| ■ 영문 제목 : Global GaN-On-Si Epiwafer Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C6339 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업 체인 동향 개요, 광전, 전력, RF 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, GaN-On-Si 에피웨이퍼의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : 4인치, 6인치, 8인치)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 GaN-On-Si 에피웨이퍼에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 GaN-On-Si 에피웨이퍼에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (광전, 전력, RF)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: GaN-On-Si 에피웨이퍼과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– 4인치, 6인치, 8인치
용도별 시장 세그먼트
– 광전, 전력, RF
주요 대상 기업
– NTT AT, Wolfspeed, SCIOCS (Sumitomo), EpiGaN (Soitec), DOWA Electronics Materials, IQE, Enkris Semiconductor Inc, CorEnergy, GLC, Genettice, Suzhou Nanowin, Episil-Precision Inc, Xinguan Technology, Shanxi Yuteng
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– GaN-On-Si 에피웨이퍼 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– GaN-On-Si 에피웨이퍼 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– GaN-On-Si 에피웨이퍼 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, GaN-On-Si 에피웨이퍼의 산업 체인.
– GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 NTT AT Wolfspeed SCIOCS (Sumitomo) ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- GaN-On-Si 에피웨이퍼 이미지 - 종류별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 (2019-2030) - 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 GaN-On-Si 에피웨이퍼 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 GaN-On-Si 에피웨이퍼 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 지역별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 - 세계의 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 평균 가격 - 세계의 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 GaN-On-Si 에피웨이퍼 평균 가격 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 영국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 러시아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 GaN-On-Si 에피웨이퍼 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 일본 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 한국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 인도 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 호주 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 GaN-On-Si 에피웨이퍼 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 GaN-On-Si 에피웨이퍼 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 이집트 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 GaN-On-Si 에피웨이퍼 소비 금액 및 성장률 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 성장 요인 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 제약 요인 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 제조 비용 구조 분석 - GaN-On-Si 에피웨이퍼의 제조 공정 분석 - GaN-On-Si 에피웨이퍼 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 질화갈륨-실리콘 에피웨이퍼(GaN-On-Si Epiwafer)는 고성능 전자 및 광전자 소자 제작에 핵심적인 재료로, 기존 실리콘(Si) 기판 위에 질화갈륨(GaN) 박막을 성장시킨 형태를 의미합니다. GaN은 넓은 밴드갭, 높은 전자 이동도, 우수한 열전도도 등 탁월한 물리적, 전기적 특성을 지니고 있어 차세대 고주파, 고전력, 고효율 소자 구현에 필수적인 소재입니다. 이러한 GaN의 장점을 실리콘이라는 저렴하고 대량 생산이 용이한 기판 위에서 구현함으로써, 기존의 고가 사파이어나 탄화규소(SiC) 기판을 사용하는 방식에 비해 비용 효율성을 크게 향상시킬 수 있다는 점에서 큰 주목을 받고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼의 구현 과정은 단순히 GaN을 실리콘 위에 증착하는 것이 아니라, 두 물질 간의 근본적인 격자 불일치와 열팽창 계수 차이를 극복하기 위한 복잡하고 정교한 기술을 필요로 합니다. 