| ■ 영문 제목 : SiC Transistor Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F47133 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC 트랜지스터 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC 트랜지스터 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC 트랜지스터의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC 트랜지스터 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC 트랜지스터 시장은 가전, 의료, 통신, 국방, 전기 차, 태양광, 풍력, 철도, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC 트랜지스터 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC 트랜지스터 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC 트랜지스터 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC 트랜지스터 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC 트랜지스터 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 650V, 900V, 1000V, 1200V, 1700V, 3300V, 기타), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC 트랜지스터 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC 트랜지스터 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC 트랜지스터 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC 트랜지스터 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC 트랜지스터 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC 트랜지스터 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC 트랜지스터에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC 트랜지스터 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC 트랜지스터 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 650V, 900V, 1000V, 1200V, 1700V, 3300V, 기타
■ 용도별 시장 세그먼트
– 가전, 의료, 통신, 국방, 전기 차, 태양광, 풍력, 철도, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 트랜지스터 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Wolfspeed, Rohm, STMicroelectronics, Infineon, IXYS (Littelfuse), ON Semiconductor, Microsemi, UnitedSiC (Qorvo), GeneSiC, Toshiba
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC 트랜지스터의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC 트랜지스터 시장 규모
3 장 : SiC 트랜지스터 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC 트랜지스터 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 트랜지스터 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
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■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC 트랜지스터 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Wolfspeed, Rohm, STMicroelectronics, Infineon, IXYS (Littelfuse), ON Semiconductor, Microsemi, UnitedSiC (Qorvo), GeneSiC, Toshiba Wolfspeed Rohm STMicroelectronics 8. 글로벌 SiC 트랜지스터 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC 트랜지스터 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC 트랜지스터 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC 트랜지스터 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC 트랜지스터 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC 트랜지스터 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC 트랜지스터 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC 트랜지스터 판매량: 2019-2030 - SiC 트랜지스터 