세계의 게이트 드라이버 IC 시장 (2024년~2032년) : 트랜지스터 종류별 (MOSFET, IGBT), 반도체 재료별 (Si, SiC, GaN), 실장 형태별 (온칩, 디스크리트), 절연 기술별 (자기 절연, 용량 절연, 광학 절연), 용도별 (가정, 산업, 상업), 지역별

■ 영문 제목 : Gate Driver IC Market Report by Transistor Type (MOSFET, IGBT), Semiconductor Material (Si, SiC, GaN), Mode of Attachment (On-Chip, Discrete), Isolation Technique (Magnetic Isolation, Capacitive Isolation, Optical Isolation), Application (Residential, Industrial, Commercial), and Region 2024-2032
	■ 상품코드 : IMARC24AUG0281 ■ 조사/발행회사 : IMARC ■ 발행일 : 2024년 7월 ■ 페이지수 : 145 ■ 작성언어 : 영문 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2영업일) ■ 조사대상 지역 : 세계 ■ 산업 분야 : 전자 및 반도체

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■ 보고서 개요

2023년 글로벌 게이트 드라이버 IC 시장 규모는 15억 달러에 달했습니다. 앞으로 IMARC 그룹은 2024~2032년 동안 5.2%의 성장률(CAGR)을 보이며 2032년에는 시장이 24억 달러에 이를 것으로 예상하고 있습니다. 이 시장은 특히 신흥 경제국의 급속한 도시화 및 인프라 개발, 세계의적으로 지속 가능한 관행에 대한 관심 증가, 제조 공정의 지속적인 기술 발전으로 인해 꾸준한 성장을 경험하고 있습니다.
게이트 드라이버 IC 시장 분석:
주요 시장 동인: 전기 자동차(EV)의 채택은 전력을 효율적으로 관리하고 전달하는 데 필수적인 게이트 드라이버 IC에 대한 수요를 증가시킵니다. 또한 재생 에너지 시스템, 특히 태양광 및 풍력 시스템에 대한 지출이 증가함에 따라 에너지 변환 및 출력을 향상시키기 위한 스마트 게이트 드라이버 IC에 대한 수요가 증가하고 있습니다.
주요 시장 동향: 주요 게이트 드라이버 IC 시장 트렌드 중 하나는 고성능 및 소형 시스템 크기를 구현하기 위해 소형 크기와 통합 수단을 지원하는 게이트 드라이버 IC에 대한 수요 증가입니다. 또한 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 기술은 더 높은 효율과 열 성능을 제공할 수 있습니다. 이러한 특성은 고성능 전력 애플리케이션에 이상적입니다.
지리적 트렌드: 아시아 태평양 지역은 대규모 전자 제품 제조 기반과 중국 및 일본과 같은 국가의 전기차 판매 증가로 인해 가장 큰 시장이며, 중요한 게이트 드라이버 IC 시장입니다. 북미와 유럽 시장 역시 신재생 및 첨단 자동차 기술의 주요 초점 지역입니다.
경쟁 환경: 게이트 드라이버 IC 시장 분석에 따르면, 인피니언 테크놀로지스, 텍사스 인스트루먼트, 온세미컨덕터가 시장 지위를 유지하기 위해 노력하는 주요 혁신 기업들과 함께 경쟁이 치열한 시장입니다. 제품 포트폴리오와 시장에서의 입지를 강화하기 위해 기업들은 인수합병 및 전략적 파트너십과 같은 전략을 사용합니다.
도전과 기회: 실리콘 카바이드(SiC) 및 질화 갈륨(GaN) 첨단 게이트 드라이버 IC 개발과 관련된 상당한 복잡성과 가격 연동성은 중요한 성장 요인입니다. 그러나 이는 또한 다양한 애플리케이션에서 고효율 전원 공급 장치의 채택이 증가함에 따라 이를 비용 효율적으로 대체할 수 있는 공급업체에게 기회를 제공합니다.