실리콘은 원자 배열 간격이 GaN과 다르며, 온도 변화에 따른 팽창률 역시 차이가 큽니다. 이러한 불일치는 성장된 GaN 박막에 높은 응력과 격자 결함(dislocation)을 유발하여 소자의 성능 저하 및 신뢰성 문제를 야기할 수 있습니다. 따라서 이를 해결하기 위해 다양한 완충층(buffer layer) 기술이 개발되고 적용됩니다. 일반적으로 GaN-On-Si 에피웨이퍼 제작에는 금속유기화학증착법(Metalorganic Chemical Vapor Deposition, MOCVD) 또는 분자빔에피탁시법(Molecular Beam Epitaxy, MBE)과 같은 에피탁시 성장 방식이 사용됩니다. 이 과정에서 GaN 단결정 박막을 고품질로 성장시키기 위해 여러 종류의 완충층이 순차적으로 증착됩니다. 예를 들어, 알루미늄질화물(AlN)이나 질화알루미늄갈륨(AlGaN)과 같은 물질로 구성된 완충층은 GaN과 실리콘 사이의 격자 불일치를 점진적으로 완화시키고, 성장 온도를 조절함으로써 응력 및 결함 밀도를 낮추는 역할을 합니다. 또한, 이러한 완충층은 GaN 박막과 실리콘 기판 간의 열팽창 계수 차이로 인해 발생하는 응력을 효과적으로 흡수하여 박막의 박리나 균열을 방지합니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 성장 방식 및 완충층 구조에 따라 다양한 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 기본적인 구조는 실리콘 기판 위에 직접 GaN을 성장시키는 것이지만, 앞서 언급한 기술적 난이도 때문에 실제로는 다양한 완충층을 포함하는 구조가 일반적입니다. 예를 들어, 다층의 알루미늄 질화물(AlN) 또는 알루미늄 갈륨 질화물(AlGaN) 완충층을 활용하는 기술이 보편적으로 사용됩니다. 이러한 완충층의 두께, 조성, 성장 온도 등을 정밀하게 제어함으로써 성장되는 GaN 박막의 품질을 향상시킬 수 있습니다. 최근에는 더 높은 성능과 신뢰성을 확보하기 위해, GaN 나노구조를 이용하거나 초박막 GaN 성장 기술, 그리고 특수한 도핑 프로파일을 갖는 에피층 성장 기술 등이 연구 및 개발되고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼의 가장 중요한 특징은 실리콘 기판을 사용함으로써 얻는 경제성과 대면적화 가능성입니다. 기존의 사파이어 기판은 저렴하지만 낮은 열전도도와 부도체 특성으로 인해 고전력 소자 응용에 제약이 있으며, SiC 기판은 우수한 특성을 제공하지만 매우 고가이고 결정 성장이 어렵다는 단점이 있습니다. 반면, 실리콘은 수십 년간 축적된 공정 기술과 대구경 웨이퍼 생산 능력을 바탕으로 매우 저렴한 비용으로 대량 생산이 가능합니다. 따라서 GaN-On-Si 에피웨이퍼는 고성능 GaN 소자 가격을 낮추고, 더 넓은 면적의 웨이퍼를 활용하여 단위 면적당 생산성을 높이는 데 크게 기여할 수 있습니다. 또한, 실리콘은 우수한 열전도도를 가지고 있어 GaN 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하는 데 유리하며, 이는 고출력 동작 시 소자의 안정성과 수명을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼는 그 우수한 특성을 바탕으로 다양한 분야에서 활용됩니다. 특히, 고주파 통신 분야에서는 5G, 6G 이동통신 기지국 및 단말기에 사용되는 전력 증폭기(Power Amplifier, PA)에 핵심적으로 사용됩니다. GaN 기반 전력 증폭기는 기존 실리콘 또는 GaAs(비화갈륨) 기반 소자 대비 훨씬 높은 주파수 대역에서 더 높은 출력 전력과 효율을 제공할 수 있습니다. 또한, 자동차 산업에서는 전기차 및 자율주행 시스템에 사용되는 전력 변환 장치(Power Converter)의 효율을 높여 주행 거리를 늘리고 에너지 소비를 줄이는 데 기여합니다. 산업용 전력 공급 장치, 위성 통신, 레이더 시스템, 그리고 LED 조명과 같은 광전자 분야에서도 GaN-On-Si 에피웨이퍼의 적용이 확대되고 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술과 관련된 주요 관련 기술로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **완충층(Buffer Layer) 기술**은 앞서 설명한 바와 같이 GaN 박막의 품질을 결정짓는 가장 중요한 요소입니다. AlN, AlGaN, 혹은 다양한 조성의 AlGaN/GaN 다층 구조를 최적화하여 격자 불일치와 응력 문제를 해결하는 연구가 활발히 진행되고 있습니다. 둘째, **표면 처리 및 세정 기술**은 실리콘 기판의 표면 상태가 에피탁시 성장에 미치는 영향을 최소화하기 위해 매우 중요합니다. 고품질의 초기 핵 생성을 유도하고 결함 발생을 억제하기 위한 다양한 표면 활성화 및 세정 공정이 요구됩니다. 셋째, **공정 제어 및 모니터링 기술**입니다. MOCVD 공정에서 가스 유량, 온도, 압력 등 다양한 공정 변수를 정밀하게 제어하고 실시간으로 모니터링하는 기술은 균일하고 고품질의 에피 박막을 얻는 데 필수적입니다. 넷째, **계측 및 분석 기술**입니다. 성장된 에피 박막의 결정학적 구조, 격자 결함 밀도, 조성, 표면 거칠기 등을 정확하게 평가하는 X-선 회절(XRD), 투과전자현미경(TEM), 원자간력현미경(AFM)과 같은 분석 기술 또한 매우 중요합니다. 마지막으로, **후처리 공정 기술**입니다. 에피웨이퍼 위에 실제로 소자를 제작하기 위한 포토리소그래피, 식각, 금속 증착 등 다양한 반도체 공정 기술이 GaN-On-Si 웨이퍼에 최적화되어야 합니다. 특히 GaN은 매우 단단하고 화학적으로 안정적이어서 기존 실리콘 공정과는 다른 접근 방식이 필요할 수 있습니다. GaN-On-Si 에피웨이퍼 기술은 지속적으로 발전하고 있으며, 앞으로도 고성능 전자 및 광전자 소자 시장에서 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. 실리콘 기반이라는 경제성과 대량 생산 이점을 바탕으로, GaN 기술의 대중화를 앞당기고 다양한 응용 분야에서의 혁신을 이끌어낼 잠재력을 가지고 있습니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 GaN-On-Si 에피웨이퍼 시장 2024 : 기업, 종류, 용도, 시장예측] (코드 : GIR2406C6339) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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