| ■ 영문 제목 : Global SiC and GaN Power Semiconductor Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1212 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 109 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 SiC 및 GaN 전력 반도체의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 SiC 및 GaN 전력 반도체의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (SiC (탄화규소), GaN (질화갈륨))와 용도별 시장규모 (IT 및 통신, 항공 우주 및 방위, 에너지 및 전력, 전자, 자동차, 의료, 기타) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장분석 - 종류별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 (SiC (탄화규소), GaN (질화갈륨)) - 용도별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 (IT 및 통신, 항공 우주 및 방위, 에너지 및 전력, 전자, 자동차, 의료, 기타) 기업별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장분석 - 기업별 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매량 - 기업별 SiC 및 GaN 전력 반도체 매출액 - 기업별 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매가격 - 주요기업의 SiC 및 GaN 전력 반도체 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 판매량 2020년-2025년 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 종류별 - 미주의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 용도별 - 미국 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 캐나다 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 멕시코 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 브라질 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 종류별 - 아시아의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 용도별 - 중국 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 일본 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 한국 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 동남아시아 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 인도 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 종류별 - 유럽의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 용도별 - 독일 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 프랑스 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 영국 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 : 용도별 - 이집트 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 남아프리카 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 - 중동GCC SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 제조원가 구조 분석 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 제조 프로세스 분석 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 유통업체 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 주요 고객 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장 예측 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - SiC 및 GaN 전력 반도체의 종류별 시장예측 (SiC (탄화규소), GaN (질화갈륨)) - SiC 및 GaN 전력 반도체의 용도별 시장예측 (IT 및 통신, 항공 우주 및 방위, 에너지 및 전력, 전자, 자동차, 의료, 기타) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Fujitsu Limited, Infineon Technologies, Maxim Integrated, Microchip Technology, NXP Semiconductors, ON Semiconductor Corporation, Renesas Electronics Corporation, STMicroelectronics, Texas Instruments, Toshiba Corporation 조사의 결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “SiC and GaN Power Semiconductor Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world SiC and GaN Power Semiconductor sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected SiC and GaN Power Semiconductor sales for 2025 through 2031. With SiC and GaN Power Semiconductor sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world SiC and GaN Power Semiconductor industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global SiC and GaN Power Semiconductor landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on SiC and GaN Power Semiconductor portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global SiC and GaN Power Semiconductor market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for SiC and GaN Power Semiconductor and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global SiC and GaN Power Semiconductor.
The global SiC and GaN Power Semiconductor market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for SiC and GaN Power Semiconductor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for SiC and GaN Power Semiconductor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for SiC and GaN Power Semiconductor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key SiC and GaN Power Semiconductor players cover Fujitsu Limited, Infineon Technologies, Maxim Integrated, Microchip Technology, NXP Semiconductors, ON Semiconductor Corporation, Renesas Electronics Corporation, STMicroelectronics and Texas Instruments, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of SiC and GaN Power Semiconductor market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
SiC
GaN
Segmentation by application
IT & Telecom
Aerospace & Defense
Energy & Power
Electronics
Automotive
Healthcare
Others
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Fujitsu Limited
Infineon Technologies
Maxim Integrated
Microchip Technology
NXP Semiconductors
ON Semiconductor Corporation
Renesas Electronics Corporation
STMicroelectronics
Texas Instruments
Toshiba Corporation
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global SiC and GaN Power Semiconductor market?
What factors are driving SiC and GaN Power Semiconductor market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do SiC and GaN Power Semiconductor market opportunities vary by end market size?
