| ■ 영문 제목 : SiC Substrate Materials Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F47131 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC 기판 재료 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC 기판 재료 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC 기판 재료의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC 기판 재료 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC 기판 재료 시장은 전원 부품, RF 기기, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC 기판 재료 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC 기판 재료 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC 기판 재료 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC 기판 재료 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC 기판 재료 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 4인치 기판 소재, 6인치 기판 소재), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC 기판 재료 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC 기판 재료 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC 기판 재료 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC 기판 재료 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC 기판 재료 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC 기판 재료 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC 기판 재료에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC 기판 재료 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC 기판 재료 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 4인치 기판 소재, 6인치 기판 소재
■ 용도별 시장 세그먼트
– 전원 부품, RF 기기, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 기판 재료 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Cree, ROHM, II-VI Advanced Materials, Dow, Nippon Steel Corporation, Norstel, SICC Co., Ltd., Tankeblue Semiconductor Co.,ltd., Hebei Synlight Crystal, China Electronics Technology Group Corporation, Showa Denko (NSSMC), SK Siltron
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC 기판 재료의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC 기판 재료 시장 규모
3 장 : SiC 기판 재료 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC 기판 재료 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 기판 재료 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC 기판 재료 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Cree, ROHM, II-VI Advanced Materials, Dow, Nippon Steel Corporation, Norstel, SICC Co., Ltd., Tankeblue Semiconductor Co.,ltd., Hebei Synlight Crystal, China Electronics Technology Group Corporation, Showa Denko (NSSMC), SK Siltron Cree ROHM II-VI Advanced Materials 8. 글로벌 SiC 기판 재료 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC 기판 재료 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC 기판 재료 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC 기판 재료 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC 기판 재료 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC 기판 재료 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC 기판 재료 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC 기판 재료 판매량: 2019-2030 - SiC 기판 재료 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC 기판 재료 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 기판 재료 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 기판 재료 가격 - 글로벌 용도별 SiC 기판 재료 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 기판 재료 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 기판 