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC 트랜지스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 트랜지스터 가격 - 글로벌 용도별 SiC 트랜지스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 트랜지스터 가격 - 지역별 SiC 트랜지스터 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC 트랜지스터 시장규모 - 캐나다 SiC 트랜지스터 시장규모 - 멕시코 SiC 트랜지스터 시장규모 - 유럽 국가별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC 트랜지스터 시장규모 - 프랑스 SiC 트랜지스터 시장규모 - 영국 SiC 트랜지스터 시장규모 - 이탈리아 SiC 트랜지스터 시장규모 - 러시아 SiC 트랜지스터 시장규모 - 아시아 지역별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC 트랜지스터 시장규모 - 일본 SiC 트랜지스터 시장규모 - 한국 SiC 트랜지스터 시장규모 - 동남아시아 SiC 트랜지스터 시장규모 - 인도 SiC 트랜지스터 시장규모 - 남미 국가별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC 트랜지스터 시장규모 - 아르헨티나 SiC 트랜지스터 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 트랜지스터 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 트랜지스터 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC 트랜지스터 시장규모 - 이스라엘 SiC 트랜지스터 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC 트랜지스터 시장규모 - 아랍에미리트 SiC 트랜지스터 시장규모 - 글로벌 SiC 트랜지스터 생산 능력 - 지역별 SiC 트랜지스터 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC 트랜지스터 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 ## 탄화규소(SiC) 트랜지스터: 차세대 전력 반도체의 핵심 탄화규소(Silicon Carbide, SiC) 트랜지스터는 기존의 실리콘(Si) 기반 트랜지스터의 한계를 극복하며 차세대 전력 반도체 시장을 이끌고 있는 핵심 부품입니다. 뛰어난 물리적, 전기적 특성을 바탕으로 고온, 고전압, 고주파 환경에서도 높은 효율과 신뢰성을 제공하여 전기자동차, 재생 에너지, 산업용 전력 변환 시스템 등 다양한 분야에서 혁신을 주도하고 있습니다. **1. 탄화규소(SiC) 트랜지스터의 기본 개념** 탄화규소 트랜지스터는 반도체 재료로 탄화규소를 사용한 전계 효과 트랜지스터(Field-Effect Transistor, FET)를 의미합니다. FET는 게이트 전압을 이용하여 소스-드레인 간 전류 흐름을 제어하는 방식으로, SiC 트랜지스터는 이러한 구조를 SiC 반도체로 구현한 것입니다. SiC는 실리콘과 비교하여 몇 가지 월등한 장점을 지니고 있습니다. * **높은 밴드갭(Bandgap):** SiC는 실리콘보다 약 3배 높은 밴드갭을 가지고 있어 더 높은 전압을 견딜 수 있으며, 절연 파괴 강도가 뛰어납니다. 이는 더 높은 전력 밀도를 가능하게 하여 소형화 및 경량화에 기여합니다. * **높은 항복 전압(Breakdown Voltage):** 높은 밴드갭과 더불어 SiC는 실리콘보다 훨씬 높은 항복 전압을 견딜 수 있습니다. 이는 고전압 애플리케이션에서 필요한 절연 거리를 줄여 소자 크기를 줄이고 효율을 높이는 데 결정적인 역할을 합니다. * **높은 열전도율(Thermal Conductivity):** SiC는 실리콘보다 약 3배 이상 높은 열전도율을 가지고 있어 발생하는 열을 효과적으로 방출할 수 있습니다. 이는 고온 환경에서의 작동 안정성을 높이고 별도의 냉각 시스템의 부담을 줄여 시스템 전체의 효율과 신뢰성을 향상시킵니다. * **높은 전자 포화 속도(Electron Saturation Velocity):** SiC는 실리콘보다 높은 전자 포화 속도를 가지고 있어 스위칭 속도가 빠릅니다. 이는 전력 변환 과정에서의 손실을 줄이고 고주파 동작을 가능하게 하여 전력 변환 효율을 극대화합니다. 이러한 SiC의 고유한 특성들은 SiC 트랜지스터가 실리콘 트랜지스터로는 구현하기 어려웠던 고성능, 고효율, 고신뢰성 애플리케이션에 적용될 수 있도록 합니다. **2. SiC 트랜지스터의 주요 종류** SiC 트랜지스터는 주로 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 구조를 채택하고 있으며, 그 안에서도 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. * **SiC MOSFET (N-채널):** 현재 가장 상용화가 많이 이루어진 형태이며, 전기자동차의 인버터, 태양광 발전 시스템의 인버터 등 다양한 전력 변환 장치에 널리 사용됩니다. 높은 항복 전압과 낮은 온 저항(On-Resistance)을 제공하여 전력 손실을 최소화합니다. N-채널 MOSFET은 일반적으로 P-채널 MOSFET보다 높은 성능을 제공하기 때문에 전력 반도체 분야에서 주로 사용됩니다. * **SiC JFET (Junction Field-Effect Transistor):** SiC JFET은 MOSFET에 비해 구조가 간단하고 고온에서 더 안정적인 특성을 보이는 것으로 알려져 있습니다. 하지만 게이트 전압 제어 범위가 좁고 일반적으로 ON 저항이 높은 편이라 MOSFET만큼 널리 사용되지는 않고 있습니다. 