| ■ 영문 제목 : Silicon IGBT Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F47278 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
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본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, 실리콘 IGBT 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 실리콘 IGBT 시장을 대상으로 합니다. 또한 실리콘 IGBT의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 실리콘 IGBT 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. 실리콘 IGBT 시장은 산업용 드라이브, 소비자, 자동차, 재생 에너지, 견인 장치, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 실리콘 IGBT 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 실리콘 IGBT 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
실리콘 IGBT 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 실리콘 IGBT 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 실리콘 IGBT 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: 600V 이하, 600V~1200V, 1200V~1700V, 1700V~3300V, 3300V 이상), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 실리콘 IGBT 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 실리콘 IGBT 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 실리콘 IGBT 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 실리콘 IGBT 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 실리콘 IGBT 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 실리콘 IGBT 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 실리콘 IGBT에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 실리콘 IGBT 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
실리콘 IGBT 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– 600V 이하, 600V~1200V, 1200V~1700V, 1700V~3300V, 3300V 이상
■ 용도별 시장 세그먼트
– 산업용 드라이브, 소비자, 자동차, 재생 에너지, 견인 장치, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 실리콘 IGBT 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Mitsubishi, Rohm, Fuji Electric, SEMIKRON, Hitachi, ABB, IXYS Corporation, Starpower Semiconductor
[주요 챕터의 개요]
1 장 : 실리콘 IGBT의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 실리콘 IGBT 시장 규모
3 장 : 실리콘 IGBT 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 실리콘 IGBT 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 실리콘 IGBT 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 실리콘 IGBT 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics, Mitsubishi, Rohm, Fuji Electric, SEMIKRON, Hitachi, ABB, IXYS Corporation, Starpower Semiconductor Infineon ON Semiconductor STMicroelectronics 8. 글로벌 실리콘 IGBT 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. 