How does SiC and GaN Power Semiconductor break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 ## 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 전력 반도체 현대의 전력 전자 시스템은 에너지 효율 향상과 소형화라는 두 가지 중요한 목표를 달성하기 위해 지속적으로 발전하고 있습니다. 이러한 발전의 핵심에는 기존의 실리콘(Si) 기반 반도체를 능가하는 성능을 제공하는 차세대 전력 반도체 소재의 도입이 있습니다. 그중에서도 실리콘 카바이드(SiC)와 질화 갈륨(GaN)은 탁월한 전기적, 열적 특성을 바탕으로 차세대 전력 반도체 시장을 주도하고 있습니다. 이 글에서는 SiC 및 GaN 전력 반도체의 개념, 특징, 주요 종류 및 용도, 그리고 관련 기술 동향에 대해 심층적으로 살펴보겠습니다. **1. 개념 및 기본 특징** **실리콘 카바이드(SiC):** 실리콘 카바이드(SiC)는 실리콘(Si)과 탄소(C)의 화합물 반도체입니다. 이는 자연에서도 발견되는 매우 단단한 물질로, 그 강인함 때문에 연마재나 절삭 공구에도 사용될 만큼 뛰어난 기계적 강도를 자랑합니다. 전력 반도체 소재로서 SiC가 주목받는 이유는 다음과 같은 뛰어난 전기적 및 열적 특성 때문입니다. * **높은 항복 전압:** SiC는 Si에 비해 3배 이상 높은 항복 전압을 가집니다. 이는 동일한 전압을 견디기 위해 더 얇은 절연층을 사용하거나, 더 얇은 소자를 설계할 수 있게 하여 전력 손실 감소와 소자 크기 축소에 기여합니다. * **낮은 비저항:** SiC는 고온에서도 낮은 비저항 값을 유지합니다. 이는 전류가 흐를 때 발생하는 저항 손실을 크게 줄여주어 전력 효율을 높입니다. * **높은 전자 이동도:** SiC는 Si보다 약 2~3배 높은 전자 이동도를 가집니다. 이는 스위칭 속도를 향상시켜 고주파 동작을 가능하게 하고, 결과적으로 전력 변환기의 크기를 줄이는 데 유리합니다. * **우수한 열 전도성:** SiC는 Si보다 약 3배 이상 뛰어난 열 전도성을 가집니다. 이는 소자 내에서 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있게 하여, 더 높은 동작 온도에서도 안정적으로 작동하며 방열 설계를 간소화할 수 있도록 합니다. * **높은 밴드갭 에너지:** SiC의 밴드갭 에너지는 약 3.2 eV로, Si(약 1.1 eV)보다 훨씬 높습니다. 이는 고온, 고전압, 고주파 환경에서도 안정적인 작동을 보장하는 중요한 특성입니다. **질화 갈륨(GaN):** 질화 갈륨(GaN)은 갈륨(Ga)과 질소(N)의 화합물 반도체입니다. LED, 레이저 다이오드와 같은 광학 소자에 널리 사용되어 왔지만, 최근에는 고출력 및 고주파 특성을 활용한 전력 반도체 분야에서 각광받고 있습니다. GaN 전력 반도체의 주요 특징은 다음과 같습니다. * **높은 전자 이동도 및 포화 속도:** GaN은 SiC보다도 높은 전자 이동도를 가지며, 특히 2차원 전자 가스(2DEG) 채널을 활용하는 HEMTs(High Electron Mobility Transistor) 구조에서 매우 빠른 스위칭 속도를 구현할 수 있습니다. 또한, 높은 전자 포화 속도는 고전압에서도 전류 밀도를 유지하는 데 기여합니다. * **높은 항복 전압:** GaN 역시 Si에 비해 훨씬 높은 항복 전압을 가집니다. 특히 AlGaN/GaN 구조를 기반으로 한 HEMTs는 유전체 층 없이도 높은 항복 전압을 달성할 수 있어 소자 설계를 간소화하고 손실을 줄이는 데 유리합니다. * **높은 밴드갭 에너지:** GaN의 밴드갭 에너지는 약 3.4 eV로, SiC보다도 약간 높습니다. 이는 고온에서의 안정적인 작동을 더욱 강화하는 요인이 됩니다. * **우수한 열 전도성:** GaN의 열 전도성은 Si와 유사하거나 약간 낮은 수준입니다. 이는 GaN 소자 설계 시 효율적인 방열 시스템 구축이 중요하다는 것을 시사합니다. **2. 주요 종류** **SiC 전력 반도체:** * **SiC MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):** 현재 가장 널리 사용되는 SiC 전력 스위칭 소자입니다. 기존의 Si MOSFET과 유사한 구조를 가지지만, SiC의 우수한 특성을 바탕으로 훨씬 높은 전압, 전류, 그리고 스위칭 주파수에서 작동할 수 있습니다. ON 저항이 낮아 전력 손실을 크게 줄일 수 있으며, 다양한 전력 변환 시스템에 적용됩니다. * **SiC 쇼트키 다이오드 (Schottky Diode):** SiC 기반 쇼트키 다이오드는 고속 스위칭 및 저손실 특성을 제공합니다. 