| ■ 영문 제목 : Global InGaAs APD Receivers Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JU1294 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LP인포메이션 (LPI) 의 최신 조사 자료는 InGaAs APD 수신기의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 InGaAs APD 수신기 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 InGaAs APD 수신기 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 글로벌 InGaAs APD 수신기 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 조사 자료는 글로벌 InGaAs APD 수신기 시장에 관해서 조사, 분석한 보고서로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아 태평양, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 수록하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 (파장 1000nm 이하, 파장 1000nm 이상) 시장규모와 용도별 (거리 측정/LIDAR, 광통신 시스템, 레이저 스캐너, 분광기, 의료, 레이저 이미징, OE 컨버터) 시장규모 데이터도 포함되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 글로벌 InGaAs APD 수신기 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 InGaAs APD 수신기 시장분석 - 종류별 InGaAs APD 수신기 시장규모 2020년-2025년 (파장 1000nm 이하, 파장 1000nm 이상) - 용도별 InGaAs APD 수신기 시장규모 2020년-2025년 (거리 측정/LIDAR, 광통신 시스템, 레이저 스캐너, 분광기, 의료, 레이저 이미징, OE 컨버터) 기업별 InGaAs APD 수신기 시장분석 - 기업별 InGaAs APD 수신기 판매량 - 기업별 InGaAs APD 수신기 매출액 - 기업별 InGaAs APD 수신기 판매가격 - 주요기업의 InGaAs APD 수신기 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 InGaAs APD 수신기 판매량 2020년-2025년 - 지역별 InGaAs APD 수신기 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 InGaAs APD 수신기 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 InGaAs APD 수신기 시장규모 : 종류별 - 미주의 InGaAs APD 수신기 시장규모 : 용도별 - 미국 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 캐나다 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 멕시코 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 브라질 InGaAs APD 수신기 시장규모 아시아 태평양 시장 - 아시아 태평양의 InGaAs APD 수신기 시장규모 2020년-2025년 - 아시아 태평양의 InGaAs APD 수신기 시장규모 : 종류별 - 아시아 태평양의 InGaAs APD 수신기 시장규모 : 용도별 - 중국 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 일본 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 한국 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 동남아시아 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 인도 InGaAs APD 수신기 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 InGaAs APD 수신기 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 InGaAs APD 수신기 시장규모 : 종류별 - 유럽의 InGaAs APD 수신기 시장규모 : 용도별 - 독일 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 프랑스 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 영국 InGaAs APD 수신기 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 수신기 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 수신기 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 InGaAs APD 수신기 시장규모 : 용도별 - 이집트 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 남아프리카 InGaAs APD 수신기 시장규모 - 중동GCC InGaAs APD 수신기 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - InGaAs APD 수신기의 제조원가 구조 분석 - InGaAs APD 수신기의 제조 프로세스 분석 - InGaAs APD 수신기의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - InGaAs APD 수신기의 유통업체 - InGaAs APD 수신기의 주요 고객 지역별 InGaAs APD 수신기 시장 예측 - 지역별 InGaAs APD 수신기 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 시장 예측 - 아시아 태평양 시장 예측 - 유럽 시장 예측 - 중동/아프리카 시장 예측 - InGaAs APD 수신기의 종류별 시장예측 (파장 1000nm 이하, 파장 1000nm 이상) - InGaAs APD 수신기의 용도별 시장예측 (거리 측정/LIDAR, 광통신 시스템, 레이저 스캐너, 분광기, 의료, 레이저 이미징, OE 컨버터) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Kyoto Semiconductor, Laser Components GmbH, Excelitas Technologies, Voxtel, OptoGration, Analog Modules Inc, AMS Technologies AG, Optocom, Newport Corporation, CMC Electronics 조사의 결과/결론 |
Ingaas Avalanche Photodiode (Apd) Receiver With Hybrid Preamplifier
LPI (LP Information)’ newest research report, the “InGaAs APD Receivers Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world InGaAs APD Receivers sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected InGaAs APD Receivers sales for 2025 through 2031. With InGaAs APD Receivers sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world InGaAs APD Receivers industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global InGaAs APD Receivers landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on InGaAs APD Receivers portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global InGaAs APD Receivers market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for InGaAs APD Receivers and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global InGaAs APD Receivers.