실리콘 IGBT 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 실리콘 IGBT 세그먼트, 2023년 - 용도별 실리콘 IGBT 세그먼트, 2023년 - 글로벌 실리콘 IGBT 시장 개요, 2023년 - 글로벌 실리콘 IGBT 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 실리콘 IGBT 매출, 2019-2030 - 글로벌 실리콘 IGBT 판매량: 2019-2030 - 실리콘 IGBT 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 실리콘 IGBT 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 실리콘 IGBT 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 실리콘 IGBT 가격 - 글로벌 용도별 실리콘 IGBT 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 실리콘 IGBT 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 실리콘 IGBT 가격 - 지역별 실리콘 IGBT 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 지역별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 지역별 실리콘 IGBT 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 실리콘 IGBT 판매량 시장 점유율 - 미국 실리콘 IGBT 시장규모 - 캐나다 실리콘 IGBT 시장규모 - 멕시코 실리콘 IGBT 시장규모 - 유럽 국가별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 실리콘 IGBT 판매량 시장 점유율 - 독일 실리콘 IGBT 시장규모 - 프랑스 실리콘 IGBT 시장규모 - 영국 실리콘 IGBT 시장규모 - 이탈리아 실리콘 IGBT 시장규모 - 러시아 실리콘 IGBT 시장규모 - 아시아 지역별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 실리콘 IGBT 판매량 시장 점유율 - 중국 실리콘 IGBT 시장규모 - 일본 실리콘 IGBT 시장규모 - 한국 실리콘 IGBT 시장규모 - 동남아시아 실리콘 IGBT 시장규모 - 인도 실리콘 IGBT 시장규모 - 남미 국가별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 실리콘 IGBT 판매량 시장 점유율 - 브라질 실리콘 IGBT 시장규모 - 아르헨티나 실리콘 IGBT 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 실리콘 IGBT 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 실리콘 IGBT 판매량 시장 점유율 - 터키 실리콘 IGBT 시장규모 - 이스라엘 실리콘 IGBT 시장규모 - 사우디 아라비아 실리콘 IGBT 시장규모 - 아랍에미리트 실리콘 IGBT 시장규모 - 글로벌 실리콘 IGBT 생산 능력 - 지역별 실리콘 IGBT 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - 실리콘 IGBT 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 IGBT는 전류 스위칭을 위해 설계된 반도체 소자로, 전류와 전압 제어 능력이 뛰어나 다양한 전자 기기에서 핵심적인 역할을 수행합니다. IGBT는 Insulated Gate Bipolar Transistor의 약자로, 이름에서 알 수 있듯이 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)과 BJT(Bipolar Junction Transistor)의 장점을 결합한 독특한 구조를 가지고 있습니다. 이러한 결합을 통해 MOSFET의 높은 입력 임피던스와 빠른 스위칭 속도, 그리고 BJT의 높은 전류 전달 능력과 낮은 온저항을 동시에 구현할 수 있습니다. 실리콘 IGBT의 기본 개념은 두 가지 다른 트랜지스터 구조의 장점을 효과적으로 통합하는 데 있습니다. MOSFET 부분은 게이트에 전압을 가하여 전류 흐름을 제어하는 방식으로 작동하며, 이는 높은 입력 임피던스를 제공하여 게이트 구동 회로에 부담을 줄이고 소비 전력을 낮춥니다. 또한, MOSFET은 전계 효과를 이용하여 전하 캐리어를 제어하므로 비교적 빠른 스위칭 속도를 구현할 수 있습니다. 반면, BJT 부분은 전류 증폭 효과를 제공하여 상대적으로 적은 게이트 전류로도 큰 전류를 제어할 수 있게 합니다. 특히 BJT의 콜렉터-에미터 간에는 다층 구조를 통해 높은 전류를 효율적으로 흘릴 수 있어, 고전력 애플리케이션에 적합한 낮은 온저항 특성을 얻을 수 있습니다. 실리콘 IGBT는 이러한 독특한 구조 덕분에 여러 가지 뛰어난 특징들을 갖추고 있습니다. 첫째, 앞서 언급했듯이 MOSFET의 장점인 높은 입력 임피던스로 인해 게이트 구동 회로의 설계가 용이하며, 소비 전력 또한 절감됩니다. 둘째, BJT의 장점을 계승하여 높은 전류 밀도와 낮은 온저항을 구현할 수 있습니다. 이는 동일한 면적에서 더 많은 전류를 흘릴 수 있음을 의미하며, 결과적으로 소자의 크기를 줄이거나 더 높은 전력을 처리할 수 있게 합니다. 셋째, 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. 비록 MOSFET보다는 약간 느릴 수 있지만, GTO(Gate Turn-Off) 싸이리스터와 같은 다른 고전력 스위칭 소자에 비해서는 훨씬 빠른 스위칭 속도를 가지므로 고주파 동작이 가능한 애플리케이션에 적용될 수 있습니다. 넷째, 고내압 특성을 가집니다. 