재료 가격 - 지역별 SiC 기판 재료 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 기판 재료 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 기판 재료 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC 기판 재료 시장규모 - 캐나다 SiC 기판 재료 시장규모 - 멕시코 SiC 기판 재료 시장규모 - 유럽 국가별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC 기판 재료 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC 기판 재료 시장규모 - 프랑스 SiC 기판 재료 시장규모 - 영국 SiC 기판 재료 시장규모 - 이탈리아 SiC 기판 재료 시장규모 - 러시아 SiC 기판 재료 시장규모 - 아시아 지역별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC 기판 재료 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC 기판 재료 시장규모 - 일본 SiC 기판 재료 시장규모 - 한국 SiC 기판 재료 시장규모 - 동남아시아 SiC 기판 재료 시장규모 - 인도 SiC 기판 재료 시장규모 - 남미 국가별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC 기판 재료 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC 기판 재료 시장규모 - 아르헨티나 SiC 기판 재료 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 기판 재료 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 기판 재료 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC 기판 재료 시장규모 - 이스라엘 SiC 기판 재료 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC 기판 재료 시장규모 - 아랍에미리트 SiC 기판 재료 시장규모 - 글로벌 SiC 기판 재료 생산 능력 - 지역별 SiC 기판 재료 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC 기판 재료 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 실리콘 카바이드(SiC) 기판 재료의 이해 실리콘 카바이드(SiC) 기판 재료는 현대 첨단 전자 산업, 특히 고성능 반도체 소자 구현에 있어 핵심적인 역할을 수행하는 물질입니다. 본 글에서는 SiC 기판 재료의 정의, 주요 특징, 다양한 종류, 그리고 핵심적인 용도와 관련 기술들에 대해 심도 있게 다루어보고자 합니다. **1. SiC 기판 재료의 정의 및 중요성** SiC 기판 재료는 탄소(C)와 규소(Si) 원자가 격자 구조를 이루며 결합된 화합물 반도체 재료입니다. 이러한 독특한 결정 구조는 SiC에게 실리콘(Si)과 같은 기존 반도체 재료를 월등히 뛰어넘는 여러 우수한 물리적, 전기적 특성을 부여합니다. 특히, 높은 항복 전압, 높은 전자 이동도, 우수한 열전도율, 그리고 넓은 밴드갭 에너지 등은 SiC를 차세대 전력 반도체, 고주파 통신 소자, 그리고 고온 환경에서 작동하는 전자 부품의 핵심 소재로 자리매김하게 하는 중요한 요소입니다. 이러한 특성들은 기존 실리콘 기반 소자의 성능 한계를 극복하고, 더욱 작고, 효율적이며, 견고한 전자 소자 개발을 가능하게 합니다. 결과적으로 SiC 기판은 전기차, 신재생 에너지 분야의 전력 변환 효율 향상, 5G/6G 통신 시스템의 고속화, 그리고 항공우주 및 국방 분야의 극한 환경에서의 신뢰성 확보에 지대한 영향을 미치고 있습니다. **2. SiC 기판 재료의 주요 특징** SiC 기판 재료가 각광받는 이유는 그 고유한 특성에서 비롯됩니다. 첫째, **매우 높은 항복 전압(High Breakdown Voltage)**을 가집니다. 이는 SiC가 고전압에서도 전기적으로 절연 파괴되지 않고 안정적으로 작동할 수 있음을 의미합니다. 따라서 고전압 전력 변환 시스템에서 더 얇은 절연층을 사용하거나, 더 높은 전압을 견딜 수 있는 소자를 제작하는 것이 가능해집니다. 둘째, **우수한 열전도율(Excellent Thermal Conductivity)**을 자랑합니다. SiC는 실리콘에 비해 약 3~5배 높은 열전도율을 보여, 소자 작동 시 발생하는 열을 효과적으로 외부로 방출할 수 있습니다. 이는 고출력으로 작동하는 반도체 소자의 온도를 낮추어 성능 저하를 방지하고 소자 수명을 연장하는 데 결정적인 역할을 합니다. 셋째, **높은 전자 이동도(High Electron Mobility)**를 가집니다. 특히 SiC의 특정 결정 구조는 전자 이동도를 향상시켜 고속 스위칭 특성을 가진 소자 구현에 유리합니다. 넷째, **넓은 밴드갭 에너지(Wide Bandgap Energy)**는 SiC가 높은 온도에서도 안정적으로 전기적 특성을 유지할 수 있게 합니다. 이는 고온 환경에서 작동해야 하는 전자 부품의 내구성과 신뢰성을 크게 향상시킵니다. 마지막으로, **높은 결정 품질(High Crystal Quality)**을 달성할 수 있다는 점도 중요합니다. 이는 불순물이나 결함이 적은 고품질의 단결정 SiC 웨이퍼 생산을 가능하게 하며, 이는 곧 고성능 및 고신뢰성 반도체 소자 제작으로 이어집니다. **3. SiC 기판 재료의 종류** SiC는 다양한 결정 구조를 가지는 다형체(Polytypes)가 존재합니다. 이러한 다형체는 탄소와 규소 원자의 배열 순서에 따라 구분되며, 각기 다른 전기적, 물리적 특성을 나타냅니다. 주요 다형체로는 다음과 같은 것들이 있습니다. * **3C-SiC (베타 SiC)**: 가장 기본적인 구조로,立方晶(Cubic) 구조를 가집니다. 비교적 낮은 온도에서 성장할 수 있으나, 다른 다형체에 비해 전기적 특성이 다소 떨어집니다. * **4H-SiC**: 가장 널리 사용되는 다형체 중 하나로, 육방정계(Hexagonal) 구조를 가집니다. 높은 전자 이동도와 우수한 열전도율을 제공하여 고성능 전력 반도체 소자 구현에 이상적입니다. * **6H-SiC**: 역시 육방정계 구조를 가지며, 4H-SiC와 유사한 특성을 보이지만, 전자 이동도 측면에서 4H-SiC보다 다소 낮습니다. 