The global InGaAs APD Receivers market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for InGaAs APD Receivers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for InGaAs APD Receivers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for InGaAs APD Receivers is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key InGaAs APD Receivers players cover Kyoto Semiconductor, Laser Components GmbH, Excelitas Technologies, Voxtel, OptoGration, Analog Modules Inc, AMS Technologies AG, Optocom and Newport Corporation, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of InGaAs APD Receivers market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
The Wavelength Is below 1000nm
The Wavelength Is above 1000nm
Segmentation by application
Rangefinding / LIDAR
Optical Communication Systems
Laser Scanners
Spectroscopy
Medical
Laser Imaging
OE Converters
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Kyoto Semiconductor
Laser Components GmbH
Excelitas Technologies
Voxtel
OptoGration
Analog Modules Inc
AMS Technologies AG
Optocom
Newport Corporation
CMC Electronics
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global InGaAs APD Receivers market?
What factors are driving InGaAs APD Receivers market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do InGaAs APD Receivers market opportunities vary by end market size?
How does InGaAs APD Receivers break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 인듐갈륨비소(InGaAs) 애벌랜치 광다이오드(APD) 수신기에 대한 설명은 다음과 같습니다. **인듐갈륨비소(InGaAs) 애벌랜치 광다이오드(APD) 수신기**는 근적외선(Near-Infrared, NIR) 파장 대역에서 높은 감도와 빠른 응답 속도를 제공하는 반도체 광 검출기입니다. 일반적으로 통신, 센싱, 이미징 등 다양한 분야에서 광 신호를 전기 신호로 변환하는 데 사용됩니다. InGaAs APD는 기존의 광다이오드(Photodiode, PD)에 비해 훨씬 작은 광 신호도 효과적으로 증폭할 수 있다는 장점을 가지며, 이는 더 먼 거리의 통신이나 더 낮은 광량으로 동작해야 하는 응용 분야에서 매우 중요합니다. **기본 원리 및 구조**: InGaAs APD의 핵심은 반도체 PN 접합부 또는 PIN 구조를 기반으로 하며, 여기에 애벌랜치 승폭 작용이 일어나는 특별한 영역이 추가된 형태입니다. 광자가 반도체 물질에 흡수되면 전자-정공 쌍이 생성됩니다. APD에는 높은 전기장이 가해지는데, 이 전기장은 생성된 전자 또는 정공을 가속시켜 추가적인 전자-정공 쌍을 연쇄적으로 생성하는 '캐스케이드 충돌 이온화(impact ionization)' 과정을 유도합니다. 