세계의 멤리스터 시장 (2024년~2032년) : 종류별 (분자막 멤리스터, 이온막 멤리스터, 스핀막 멤리스터, 자기막 멤리스터), 산업별 (전자, IT 및 통신, 공업, 항공 우주 및 방위 산업, 자동차, 의료), 지역별

1 머리말
2 연구 범위 및 방법론
2.1 연구 목적
2.2 이해관계자
2.3 데이터 출처
2.3.1 1차 출처
2.3.2 보조 출처
2.4 시장 추정
2.4.1 상향식 접근 방식
2.4.2 하향식 접근 방식
2.5 예측 방법론
3 요약
4 소개
4.1 개요
4.2 주요 산업 동향
5 글로벌 멤리스터 시장
5.1 시장 개요
5.2 시장 성과
5.3 COVID-19의 영향
5.4 시장 전망
6 유형별 시장 세분화
6.1 분자 및 이온 필름 멤리스터
6.1.1 시장 동향
6.1.2 주요 세그먼트
6.1.2.1 이산화 티타늄 멤리스터
6.1.2.2 고분자 멤리스터
6.1.2.3 기타
6.1.3 시장 예측
6.2 스핀 기반 및 자기 멤리스터
6.2.1 시장 동향
6.2.2 주요 세그먼트
6.2.2.1 스핀 트로닉 멤리스터
6.2.2.2 스핀 토크 전달 (STT) MRAM
6.2.3 시장 예측
7 산업 수직별 시장 세분화
7.1 전자
7.1.1 시장 동향
7.1.2 시장 전망
7.2 IT 및 통신
7.2.1 시장 동향
7.2.2 시장 전망
7.3 산업
7.3.1 시장 동향
7.3.2 시장 전망
7.4 항공 우주 및 방위
7.4.1 시장 동향
7.4.2 시장 전망
7.5 자동차
7.5.1 시장 동향
7.5.2 시장 전망
7.6 건강 관리
7.6.1 시장 동향
7.6.2 시장 예측
8 지역별 시장 세분화
8.1 북미
8.1.1 미국
8.1.1.1 시장 동향
8.1.1.2 시장 예측
8.1.2 캐나다
8.1.2.1 시장 동향
8.1.2.2 시장 예측
8.2 아시아 태평양
8.2.1 중국
8.2.1.1 시장 동향
8.2.1.2 시장 예측
8.2.2 일본
8.2.2.1 시장 동향
8.2.2.2 시장 예측
8.2.3 인도
8.2.3.1 시장 동향
8.2.3.2 시장 예측
8.2.4 한국
8.2.4.1 시장 동향
8.2.4.2 시장 예측
8.2.5 호주
8.2.5.1 시장 동향
8.2.5.2 시장 예측
8.2.6 인도네시아
8.2.6.1 시장 동향
8.2.6.2 시장 예측
8.2.7 기타
8.2.7.1 시장 동향
8.2.7.2 시장 예측
8.3 유럽
8.3.1 독일
8.3.1.1 시장 동향
8.3.1.2 시장 예측
8.3.2 프랑스
8.3.2.1 시장 동향
8.3.2.2 시장 예측
8.3.3 영국
8.3.3.1 시장 동향
8.3.3.2 시장 예측
8.3.4 이탈리아
8.3.4.1 시장 동향
8.3.4.2 시장 예측
8.3.5 스페인
8.3.5.1 시장 동향
8.3.5.2 시장 예측
8.3.6 러시아
8.3.6.1 시장 동향
8.3.6.2 시장 예측
8.3.7 기타
8.3.7.1 시장 동향
8.3.7.2 시장 전망
8.4 라틴 아메리카
8.4.1 브라질
8.4.1.1 시장 동향
8.4.1.2 시장 예측
8.4.2 멕시코
8.4.2.1 시장 동향
8.4.2.2 시장 예측
8.4.3 기타
8.4.3.1 시장 동향
8.4.3.2 시장 예측
8.5 중동 및 아프리카
8.5.1 시장 동향
8.5.2 국가 별 시장 세분화
8.5.3 시장 예측
9 SWOT 분석
9.1 개요
9.2 강점
9.3 약점
9.4 기회
9.5 위협
10 가치 사슬 분석
11 포터의 다섯 가지 힘 분석
11.1 개요
11.2 구매자의 협상력
11.3 공급자의 협상력
11.4 경쟁의 정도
11.5 신규 진입자의 위협
11.6 대체재의 위협
12 가격 분석
13 경쟁 환경
13.1 시장 구조
13.2 주요 플레이어
13.3 주요 플레이어의 프로필
Avalanche Technology, Crossbar Inc., Everspin Technologies Inc., Fujitsu Semiconductor Memory Solution (Fujitsu Limited), Honeywell International Inc., Knowm Inc., Renesas Electronics Corporation, STMicroelectronics and Weebit Nano.