게이트 드라이버 IC 시장 동향:
전기 자동차(EV) 채택 증가

전기 자동차(EV)에 대한 수요 증가도 글로벌 게이트 드라이버 IC 시장 성장의 주요 시장 동인입니다. 세계의적으로 다양한 EV 실증 사업이 계속 시행되고 있으며 청정 에너지 보급이 글로벌 표준으로 자리 잡으면서 EV 판매량이 증가하고 있습니다. 또한 전기 자동차(EV) 파워트레인에 게이트 드라이버 IC를 사용하면 전기 모터와 인버터의 성능을 개선하여 전력 관리 및 효율성에 큰 영향을 미칩니다. 시장 조사 보고서에 따르면 2023년 세계의 전기 자동차 시장 규모는 2,560만 대에 달할 것으로 예상됩니다. IMARC 그룹은 2024~2032년 동안 34%의 성장률(CAGR)을 보이며 2032년에는 3억 8,130만 대에 달할 것으로 예상하고 있습니다. 따라서 이는 게이트 드라이버 IC 시장 매출을 크게 뒷받침하고 있습니다. 또한 반도체 분야의 기술 혁신으로 고성능 게이트 드라이버 IC의 소형화 및 효율성이 향상되어 EV 부문에서의 구현이 증가하고 있습니다. 또한 자율 주행 및 커넥티드 차량으로의 전환은 첨단 전력 관리 솔루션도 필요로 합니다. 따라서 이는 시장을 크게 뒷받침하고 있습니다.

재생 에너지 시스템에 대한 수요 증가

세계의적으로 태양광 및 풍력과 같은 재생 에너지원에 대한 선호도가 높아지면서 게이트 드라이버 IC에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 여기에는 재생 에너지 시스템에 사용되는 전력 인버터와 컨버터가 포함됩니다. 이 제품은 태양광 패널과 풍력 터빈에서 생산된 DC 전력을 그리드 호환 AC 전력으로 비용 효율적이고 안정적으로 변환합니다. 기후 변화에 대응하고 화석 연료에 대한 의존도를 낮추기 위해 정부와 글로벌 조직이 재생 에너지 인프라에 더 많은 투자를 하면서 전력 관리 솔루션에 대한 필요성이 더욱 커지고 있습니다. 이에 따라 게이트 드라이버 IC는 정밀한 전력 전자 장치 제어, 에너지 효율성 증대, 시스템 안정성 향상으로 재생 에너지 시스템 성능 및 효율 개선과 같은 애플리케이션을 구현하는 데 중요한 역할을 합니다. 따라서 게이트 드라이버 IC 수요를 촉진하고 있습니다. 또한 스마트 그리드 기술 및 재생 에너지원을 활용한 에너지 저장 시스템의 보급으로 인한 첨단 전력 전자기기에 대한 필요성이 가속화되면서 시장이 성장하고 있습니다.

산업 자동화의 발전

산업 자동화가 확산되고 스마트 제조 방식이 점점 더 많이 채택되고 있으며, 이는 게이트 드라이버 IC 시장 성장을 이끄는 주요 요인입니다. 게이트 드라이버 IC는 최신 산업 애플리케이션에서 모터 드라이브, 로봇 공학 및 자동 기계의 전력 전자 장치를 제어하는 데 매우 중요합니다. 이러한 IC를 사용하면 전력 관리를 간소화하고 시스템 작동 성능을 개선하며 자동화 시스템의 신뢰성을 높일 수 있습니다. 이와 함께 제조 공정의 정밀성, 효율성, 유연성에 대한 요구가 높아지면서 게이트 드라이버 IC의 채택이 증가하고 있습니다. 또한 인더스트리 4.0(산업/생산 운영에 디지털 기술 통합 추진)에 대한 시장의 관심이 높아지면서 정교한 전력 전자 솔루션에 대한 수요도 증가하고 있습니다. 게이트 드라이버 IC는 예측 유지 보수, 실시간 모니터링, 에너지 절감을 위해 상호 연결된 스마트 산업용 디바이스의 작동을 용이하게 합니다. 또한 반도체 기술의 지속적인 발전으로 고성능 게이트 드라이버가 도입되면서 게이트 드라이버 IC 시장 전망도 긍정적으로 바뀌고 있습니다.

게이트 드라이버 IC 시장 세분화:
IMARC 그룹은 2024-2032년 글로벌, 지역 및 국가 수준의 예측과 함께 글로벌 게이트 드라이버 IC 시장 보고서의 각 부문의 주요 동향에 대한 분석을 제공합니다. 이 보고서는 트랜지스터 유형, 반도체 재료, 부착 방식, 절연 기술 및 애플리케이션을 기준으로 시장을 분류했습니다.