이 과정을 통해 최초에 생성된 광전류보다 훨씬 큰 전류가 흐르게 되는데, 이를 '내부 이득(internal gain)'이라고 합니다. 이 내부 이득 덕분에 InGaAs APD는 매우 민감하게 미약한 광 신호를 감지할 수 있습니다. InGaAs APD의 주요 구성 재료인 InGaAs는 3원소 반도체 화합물로, 갈륨비소(GaAs) 기판 위에 성장됩니다. In과 Ga의 비율을 조절함으로써 원하는 파장 대역에 최적화된 광 흡수 특성을 얻을 수 있습니다. 특히, 1310nm 및 1550nm와 같은 광섬유 통신에서 사용되는 주요 파장 대역에서 InGaAs는 높은 광 흡수 계수를 가지므로 효율적인 광 검출이 가능합니다. **주요 특징**: * **높은 감도**: APD의 가장 큰 특징은 내부 이득으로 인해 매우 작은 광 신호도 감지할 수 있다는 점입니다. 이는 수신 감도를 향상시켜 통신 거리 연장이나 저전력 장치의 설계에 기여합니다. * **빠른 응답 속도**: InGaAs APD는 일반적으로 빠른 시간 응답 특성을 가집니다. 이는 높은 데이터 전송률을 요구하는 통신 시스템이나 실시간 센싱 응용 분야에서 필수적입니다. * **근적외선 파장 응답**: InGaAs는 900nm에서 약 1700nm까지의 근적외선 파장 대역에 걸쳐 높은 광 흡수율을 보입니다. 이는 광섬유 통신뿐만 아니라 다양한 센싱 및 이미징 응용 분야에서 중요한 역할을 합니다. * **낮은 노이즈**: 적절한 설계와 제조 공정을 통해 InGaAs APD는 상대적으로 낮은 잡음 수준을 유지할 수 있어, 신호 대 잡음비(Signal-to-Noise Ratio, SNR)를 높이는 데 유리합니다. * **구조에 따른 성능 차이**: APD의 구조에 따라 SN, PAM, SAC 등 다양한 형태가 존재하며, 각 구조는 전류 증폭 메커니즘, 잡음 특성, 응답 속도 등에서 차이를 보입니다. 특히, 단일 광자 애벌랜치 광다이오드(Single-Photon Avalanche Diode, SPAD)는 단일 광자 수준까지 검출할 수 있도록 설계되어 극도의 민감도를 제공합니다. **종류**: InGaAs APD는 그 구조와 기능에 따라 여러 종류로 나눌 수 있습니다. * **표준 InGaAs APD**: 가장 기본적인 구조로, 주로 통신 분야에서 사용됩니다. PIN 구조 위에 애벌랜치 승폭 영역을 가지며, 비교적 높은 이득을 제공합니다. * **하이브리드 APD (Hybrid APD)**: InGaAs APD 칩과 실리콘 APD 또는 다른 반도체 소자를 결합하여 특정 파장 대역이나 응용에 최적화된 성능을 얻도록 설계된 경우도 있습니다. 하지만 이 용어는 InGaAs 자체보다는 InGaAs와 다른 재료의 조합을 의미하는 경우도 많습니다. * **단일 광자 애벌랜치 광다이오드 (SPAD)**: InGaAs SPAD는 단일 광자를 검출할 수 있도록 특별히 설계된 APD입니다. 이는 0.5 이득 이하로 동작하면서도 단일 광자 사건을 감지할 수 있도록 구조적으로 최적화되어 있으며, 매우 낮은 암전류와 높은 양자 효율을 특징으로 합니다. 극히 미약한 광 신호를 측정해야 하는 양자 통신, 고감도 센싱 등에 사용됩니다. InGaAs SPAD는 특히 근적외선 영역에서 단일 광자 검출이 필요한 경우에 사용됩니다. * **AVALANCHE PHOTODIODE 모듈**: APD 칩 자체뿐만 아니라, APD 칩에 필요한 제어 회로, 증폭기, 온도 제어 장치 등을 통합한 완성된 수신기 모듈 형태로도 제공됩니다. 이러한 모듈은 사용자가 별도의 회로 설계 없이 바로 시스템에 통합할 수 있도록 편의성을 제공합니다. **용도**: InGaAs APD 수신기는 그 뛰어난 성능으로 인해 다양한 첨단 분야에서 핵심 부품으로 활용됩니다. * **광섬유 통신 시스템**: 1310nm 및 1550nm 파장 대역에서 장거리 고속 데이터 전송을 위한 광 수신기로 필수적입니다. 