과거에는 많이 사용되었으나 현재는 4H-SiC가 주류를 이루고 있습니다. * **15R-SiC**: 드물게 사용되는 다형체로, 육방정계 구조를 가집니다. 이 외에도 다양한 다형체가 존재하지만, 현재 상용화된 고성능 SiC 반도체 소자의 대부분은 4H-SiC 기판을 기반으로 제작되고 있습니다. 또한, SiC 기판은 일반적으로 단결정(Single Crystal) 또는 다결정(Polycrystalline) 형태로 제작될 수 있습니다. 하지만 고품질의 반도체 소자 구현을 위해서는 결정 결함이 최소화된 단결정 SiC 기판이 필수적입니다. **4. SiC 기판 재료의 주요 용도** SiC 기판 재료의 우수한 특성은 다양한 첨단 산업 분야에서 혁신을 이끌고 있습니다. * **전력 반도체 (Power Semiconductors)**: 전기 자동차(EV)의 인버터, 충전기, 전력 변환 장치, 신재생 에너지 시스템(태양광, 풍력 발전)의 전력 컨버터, 산업용 전력 장치, 데이터 센터의 전력 공급 장치 등 고효율, 고출력이 요구되는 모든 전력 전자 장치에 SiC 기반 반도체 소자가 적용되고 있습니다. SiC MOSFET, SiC 쇼트키 다이오드 등은 실리콘 소자에 비해 스위칭 손실을 크게 줄이고 동작 온도 범위를 넓혀 에너지 효율을 극대화합니다. * **고주파 및 고출력 RF 소자 (High-Frequency & High-Power RF Devices)**: SiC의 높은 전자 이동도와 내열성은 고주파 통신 시스템(5G, 6G), 레이더 시스템, 위성 통신 등에 사용되는 고출력 증폭기(HPA) 및 송수신 모듈 제작에 매우 적합합니다. 이를 통해 더 빠르고 안정적인 통신 환경을 구현할 수 있습니다. * **고온 및 극한 환경용 전자 소자 (High-Temperature & Harsh Environment Electronics)**: 항공 우주, 국방, 석유 및 가스 탐사, 자동차 엔진 제어 장치 등 극한의 온도나 방사선 환경에서 작동해야 하는 전자 장치에는 SiC 기반의 소자가 필수적입니다. SiC는 높은 온도에서도 안정적인 성능을 유지하며, 강한 방사선에도 잘 견딥니다. * **LED (Light Emitting Diode)**: SiC는 고휘도 청색 LED의 기판 재료로도 사용되었습니다. GaN(질화갈륨) 기반 LED가 등장하면서 사용 빈도는 줄었지만, SiC의 우수한 열 방출 능력은 여전히 특정 LED 응용 분야에서 강점을 가집니다. * **기타 응용**: SiC는 또한 고온 센서, 소자 보호 장치, 그리고 특수 반도체 장치 등 다양한 분야에서도 활용될 잠재력을 가지고 있습니다. **5. SiC 기판 재료 관련 주요 기술** SiC 기판 재료의 상용화 및 발전을 위해서는 여러 핵심 기술들이 뒷받침되어야 합니다. * **SiC 단결정 성장 기술 (SiC Single Crystal Growth Technology)**: 고품질의 SiC 단결정 잉곳을 성장시키는 기술은 SiC 기판 제조의 가장 근본적인 단계입니다. 현재는 주로 승화 성장법(Physical Vapor Transport, PVT) 또는 열화학적 기상 증착법(Chemical Vapor Deposition, CVD)과 같은 방법을 사용합니다. 이러한 성장 공정에서는 결정 결함(예: dislocation, stacking fault, micropipe)을 최소화하는 것이 중요하며, 이를 위해 온도, 압력, 가스 조성 등을 정밀하게 제어해야 합니다. 특히 마이크로파이프(micropipe)와 같은 치명적인 결함을 제거하는 것이 핵심 과제입니다. * **웨이퍼 제조 기술 (Wafer Manufacturing Technology)**: 성장된 SiC 잉곳을 얇은 웨이퍼 형태로 가공하는 기술입니다. 여기에는 절단(sawing), 연마(polishing), 에칭(etching) 등의 공정이 포함됩니다. SiC는 매우 단단한 물질이기 때문에 고도의 연마 기술과 정밀한 공정 제어가 필요합니다. 또한, 웨이퍼의 평탄도(flatness), 표면 거칠기(surface roughness), 그리고 굽힘(bow/warp) 등은 후속 반도체 공정의 수율에 큰 영향을 미치므로 매우 중요합니다. * **에피택셜 성장 기술 (Epitaxial Growth Technology)**: 웨이퍼 위에 고품질의 SiC 박막(epitaxial layer)을 성장시키는 기술입니다. 이 에피택셜 층은 실제 반도체 소자가 만들어지는 활성층 역할을 합니다. 기판 자체의 특성뿐만 아니라, 에피택셜 층의 도핑 농도, 두께 균일성, 그리고 결함 밀도 등은 최종 소자의 성능을 결정하는 매우 중요한 요소입니다. CVD 방식이 주로 사용되며, 고온에서 정확한 원료 가스 제어를 통해 고품질의 에피택셜 층을 성장시키는 것이 핵심 기술입니다. * **SiC 소자 공정 기술 (SiC Device Fabrication Technology)**: SiC 기판 위에 트랜지스터, 다이오드 등의 반도체 소자를 제작하는 공정입니다. SiC의 높은 경도와 열적 특성으로 인해 포토 리소그래피, 식각(etching), 이온 주입(ion implantation), 금속 증착(metallization) 등 일반적인 실리콘 공정과는 다른 특별한 공정 조건 및 장비가 요구됩니다. 예를 들어, SiC의 높은 온도에서의 고품질 산화막 형성, 효율적인 도핑 제어, 그리고 고온에서 안정적인 접합 금속 형성이 중요합니다. * **계측 및 분석 기술 (Metrology & Analysis Technology)**: SiC 웨이퍼 및 소자의 품질을 검증하고 분석하는 기술 또한 중요합니다. 결정 결함 분석을 위한 X-선 회절(XRD), 표면 품질 검사를 위한 광학 현미경 및 SEM(주사 전자 현미경), 에피택셜 층 특성 분석을 위한 PL(광발광), Raman Spectroscopy 등이 활용됩니다. 이러한 분석 기술은 공정 개선 및 불량 분석에 필수적입니다. **결론적으로,** SiC 기판 재료는 그 고유한 특성을 바탕으로 에너지 효율 증대, 고성능화, 그리고 극한 환경에서의 신뢰성 확보라는 현대 전자 산업의 핵심 요구사항을 충족시키는 데 중추적인 역할을 하고 있습니다. 고품질 SiC 단결정 성장부터 정밀한 웨이퍼 가공, 에피택셜 성장, 그리고 최적화된 소자 공정 기술에 이르기까지, SiC 기판 재료와 관련된 제반 기술의 발전은 앞으로도 더욱 가속화될 것이며, 이는 미래 사회를 이끌어갈 다양한 첨단 기술들의 발전에 크게 기여할 것으로 기대됩니다. |
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