트랜지스터 유형별 분류:

MOSFET
IGBT

시장을 지배하는 MOSFET

이 보고서는 트랜지스터 유형에 따라 시장을 자세히 분류하고 분석했습니다. 여기에는 MOSFET과 IGBT가 포함됩니다. 보고서에 따르면 가장 큰 비중을 차지한 것은 MOSFET이었습니다.

MOSFET(금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터)은 회로에 적용되는 광범위한 분야와 고성능 특성으로 인해 선도적인 트랜지스터 유형입니다. 높은 효율, 빠른 스위칭 특성, 다양한 전자 회로로의 통합 용이성으로 인해 이 트랜지스터는 소비자 가전 및 산업용 전력 관리 애플리케이션 분야에서 없어서는 안 될 중요한 역할을 합니다. 게이트 드라이버 IC 시장 전망에 따르면, 소형화 및 저에너지 솔루션에 대한 필요성이 증가함에 따라 특히 전기 자동차 및 에너지 수확 애플리케이션과 IoT에서 이상적인 애플리케이션을 찾는 원격 제어 장치에서 MOSFET의 채택이 증가하고 있습니다. 또한 열 처리 능력 향상과 온 상태 저항 감소 등 MOSFET 기술의 개선으로 내구성과 효율성이 향상되어 트랜지스터 시장에서 리더십을 공고히 하고 있습니다.

반도체 소재별 분류:

Si
SiC
GaN

가장 큰 시장 점유율을 차지하고 있는 Si

반도체 소재에 따른 시장 세분화 및 분석도 보고서에 자세히 나와 있습니다. 여기에는 Si, SiC, GaN이 포함됩니다. 보고서에 따르면 Si가 가장 큰 시장 점유율을 차지했습니다.

실리콘(Si)은 풍부한 실리콘, 저렴한 비용, 잘 정립된 제조 공정으로 인해 시장에서 가장 큰 반도체 소재 부문입니다. 게이트 드라이버 IC 시장 보고서에 따르면 실리콘을 중요하게 만드는 특성은 높은 전자 이동도와 안정성을 포함한 우수한 전기적 특성으로, 마이크로프로세서부터 메모리 칩, 전력 전자 장치에 이르기까지 수많은 반도체 장치에 필수적인 소재입니다. 이러한 다용도성과 신뢰성 덕분에 소비자 가전부터 자동차 및 산업용 애플리케이션에 이르기까지 다양한 분야의 현대 기술 발전에서 고성능 소재의 다각화 분야에서 입지를 구축하는 데 도움이 되었습니다. 또한 실리콘 반도체 제조에 대한 방대한 인프라는 실리콘 카바이드(SiC), 질화갈륨(GaN) 등 특수 애플리케이션을 위한 대체 소재가 등장했음에도 불구하고 실리콘의 입지를 유지한 또 다른 요인으로 작용했습니다.

부착 모드별 분류:

온칩
디스크리트

시장에서 가장 큰 점유율을 차지하는 디스크리트

이 보고서에서는 부착 방식에 따라 시장을 자세히 분류하고 분석했습니다. 여기에는 온칩과 디스크리트가 포함됩니다. 보고서에 따르면 디스크리트가 가장 큰 시장 점유율을 차지했습니다.

게이트 드라이버 IC 시장 개요에 따르면 디스크리트 디바이스는 주요 기능을 수행하고 전자 회로 설계에 필요한 유연성을 구현하기 때문에 반도체 시장에서 지배적인 부문입니다. 개별적으로 패키지된 캐니스터에는 트랜지스터, 다이오드 및 저항기가 포함되어 있어 설계자가 회로 성능의 특정 파라미터를 맞춤화하고 미세 조정할 수 있습니다. 디스크리트 어태치먼트는 부품을 배치할 위치와 성능을 미세하게 제어할 수 있는 방법이기 때문에 자동차, 산업 및 소비자 애플리케이션과 같은 고신뢰성 및 고전력 애플리케이션에 매우 중요합니다. 또한 디스크리트 부품에 대한 지속적인 수요는 이러한 부품의 교체 및 수리 과정이 간단하고 다양한 회로 기판 설계와의 호환성에서 비롯됩니다. 이러한 유연성과 적응성 덕분에 디스크리트 부품은 현대 전자 제품의 다양하고 이질적인 요구 사항을 충족하면서 게이트 드라이버 IC 산업을 계속 선도할 수 있습니다.