특히 역 회복 전하(Qrr)가 매우 낮아, 스위칭 손실을 줄이고 회로 설계를 단순화하는 데 기여합니다. 자동차의 온보드 충전기(OBC), 태양광 인버터 등에 널리 사용됩니다. * **SiC BJT (Bipolar Junction Transistor) 및 IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor):** SiC 기술이 발전함에 따라 SiC BJTs와 IGBTs도 개발되고 있습니다. 이들은 MOSFET보다 높은 전류 밀도와 견고성을 제공할 수 있지만, 게이트 구동의 복잡성이나 스위칭 속도 측면에서 MOSFET보다 제한적일 수 있습니다. **GaN 전력 반도체:** * **GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor):** GaN 전력 반도체 시장을 주도하는 핵심 소자입니다. AlGaN/GaN 이종접합 구조를 활용하여 채널에 높은 농도의 2차원 전자 가스(2DEG)를 형성함으로써 매우 높은 전자 이동도를 구현합니다. 이는 고속 스위칭 및 고주파 동작에 최적화되어 있습니다. 다양한 전압 등급과 패키지 형태로 제공됩니다. * **GaN-on-Si (실리콘 기판 GaN):** GaN 소자를 실리콘 기판 위에 성장시키는 기술입니다. 실리콘 기판은 저렴하고 대구경 웨이퍼 제작이 용이하여 생산 단가를 낮추는 데 유리합니다. 하지만, Si와 GaN 간의 격자 불일치 및 열팽창 계수 차이로 인해 결정 결함 발생 가능성이 있어 이를 극복하기 위한 기술이 중요합니다. * **GaN-on-SiC (탄화규소 기판 GaN):** GaN 소자를 SiC 기판 위에 성장시키는 기술입니다. SiC 기판은 GaN과의 격자 정합성이 우수하고 열 전도성이 뛰어나 고품질의 GaN 소자 제작에 유리합니다. 하지만 SiC 기판의 비용이 높다는 단점이 있습니다. * **GaN MISHEMT (Metal-Insulator-Semiconductor HEMT):** HEMT 구조에서 게이트 절연막을 추가한 형태로, 게이트 누설 전류를 억제하고 높은 내압을 확보하는 데 유리할 수 있습니다. * **GaN JFET (Junction Field-Effect Transistor):** SiC HEMT에 비해 상대적으로 더 간단한 구조를 가지며, 네거티브 게이트 전압 없이도 동작이 가능하고 높은 집적도를 달성할 수 있다는 장점이 있습니다. **3. 용도** SiC 및 GaN 전력 반도체는 기존 Si 반도체로는 구현하기 어려웠던 고효율, 고성능, 소형화된 전력 전자 시스템에 폭넓게 적용되고 있습니다. **SiC 전력 반도체 주요 용도:** * **전기 자동차 (EV) 및 하이브리드 자동차 (HEV):** EV의 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 인버터 등에서 SiC MOSFET 및 쇼트키 다이오드가 사용되어 전력 효율을 높이고 부품 크기를 줄이는 데 크게 기여합니다. 특히 OBC의 경우, 고주파 동작과 높은 효율로 충전 시간을 단축하고 차량의 주행 거리를 늘리는 데 중요한 역할을 합니다. * **태양광 발전 시스템:** 태양광 인버터에서 SiC 전력 반도체는 높은 효율로 태양광 에너지를 전력망으로 변환하는 데 사용됩니다. 고온에서도 안정적인 성능을 유지하며 낮은 손실로 발전 효율을 극대화합니다. * **산업용 전원 공급 장치:** 서버, 통신 장비, 산업용 기계 등에 사용되는 고효율 전원 공급 장치에서 SiC는 에너지 소비를 줄이고 발열을 감소시켜 시스템의 신뢰성을 높입니다. * **전력 변환 장치:** 다양한 전력 변환 시스템, 예를 들어 DC-AC 컨버터, AC-DC 컨버터, DC-DC 컨버터 등에서 SiC는 고효율 및 고밀도 설계를 가능하게 합니다. * **철도 운송:** 고속 열차의 구동 시스템 및 전력 변환 장치에 SiC가 적용되어 에너지 효율을 높이고 차량의 경량화를 달성합니다. **GaN 전력 반도체 주요 용도:** * **고주파 통신 장비:** GaN은 높은 전자 이동도와 내압 특성 덕분에 기지국 증폭기, 위성 통신 장비 등 고주파 RF(Radio Frequency) 애플리케이션에서 널리 사용됩니다. * **전기 자동차 (EV) 및 하이브리드 자동차 (HEV):** GaN HEMT는 특히 EV의 고주파 충전기, DC-DC 컨버터 및 모터 드라이브에서 높은 효율과 컴팩트한 설계를 가능하게 합니다. 