특히, FTTH(Fiber To The Home) 및 고대역폭 통신망 구축에 기여합니다. * **광학 센서 및 측정 장비**: 산업 자동화, 환경 모니터링, 과학 연구 등에서 사용되는 다양한 광학 센서에서 정밀한 광 신호 측정을 위해 사용됩니다. 예를 들어, 거리 측정, 화학 물질 감지, 생체 신호 측정 등에 활용될 수 있습니다. * **의료 이미징**: 비침습적 의료 진단 기기, 형광 현미경, 광간섭 단층 촬영(Optical Coherence Tomography, OCT) 등에서 높은 해상도와 민감도를 요구하는 이미징 시스템에 적용됩니다. * **자율 주행 및 LiDAR**: LiDAR(Light Detection And Ranging) 시스템은 레이저 펄스를 방출하고 반사되어 돌아오는 빛을 감지하여 물체까지의 거리와 형태를 파악합니다. InGaAs APD는 LiDAR 시스템에서 특히 1550nm 파장을 사용하는 경우, 높은 감도와 빠른 응답 속도로 정밀하고 신뢰성 있는 거리 측정을 가능하게 합니다. 이는 자율 주행 차량의 핵심 기술 중 하나입니다. * **보안 및 감시 시스템**: 저조도 환경에서도 효과적인 영상 감시를 가능하게 하거나, 특정 파장 대역의 신호를 감지하는 데 활용될 수 있습니다. * **양자 정보 기술**: 양자 키 분배(Quantum Key Distribution, QKD)와 같은 양자 통신 기술에서 극히 미약한 단일 광자 수준의 신호를 검출하기 위해 InGaAs SPAD가 중요한 역할을 합니다. **관련 기술**: InGaAs APD 수신기의 성능과 활용도를 높이기 위한 다양한 관련 기술들이 연구 및 개발되고 있습니다. * **저잡음 및 고감도 설계 기술**: InGaAs 결정 성장, 소자 구조 설계, 표면 처리 기술 등을 최적화하여 잡음을 최소화하고 최대의 광 검출 효율을 얻기 위한 연구가 지속되고 있습니다. * **고속 신호 처리 회로**: APD에서 생성된 신호는 일반적으로 매우 약하기 때문에, 이를 효과적으로 증폭하고 잡음을 제거하기 위한 저잡음 증폭기(Low-Noise Amplifier, LNA) 및 필터링 회로와 같은 고속 신호 처리 회로 기술이 중요합니다. * **SPAD 기술의 발전**: 단일 광자 수준의 검출을 위한 InGaAs SPAD의 효율, 검출 확률, 시간 분해능, 그리고 칩 밀도 등을 향상시키기 위한 나노 구조 설계 및 제조 기술이 활발히 연구되고 있습니다. * **집적화 기술**: APD 센서와 관련 전자 회로(증폭기, 타이밍 회로 등)를 단일 칩에 통합하는 기술은 시스템의 크기를 줄이고 소비 전력을 낮추며, 전반적인 성능을 향상시키는 데 기여합니다. 포토닉 집적 회로(Photonic Integrated Circuit, PIC) 기술과의 융합도 중요하게 다루어지고 있습니다. * **열 관리 기술**: APD의 성능은 온도에 민감하게 영향을 받으므로, APD의 안정적인 동작을 위한 효과적인 열 관리 및 온도 보상 기술이 필요합니다. * **새로운 구조 및 재료 연구**: 기존의 InGaAs APD의 한계를 극복하기 위해, 새로운 접합 구조(예: PIN-Avalanche 구조의 변형)나 다른 반도체 재료와의 하이브리드 구조, 또는 양자점(Quantum Dot)과 같은 새로운 나노 구조를 활용하는 연구도 진행되고 있습니다. 결론적으로, InGaAs APD 수신기는 근적외선 파장 영역에서 높은 감도와 빠른 응답 속도를 제공하는 핵심 광전자 부품으로, 통신, 센싱, 이미징, 자율 주행 등 첨단 기술 분야에서 그 중요성이 점차 증대되고 있습니다. 지속적인 기술 발전과 함께 InGaAs APD는 미래의 다양한 혁신을 이끌어갈 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 InGaAs APD 수신기 시장 2025-2031] (코드 : LPK23JU1294) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
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