에피택시 시스템 평균 가격 - 북미 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택시 시스템 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택시 시스템 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택시 시스템 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택시 시스템 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - SiC 에피택시 시스템 시장 성장 요인 - SiC 에피택시 시스템 시장 제약 요인 - SiC 에피택시 시스템 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC 에피택시 시스템의 제조 비용 구조 분석 - SiC 에피택시 시스템의 제조 공정 분석 - SiC 에피택시 시스템 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(SiC) 에피택시 시스템은 차세대 반도체 소재인 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼 위에 고품질의 SiC 박막을 성장시키는 데 사용되는 핵심 장비입니다. SiC는 실리콘(Si)에 비해 월등히 높은 항복 전압, 높은 열 전도율, 우수한 내열성 및 내화학성 등 뛰어난 물성을 지니고 있어 고전력, 고주파, 고온 환경에서 사용되는 파워 반도체 소자 제작에 이상적인 소재로 각광받고 있습니다. 이러한 SiC 소자의 성능은 에피택시 공정을 통해 성장되는 SiC 박막의 결정 품질, 도핑 농도, 두께 균일성 등에 의해 결정되므로, 고성능 SiC 에피택시 시스템의 개발 및 확보는 SiC 산업의 경쟁력을 좌우하는 중요한 요소입니다. SiC 에피택시 시스템은 기본적으로 SiC 기판(substrate) 위에 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방식이나 분자빔 에피택시(Molecular Beam Epitaxy, MBE) 방식 등을 이용하여 SiC 박막(epi-layer)을 성장시키는 원리로 작동합니다. 이 과정에서 사용되는 주요 가스는 실리콘 공급원(예: 실란(SiH4), 디실란(Si2H6))과 탄소 공급원(예: 프로판(C3H8), 메탄(CH4))이며, 수소(H2) 또는 헬륨(He)과 같은 운반 가스(carrier gas)를 함께 사용합니다. 반응 챔버 내에서 고온(일반적으로 1500°C 이상)으로 가열된 SiC 기판 표면에 이러한 가스들이 공급되면, 표면에서 화학 반응이 일어나 원하는 조성과 결정성을 가진 SiC 박막이 SiC 기판 위에 에피택셜(epitaxial)하게 성장하게 됩니다. 에피택셜 성장이란 성장하는 박막의 결정 구조가 기판의 결정 구조를 따라 정렬되어 연속적인 단결정 구조를 이루는 것을 의미하며, 이는 소자의 전기적 특성에 결정적인 영향을 미칩니다. SiC 에피택시 시스템의 가장 중요한 특징 중 하나는 바로 매우 높은 공정 온도입니다. 앞서 언급한 것처럼 SiC 박막을 고품질로 성장시키기 위해서는 1500°C 이상의 고온이 필수적입니다. 이러한 고온을 안정적으로 유지하고 균일하게 제어하는 것은 에피택시 시스템 설계의 핵심적인 과제입니다. 이를 위해 고온에 견딜 수 있는 특수 재질의 챔버와 가열 시스템이 요구됩니다. 또한, SiC 박막의 결정 품질을 극대화하기 위해서는 성장 분위기의 조성과 압력을 매우 정밀하게 제어해야 합니다. 미량의 불순물이나 질소와 같은 특정 원소의 혼입은 SiC 박막의 결정 결함(defect)을 증가시켜 소자의 성능을 저하시킬 수 있습니다. 따라서 고순도의 가스 공급 시스템과 정밀한 공정 제어 기술이 매우 중요합니다. SiC 에피택시 시스템은 주로 사용되는 기술 방식에 따라 몇 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 보편적으로 사용되는 것은 **수평형 반응기(Horizontal Reactor)를 이용한 CVD 방식**입니다. 이 방식은 비교적 간단한 구조로 대량 생산에 용이하며, 많은 SiC 에피택시 시스템 공급 업체에서 채택하고 있습니다. 수평형 반응기에서는 SiC 기판이 반응로 내부에 수평으로 배치되며, 가스가 흐르면서 기판 위에 박막을 성장시킵니다. 그러나 수평형 반응기의 경우, 가스 유동 패턴이나 온도 분포의 불균일성으로 인해 웨이퍼 전체에 걸쳐 완벽한 박막 두께 및 도핑 농도의 균일성을 확보하는 데 어려움이 있을 수 있습니다. 이를 극복하기 위해 개발된 것이 **회전형 반응기(Rotary Reactor)를 이용한 CVD 방식**입니다. 회전형 반응기에서는 SiC 기판이 탑재된 로터가 회전하면서 가스와의 상호작용을 더욱 균일하게 만들어 박막의 평탄도와 균일성을 향상시킬 수 있습니다. 특히, 큰 구경의 SiC 웨이퍼(6인치 또는 8인치)를 사용할수록 이러한 회전 효과가 중요해집니다. 또한, 보다 높은 결정 품질과 정밀한 제어를 위해 **수직형 반응기(Vertical Reactor)를 이용한 CVD 방식**도 사용됩니다. 