절연 기술별 분류:

자기 절연
정전 용량 절연
광학 절연

시장을 지배하는 광학 절연

이 보고서에서는 절연 기술에 따른 시장의 상세한 분류 및 분석도 제공되었습니다. 여기에는 자기 절연, 정전 용량 절연, 광학 절연이 포함됩니다. 보고서에 따르면 광 격리가 가장 큰 시장 점유율을 차지했습니다.

광 절연은 회로의 다른 부분 간에 전기 절연 및 신호 전송을 제공할 수 있는 게이트 드라이버 IC 시장의 최근 개발 기술 중 하나로, 가장 큰 시장 점유율을 차지하는 시장 부문입니다. 빛을 사용하여 절연 장벽을 통해 정보를 전송하면 고전압 측이 시스템의 제어 측에 직접적인 영향을 미치지 않아 민감한 전자 장치와 사용자를 모두 보호할 수 있습니다. 또한 기존 애플리케이션에는 산업 자동화, 전원 공급 장치 및 통신 시스템에 사용되는 광 아이솔레이터가 포함되며, 이러한 장치는 고온에서 작동할 수 있고 노이즈에 대한 민감도가 낮다는 점에서 높은 평가를 받고 있습니다. 또한 보안 기능이 증가하고 신호 선명도가 향상된 정교한 전자 시스템에 대한 수요가 증가하면서 광 절연에 대한 수요에 영향을 미치고 시장 지배력을 재확인하고 있습니다. 또한 광전자 부품 및 장치의 기술 향상으로 광절연기의 성능과 효율성이 지속적으로 향상되어 게이트 드라이버 IC 시장의 최근 기회로 작용하고 있습니다.

용도별 분류:

주택용
산업용
상업용

이 보고서에는 애플리케이션에 따른 시장의 상세한 분류 및 분석도 제공되었습니다. 여기에는 주택용, 산업용, 상업용이 포함됩니다.

지역별 분석

북미
미국
캐나다
아시아 태평양
중국
일본
인도
대한민국
호주
인도네시아
기타
유럽
독일
프랑스
영국
이탈리아
스페인
러시아
기타
라틴 아메리카
브라질
멕시코
기타
중동 및 아프리카

아시아 태평양 지역은 가장 큰 게이트 드라이버 IC 시장 점유율을 차지하며 뚜렷한 우위를 보이고 있습니다.

이 보고서는 또한 북미(미국 및 캐나다), 유럽(독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 스페인, 러시아 등), 아시아 태평양(중국, 일본, 인도, 한국, 호주, 인도네시아 등), 라틴 아메리카(브라질, 멕시코 등), 중동 및 아프리카를 포함한 모든 주요 지역 시장에 대한 종합적인 분석을 제공했습니다. 보고서에 따르면 아시아 태평양 지역이 가장 큰 시장으로 나타났습니다.

아시아 태평양 지역은 운영 효율성과 공급망, 기술에 대한 막대한 투자로 인한 성장 전망으로 인해 시장 규모를 주도하고 있습니다. 전체 시스템은 가전, 자동차, 산업 및 전자 제품을 포함한 모든 종류의 전자 제품 생산 허브입니다. 또한 이 지역의 시장 지배력은 풍부한 반도체 제조 공장과 파운드리, 정부의 강력한 지원과 유익한 정책으로 더욱 강화되고 있습니다. 이 외에도 이 지역은 5G, 인공 지능 및 전기 자동차와 같은 정교한 기술을 빠른 속도로 채택하고 있으며 이러한 유형의 고급 반도체 부품을 채택하고 있습니다. 또한, 게이트 드라이버 IC 시장 점유율이 가장 큰 아시아 태평양 지역은 세계의적으로 성장하는 반도체 제조 기술 생태계를 수용하기 위해 번거로운 R&D에 지속적으로 투자하여 그 위치를 유지하고 있습니다.

경쟁 환경:
시장 조사 보고서는 또한 시장의 경쟁 환경에 대한 포괄적인 분석을 제공했습니다. 모든 주요 기업의 상세한 프로필도 제공되었습니다. 게이트 드라이버 IC 산업의 주요 시장 플레이어는 다음과 같습니다:

Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. (Hitachi Ltd.)
Infineon Technologies AG
Microchip Technology Inc.
Mouser Electronics (TTI Inc., Berkshire Hathaway Inc.)
NXP Semiconductors N.V.
Onsemi
Renesas Electronics Corporation
Rohm Semiconductor
Semtech Corporation
STMicroelectronics
Texas Instruments Incorporated
Toshiba Corporation

(이는 주요 업체의 일부 목록일 뿐이며 전체 목록은 보고서에서 확인할 수 있습니다.)