빠른 스위칭 속도는 전력 변환 손실을 줄이고, 이를 통해 충전 시간을 단축하고 배터리 수명을 연장하는 데 기여할 수 있습니다. * **데이터 센터 및 서버 전원 공급 장치:** 고효율 전원 공급 장치는 데이터 센터의 에너지 소비를 크게 줄일 수 있습니다. GaN은 높은 효율과 더불어 소형화가 가능하여 랙 공간을 절약하고 냉각 부담을 줄여줍니다. * **USB-C PD (Power Delivery) 충전기:** 스마트폰, 노트북 등 휴대용 전자기기용 고속 충전기에서 GaN 기술이 적용되면서 기존 실리콘 기반 충전기에 비해 훨씬 작고 효율적인 제품들이 출시되고 있습니다. * **태양광 및 에너지 저장 시스템:** 고효율 태양광 인버터 및 에너지 저장 시스템(ESS)의 전력 변환 장치에 GaN이 적용되어 에너지 효율을 극대화합니다. * **항공 우주 및 방위 산업:** 우수한 신뢰성과 고성능을 요구하는 항공 우주 및 방위 산업 분야에서도 GaN 기반 전력 반도체의 적용이 확대되고 있습니다. **4. 관련 기술 동향** SiC 및 GaN 전력 반도체 시장은 빠르게 성장하고 있으며, 관련 기술 또한 지속적으로 발전하고 있습니다. * **고전압 및 고전류 밀도 기술:** 보다 높은 전압과 전류를 처리할 수 있는 새로운 소자 구조 및 재료 개발이 활발히 이루어지고 있습니다. 예를 들어, SiC MOSFET의 경우 더 낮은 ON 저항을 달성하기 위한 채널 엔지니어링, 새로운 게이트 구조 등이 연구되고 있습니다. GaN의 경우, 더 높은 캐리어 농도와 이동도를 얻기 위한 AlGaN/GaN 구조 최적화 및 다른 금속-반도체 계면 연구가 진행 중입니다. * **저손실 및 고효율 기술:** 스위칭 손실 및 전도 손실을 더욱 줄이기 위한 노력이 계속되고 있습니다. 이는 소자 설계 최적화, 새로운 재료의 조합, 그리고 효율적인 패키징 기술 개발을 통해 이루어지고 있습니다. 예를 들어, GaN의 경우 횡형 구조뿐만 아니라 수직형 구조를 통해 전류 처리 능력을 높이고 기판의 제약을 극복하려는 시도가 있습니다. * **집적화 및 시스템 온 칩 (SoC) 기술:** 전력 변환 시스템의 성능을 높이고 크기를 더욱 줄이기 위해 게이트 드라이버, 제어 회로 등을 전력 스위칭 소자와 함께 단일 칩 또는 모듈로 집적하는 기술이 중요해지고 있습니다. 이는 시스템의 복잡성을 줄이고 효율을 향상시키는 데 기여합니다. * **고온 동작 기술 및 신뢰성 향상:** SiC 및 GaN은 고온에서 우수한 성능을 보이지만, 극한 환경에서의 장기적인 신뢰성을 확보하기 위한 연구가 필수적입니다. 소자 구조의 안정성 확보, 열 관리 기술 개선, 그리고 패키징 재료의 내열성 강화 등이 중요한 과제입니다. 특히 GaN의 경우, 소자 내부의 파괴 메커니즘을 이해하고 이를 억제하는 기술이 중요합니다. * **새로운 기판 재료 및 공정 기술:** GaN 소자의 제조 비용을 낮추고 성능을 향상시키기 위해 실리콘 카바이드, 사파이어뿐만 아니라 실리콘 기판 위에 고품질 GaN을 성장시키는 기술이 중요하게 연구되고 있습니다. 또한, 비용 효율적인 성장 및 패터닝 공정 개발이 시장 확대에 필수적입니다. * **차세대 소자 구조:** 현재 주력으로 사용되는 MOSFET 및 HEMT 외에도, 더욱 높은 성능을 제공할 수 있는 SiC 및 GaN 기반의 다이리스터, 싸이리스터 등 새로운 스위칭 소자 구조에 대한 연구도 진행되고 있습니다. 이는 더 높은 전압 및 전류 용량을 요구하는 애플리케이션에 대한 해결책을 제시할 수 있습니다. SiC와 GaN 전력 반도체는 현재뿐만 아니라 미래의 전력 전자 시스템 발전에도 핵심적인 역할을 할 것입니다. 이 두 소재는 에너지 효율, 소형화, 그리고 고성능이라는 현대 전력 시스템의 요구 사항을 충족시키며 지속 가능한 사회를 만드는 데 크게 기여할 것으로 기대됩니다. 기술 개발의 지속적인 발전과 더불어, 이러한 차세대 전력 반도체의 적용 범위는 더욱 확대될 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1212) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 SiC 및 GaN 전력 반도체 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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