수직형 반응기는 가스 흐름을 보다 효율적으로 제어하고 온도 분포를 균일하게 유지하는 데 유리할 수 있으며, 최신 SiC 에피택시 시스템에서 많이 볼 수 있습니다. 일부 고급 응용 분야에서는 **분자빔 에피택시(MBE) 방식**도 고려될 수 있습니다. MBE는 초고진공 환경에서 원자 또는 분자 단위로 재료를 증착하여 극도로 높은 결정 품질의 박막을 성장시킬 수 있지만, 공정 속도가 느리고 비용이 많이 들어 대량 생산보다는 연구 개발 단계나 특수 소자 제작에 주로 활용됩니다. SiC 에피택시 시스템의 주요 용도는 앞서 언급한 대로 고성능 SiC 파워 반도체 소자 제작입니다. SiC는 실리콘보다 약 10배 높은 항복 전압을 견딜 수 있어, 전기자동차, 고속 철도, 스마트 그리드, 신재생 에너지 시스템 등 고전압, 고전류 환경에서 전력 변환 효율을 높이고 소형화, 경량화를 가능하게 하는 데 필수적인 소재입니다. 구체적으로 SiC 에피택시 기술은 다음과 같은 소자 제작에 활용됩니다. * **SiC MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):** 기존 실리콘 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 대비 스위칭 손실을 크게 줄여 에너지 효율을 높일 수 있습니다. SiC MOSFET의 성능은 에피택시층의 두께, 도핑 농도, 결정 품질에 크게 의존합니다. * **SiC 쇼트키 다이오드 (Schottky Diode):** 회복 시간이 거의 없어 스위칭 손실을 줄이고 고주파 동작을 가능하게 합니다. SiC 쇼트키 다이오드 또한 고품질의 에피택시층이 필수적입니다. * **SiC 사이리스터 (Thyristor) 및 GTO (Gate Turn-off Thyristor):** 고전압, 고전류 애플리케이션에 적합한 소자들입니다. * **SiC RF 디바이스:** SiC의 높은 전자 이동도와 낮은 유전 손실 특성을 활용하여 고주파 통신 장비(예: 5G 기지국) 등에 사용되는 전력 증폭기 등에 적용될 수 있습니다. SiC 에피택시 시스템과 관련된 주요 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. * **고온 균일 제어 기술:** 1500°C 이상의 고온을 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일하게 유지하고 제어하는 기술은 SiC 에피택시의 핵심입니다. 흑연 램프, 유도 가열 등 다양한 가열 방식이 사용되며, 챔버 내부의 온도 분포를 시뮬레이션하고 최적화하는 설계 기술이 중요합니다. * **가스 유동 및 혼합 제어 기술:** 반응기 내에서 공급되는 다양한 가스들이 최적으로 혼합되고, 기판 표면으로 효율적으로 흘러가도록 제어하는 기술입니다. 노즐 설계, 유량 제어, 반응기 형상 설계 등이 이에 해당됩니다. * **결정 성장 메커니즘 이해 및 제어:** SiC의 특정 결정 구조(예: 4H-SiC, 6H-SiC)를 높은 품질로 성장시키기 위한 성장 조건(온도, 압력, 가스 조성, 성장 속도 등)을 최적화하는 기술입니다. 스테킹 결함(stacking fault)과 같은 결정 결함을 최소화하는 것이 중요합니다. * **도핑 제어 기술:** 원하는 전기적 특성을 얻기 위해 SiC 박막에 질소(n형 도핑) 또는 알루미늄/붕소(p형 도핑)와 같은 불순물을 정밀하게 주입하는 기술입니다. 도핑 농도뿐만 아니라 도핑 농도 분포의 균일성 또한 중요합니다. * **결정 품질 분석 및 평가 기술:** 성장된 SiC 박막의 결정 결함, 표면 거칠기, 두께 및 도핑 농도 분포 등을 측정하고 분석하는 기술입니다. X-선 회절(XRD), 라만 분광법, 원자간 힘 현미경(AFM), 전자 현미경(SEM/TEM) 등 다양한 분석 장비와 기법이 활용됩니다. * **이종 에피택시 기술:** 4H-SiC 기판 위에 6H-SiC 또는 다른 재료의 박막을 성장시키는 기술로, 특정 소자 구현을 위해 필요할 수 있습니다. SiC 에피택시 시스템은 초기에는 주로 연구용으로 사용되었으나, SiC 파워 반도체 시장의 폭발적인 성장과 함께 대량 생산을 위한 고생산성, 고효율 에피택시 시스템 개발 경쟁이 치열하게 벌어지고 있습니다. 특히, 6인치 웨이퍼 생산이 보편화되고 8인치 SiC 웨이퍼 기술이 상용화 단계에 접어들면서, 대면적 웨이퍼에서도 높은 균일성과 재현성을 확보할 수 있는 차세대 에피택시 시스템의 중요성이 더욱 커지고 있습니다. 이러한 기술 발전은 SiC 파워 반도체의 가격 경쟁력을 높여 SiC 기반 에너지 시스템의 보급을 더욱 가속화할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC 에피택시 시스템 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2409H6940) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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