주요 기업들은 역량을 확장하고 경쟁 우위를 유지하기 위해 R&D에 투자하고 있습니다. 또한 게이트 드라이버 IC 업체들의 관심은 고전력 애플리케이션에서 최고의 성능과 에너지 절감을 위해 반도체 소재(SiC, GaN)와 관련된 혁신에 있습니다. 이와 함께 시장 점유율을 높이고 기술을 공동 개발하기 위해 전략적 파트너십과 협업을 지속적으로 모색하고 있습니다. 또한 제조 역량 증대를 위한 투자를 가속화하고 EUV 리소그래피와 같은 첨단 방법론의 개발 및 채택을 통해 더 작고 성능이 뛰어난 칩을 생산할 수 있게 되었습니다. 이러한 조치는 5G, 인공 지능 및 전기 자동차를 비롯한 최신 기술로 인해 증가하는 칩 수요에 대응하기 위한 것입니다.

게이트 드라이버 IC 시장 뉴스:
2024년 06월 06일: 인피니언 테크놀로지스, 원터치 인증과 안전한 IoT 디바이스 설계를 지원하는 고성능 NFC I2C 브리지 태그인 OPTIGA™ Authenticate NBT 출시 이 제품은 활동을 서명하고 검증하는 시장에서 유일한 비대칭 암호화 태그이며, NFC 플랫폼 검증 4 태그에 의해 유형화된다고 회사 측은 설명했습니다.
2024년 4월 19일: 히타치 파워 세미컨덕터 디바이스 주식회사와 사가르 세미컨덕터스 주식회사가 고전압 다이오드 관련 신제품 개발 및 기술 이전은 물론 IGBT, SiC 등 고전력 디바이스 마케팅에 협력하는 양해각서를 체결했습니다. 이번 협력은 인도의 반도체 생태계를 더욱 강화하고 ‘메이크 인 인디아’ 이니셔티브를 지원하기 위한 노력의 일환입니다.

이 보고서의 주요 질문에 대한 답변
글로벌 게이트 드라이버 IC 시장의 지금까지 성과는 어땠으며 향후 몇 년간은 어떻게 될까요?
글로벌 게이트 드라이버 IC 시장의 동인, 제약 요인 및 기회는 무엇인가요?
각 동인, 제약, 기회가 글로벌 게이트 드라이버 IC 시장에 미치는 영향은 무엇인가요?
주요 지역 시장은 무엇인가요?
가장 매력적인 게이트 드라이버 IC 시장을 대표하는 국가는 어디인가요?
트랜지스터 유형에 따라 시장을 세분화하면 어떻게 되나요?
게이트 드라이버 IC 시장에서 가장 매력적인 트랜지스터 유형은 무엇인가요?
반도체 소재에 따른 시장 세분화는 어떻게 되나요?
게이트 드라이버 IC 시장에서 가장 매력적인 반도체 소재는 무엇인가요?
부착 방식에 따른 시장의 세분화는 무엇인가요?
게이트 드라이버 IC 시장에서 가장 매력적인 부착 방식은 무엇인가요?
절연 기술에 따른 시장의 세분화는 어떻게 이루어집니까?
게이트 드라이버 IC 시장에서 가장 매력적인 절연 기술은 무엇입니까?
애플리케이션에 따라 시장을 세분화하면 어떻게 되나요?
게이트 드라이버 IC 시장에서 가장 매력적인 애플리케이션은 무엇입니까?
시장의 경쟁 구조는 무엇인가요?
글로벌 게이트 드라이버 IC 시장의 주요 업체 / 회사는 누구입니까?