실리콘 웨이퍼의 두께와 도핑 농도를 조절함으로써 수백 볼트에서 수 킬로볼트 이상의 고전압을 견딜 수 있도록 설계될 수 있어, 고전압 전력 변환 시스템에 필수적인 부품입니다. 마지막으로, 견고한 구조와 높은 신뢰성을 제공합니다. 적절한 설계와 제조 공정을 거치면 열악한 환경에서도 안정적으로 동작하며, 과부하 조건에서도 비교적 견고하게 버틸 수 있습니다. 실리콘 IGBT는 구조적인 특징에 따라 여러 가지 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 일반적인 형태는 MPS(Morsic Power Structure) 또는 PTC(Punch-Through) 구조를 기반으로 하는 것입니다. PTC 구조는 벌크 영역의 두께가 두꺼워 높은 전압을 견딜 수 있지만, 온저항이 상대적으로 높아지는 경향이 있습니다. 반면, NPT(Non-Punch-Through) 구조는 벌크 영역이 얇아 온저항이 낮지만, 고전압을 견디기 위해서는 추가적인 설계 기법이 필요합니다. 최근에는 이러한 기본적인 구조 외에도 IGBT의 스위칭 속도를 더욱 향상시키거나 온저항을 낮추기 위한 다양한 기술들이 적용된 IGBT들이 개발되고 있습니다. 예를 들어, 역병렬 쇼트키 다이오드(Antiparallel Schottky Diode)를 내장한 IGBT는 유도성 부하를 차단할 때 발생하는 역기전력을 효율적으로 흡수하여 스위칭 손실을 줄여주는 역할을 합니다. 또한, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터의 성능을 더욱 극대화하기 위한 소수 캐리어 생명 주기 제어(Minority Carrier Lifetime Control) 기술이나 채널 구조 개선 등 다양한 연구 개발이 지속적으로 이루어지고 있습니다. 이러한 기술들은 IGBT의 스위칭 손실, 온저항, 그리고 내압 성능을 개선하여 더욱 효율적이고 강력한 전력 전자 시스템을 구현하는 데 기여합니다. 실리콘 IGBT는 그 뛰어난 성능 덕분에 매우 광범위한 분야에서 활용되고 있습니다. 전력 변환 장치(Power Conversion Systems)는 IGBT의 가장 대표적인 응용 분야입니다. 예를 들어, 전력 공급 장치(Power Supplies)에서는 AC 전원을 DC 전원으로 변환하거나, DC 전원을 다른 전압의 DC 전원으로 변환하는 과정에서 고효율의 스위칭 소자가 필수적이며, IGBT는 이러한 요구사항을 충족시킵니다. 전기 자동차(Electric Vehicles) 분야에서는 배터리의 DC 전원을 모터 구동에 필요한 AC 전원으로 변환하는 인버터(Inverter)에 IGBT가 핵심 부품으로 사용됩니다. 또한, 전기 자동차의 충전 시스템에서도 IGBT가 중요한 역할을 수행합니다. 산업용 모터 드라이브(Industrial Motor Drives)에서도 다양한 종류의 모터 속도를 효율적으로 제어하기 위해 IGBT 기반의 인버터가 널리 사용됩니다. 재생 에너지 시스템(Renewable Energy Systems)에서는 태양광 발전 시스템이나 풍력 발전 시스템에서 발생하는 직류 전력을 교류 전력으로 변환하여 계통에 연계하거나 소비하는 데 IGBT가 사용됩니다. 또한, 전력 품질 향상을 위한 능동 필터(Active Filters)나 무정전 전원 장치(UPS) 등에서도 IGBT는 핵심적인 스위칭 소자로 활용됩니다. IGBT의 성능을 더욱 향상시키고 새로운 응용 분야를 개척하기 위한 관련 기술들은 끊임없이 발전하고 있습니다. 그 중 하나가 바로 고주파 스위칭(High-Frequency Switching) 기술입니다. 스위칭 주파수를 높이면 변압기의 크기를 줄이고 회로를 소형화할 수 있지만, 스위칭 손실이 증가하는 단점이 있습니다. 따라서 IGBT 자체의 스위칭 손실을 줄이는 기술과 함께, 최적의 스위칭 패턴을 설계하는 제어 기술이 중요합니다. 또 다른 중요한 기술은 캐스케이드(Cascade) 구조나 다단 구조를 활용하는 것입니다. 여러 개의 IGBT를 직렬 또는 병렬로 연결하여 더 높은 전압이나 전류를 처리할 수 있도록 설계하는 것으로, 고전력 애플리케이션에서 필수적인 접근 방식입니다. 또한, 최적의 게이트 구동 회로 설계 기술도 중요합니다. IGBT의 빠른 스위칭 특성을 최대한 활용하기 위해서는 게이트 드라이버의 성능이 매우 중요하며, 이를 통해 스위칭 손실을 최소화하고 소자의 수명을 연장할 수 있습니다. 최근에는 SiC(Silicon Carbide) 및 GaN(Gallium Nitride)과 같은 차세대 화합물 반도체를 기반으로 하는 IGBT 및 관련 소자들도 주목받고 있습니다. 이러한 화합물 반도체는 실리콘에 비해 높은 항복 전압, 낮은 온저항, 그리고 훨씬 빠른 스위칭 속도를 제공하므로, 고효율, 고성능 전력 전자 시스템 구현에 대한 기대가 높습니다. 따라서 실리콘 IGBT 기술은 지속적으로 발전하면서도, 차세대 소재 기술과의 융합을 통해 미래 전력 전자 산업을 이끌어갈 핵심 기술로 자리매김할 것입니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 실리콘 IGBT 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F47278) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 실리콘 IGBT 시장예측 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
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