특정 고온 또는 고전압 애플리케이션에서 고려될 수 있습니다. * **SiC IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor):** SiC IGBT는 MOSFET의 장점과 바이폴라 트랜지스터(Bipolar Transistor)의 장점을 결합한 소자입니다. 높은 스위칭 속도와 높은 전류 밀도를 동시에 달성할 수 있다는 장점이 있지만, SiC MOSFET에 비해 아직 상용화 초기 단계에 있으며 기술적 과제가 남아있습니다. 이 외에도 SiC 트랜지스터는 소자의 구조적 설계에 따라 다양한 종류로 세분화될 수 있으며, 각 종류는 특정 애플리케이션의 요구 사항에 맞춰 최적화됩니다. **3. SiC 트랜지스터의 주요 용도** SiC 트랜지스터의 우수한 성능은 다양한 산업 분야에서 전력 변환 효율을 획기적으로 향상시키고 시스템의 성능을 업그레이드하는 데 기여합니다. * **전기자동차(EV):** 전기자동차의 핵심 부품인 인버터는 배터리의 직류(DC) 전력을 모터 구동에 필요한 교류(AC) 전력으로 변환하는 역할을 합니다. SiC MOSFET은 기존 실리콘 IGBT에 비해 스위칭 손실을 크게 줄여주고 효율을 높여줌으로써, 전기자동차의 주행 거리를 늘리고 배터리 용량을 줄이는 데 기여합니다. 또한, 높은 열전도성 덕분에 인버터의 냉각 시스템을 간소화하여 차량의 경량화에도 도움을 줍니다. * **재생 에너지 시스템 (태양광, 풍력):** 태양광 패널이나 풍력 터빈에서 생산된 전력을 계통 연계 또는 배터리 충전에 적합한 형태로 변환하는 인버터 및 컨버터에도 SiC 트랜지스터가 널리 사용됩니다. 높은 효율은 에너지 손실을 최소화하고, 고전압에서도 안정적으로 작동하여 시스템의 전체적인 성능을 향상시킵니다. 특히, 태양광 발전 시스템의 효율 증대는 재생 에너지 보급 확대에 중요한 역할을 합니다. * **산업용 전력 변환 장치:** 산업 현장에서 사용되는 다양한 전력 변환 장치, 예를 들어 용접기, 전동차의 전력 장치, 산업용 모터 드라이브 등에서도 SiC 트랜지스터가 적용되어 에너지 효율을 높이고 시스템의 신뢰성을 향상시키고 있습니다. 고온, 고습, 진동 등 열악한 환경에서도 안정적으로 작동해야 하는 산업용 장비에 SiC의 우수한 내구성은 큰 장점으로 작용합니다. * **데이터 센터 및 통신 장비:** 데이터 센터의 전력 공급 장치(PSU) 및 통신 장비의 전력 변환 회로에서도 SiC 트랜지스터의 고효율성은 에너지 소비를 줄이고 발열을 감소시켜 장비의 안정성과 수명을 연장하는 데 기여합니다. 전력 밀도가 높아짐에 따라 소형화되는 데이터 센터 장비에 SiC는 필수적인 기술로 자리 잡고 있습니다. * **항공 우주 및 방위 산업:** 경량화, 고효율, 그리고 극한 환경에서의 신뢰성이 요구되는 항공 우주 및 방위 산업에서도 SiC 트랜지스터의 적용이 확대되고 있습니다. 높은 작동 온도 범위와 우수한 방사선 내성은 이러한 특수한 환경에 매우 적합합니다. **4. SiC 트랜지스터 관련 기술 동향** SiC 트랜지스터 기술은 끊임없이 발전하고 있으며, 다음과 같은 기술들이 핵심적인 역할을 하고 있습니다. * **소자 구조 최적화:** 온 저항을 더욱 낮추고 스위칭 속도를 높이기 위한 다양한 소자 구조 연구가 진행 중입니다. 예를 들어, 초박막 게이트 산화막 기술, 채널 엔지니어링 기술, 그리고 새로운 접합 구조 기술 등이 개발되고 있습니다. * **다층 에피 성장 기술:** 고품질의 SiC 웨이퍼를 효율적으로 생산하기 위한 다층 에피 성장 기술은 SiC 소자 성능의 핵심입니다. 결함 밀도를 낮추고 균일한 결정성을 확보하는 것이 중요하며, 이를 위한 다양한 성장 공정 기술이 개발되고 있습니다. * **패키징 기술:** SiC 트랜지스터의 높은 성능을 시스템 레벨에서 최대한 활용하기 위한 패키징 기술도 매우 중요합니다. 고온, 고전류를 견딜 수 있는 저유도 패키지, 열 방출 능력이 뛰어난 패키지 설계 등이 연구되고 있으며, 특히 와이어 본딩의 대안으로 접합 기술(Bonding Technology)이 주목받고 있습니다. * **제조 공정 기술:** SiC 웨이퍼 제조, 에칭, 이온 주입, 금속 증착 등 각 공정 단계의 최적화는 SiC 소자의 수율 및 성능에 직접적인 영향을 미칩니다. 특히 SiC는 실리콘보다 가공이 어려운 재료이기 때문에, 고도로 정밀하고 안정적인 제조 공정 기술이 필수적입니다. * **시스템 레벨 설계 및 제어 기술:** SiC 트랜지스터의 장점을 극대화하기 위한 회로 설계 및 제어 알고리즘 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 예를 들어, SiC의 빠른 스위칭 속도를 효과적으로 활용하기 위한 게이트 드라이버 회로 설계, 스위칭 손실을 최소화하는 제어 기법 등이 연구되고 있습니다. * **탄화규소 (SiC) 재료 기술 발전:** 더 크고 결함이 적은 SiC 웨이퍼를 생산하는 기술은 SiC 소자의 성능과 가격 경쟁력에 직결됩니다. 최근에는 4인치, 6인치, 그리고 8인치 웨이퍼 생산 기술이 발전하고 있으며, 이는 SiC 소자의 대량 생산 및 비용 절감에 기여할 것으로 기대됩니다. 탄화규소 트랜지스터는 지속적인 연구 개발을 통해 더욱 발전할 것이며, 미래 전력 전자 산업의 패러다임을 변화시키는 핵심 기술로 자리매김할 것입니다. 에너지 효율 향상과 친환경 에너지 시스템 구축이라는 전 세계적인 목표 달성에 있어 SiC 트랜지스터의 역할은 더욱 중요해질 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC 트랜지스터 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F47133) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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