■ 보고서 목차

1 머리말 2 연구 범위 및 방법론 2.1 연구 목적 2.2 이해관계자 2.3 데이터 출처 2.3.1 1차 출처 2.3.2 보조 출처 2.4 시장 추정 2.4.1 상향식 접근 방식 2.4.2 하향식 접근 방식 2.5 예측 방법론 3 요약 4 소개 4.1 개요 4.2 주요 산업 동향 5 글로벌 게이트 드라이버 IC 시장 5.1 시장 개요 5.2 시장 성과 5.3 COVID-19의 영향 5.4 시장 전망 6 트랜지스터 유형별 시장 세분화 6.1 MOSFET 6.1.1 시장 동향 6.1.2 시장 전망 6.2 IGBT 6.2.1 시장 동향 6.2.2 시장 전망 7 반도체 소재별 시장 세분화 7.1 Si 7.1.1 시장 동향 7.1.2 시장 전망 7.2 SiC 7.2.1 시장 동향 7.2.2 시장 전망 7.3 GaN 7.3.1 시장 동향 7.3.2 시장 전망 8 부착 방식별 시장 세분화 8.1 온칩 8.1.1 시장 동향 8.1.2 시장 전망 8.2 이산 8.2.1 시장 동향 8.2.2 시장 예측 9 절연 기술별 시장 세분화 9.1 자기 절연 9.1.1 시장 동향 9.1.2 시장 예측 9.2 용량 성 절연 9.2.1 시장 동향 9.2.2 시장 전망 9.3 광학 절연 9.3.1 시장 동향 9.3.2 시장 예측 10 애플리케이션 별 시장 세분화 10.1 주택용 10.1.1 시장 동향 10.1.2 시장 예측 10.2 산업 10.2.1 시장 동향 10.2.2 시장 전망 10.3 상업용 10.3.1 시장 동향 10.3.2 시장 예측 11 지역별 시장 세분화 11.1 북미 11.1.1 미국 11.1.1.1 시장 동향 11.1.1.2 시장 예측 11.1.2 캐나다 11.1.2.1 시장 동향 11.1.2.2 시장 예측 11.2 아시아 태평양 11.2.1 중국 11.2.1.1 시장 동향 11.2.1.2 시장 예측 11.2.2 일본 11.2.2.1 시장 동향 11.2.2.2 시장 예측 11.2.3 인도 11.2.3.1 시장 동향 11.2.3.2 시장 예측 11.2.4 한국 11.2.4.1 시장 동향 11.2.4.2 시장 예측 11.2.5 호주 11.2.5.1 시장 동향 11.2.5.2 시장 예측 11.2.6 인도네시아 11.2.6.1 시장 동향 11.2.6.2 시장 예측 11.2.7 기타 11.2.7.1 시장 동향 11.2.7.2 시장 예측 11.3 유럽 11.3.1 독일 11.3.1.1 시장 동향 11.3.1.2 시장 예측 11.3.2 프랑스 11.3.2.1 시장 동향 11.3.2.2 시장 예측 11.3.3 영국 11.3.3.1 시장 동향 11.3.3.2 시장 예측 11.3.4 이탈리아 11.3.4.1 시장 동향 11.3.4.2 시장 예측 11.3.5 스페인 11.3.5.1 시장 동향 11.3.5.2 시장 예측 11.3.6 러시아 11.3.6.1 시장 동향 11.3.6.2 시장 예측 11.3.7 기타 11.3.7.1 시장 동향 11.3.7.2 시장 전망 11.4 라틴 아메리카 11.4.1 브라질 11.4.1.1 시장 동향 11.4.1.2 시장 예측 11.4.2 멕시코 11.4.2.1 시장 동향 11.4.2.2 시장 예측 11.4.3 기타 11.4.3.1 시장 동향 11.4.3.2 시장 예측 11.5 중동 및 아프리카 11.5.1 시장 동향 11.5.2 국가 별 시장 세분화 11.5.3 시장 예측 12 SWOT 분석 12.1 개요 12.2 강점 12.3 약점 12.4 기회 12.5 위협 13 가치 사슬 분석 14 포터의 다섯 가지 힘 분석 14.1 개요 14.2 구매자의 협상력 14.3 공급자의 협상력 14.4 경쟁의 정도 14.5 신규 진입자의 위협 14.6 대체재의 위협 15 가격 분석 16 경쟁 환경 16.1 시장 구조 16.2 주요 플레이어 16.3 주요 플레이어의 프로필 Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. (Hitachi Ltd.) Infineon Technologies AG Microchip Technology Inc. Mouser Electronics (TTI Inc., Berkshire Hathaway Inc.) NXP Semiconductors N.V. Onsemi Renesas Electronics Corporation Rohm Semiconductor Semtech Corporation STMicroelectronics Texas Instruments Incorporated Toshiba Corporation

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