| ■ 영문 제목 : Global Single Electron Transistor Market Growth 2025-2031 | |
 | ■ 상품코드 : LPK23JL1297 ■ 조사/발행회사 : LP Information ■ 발행일 : 2025년 3월 ■ 페이지수 : 78 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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| LPI (LP Information)의 최신 조사 보고서는 단일 전자 트랜지스터의 과거 판매실적을 살펴보고 2024년의 단일 전자 트랜지스터 판매실적을 검토하여 2025년부터 2031년까지 예상되는 단일 전자 트랜지스터 판매에 대한 지역 및 시장 세그먼트별 포괄적인 분석을 제공합니다. 세계의 단일 전자 트랜지스터 시장규모는 2024년 xxx백만 달러에서 연평균 xx% 성장하여 2031년에는 xxx백만 달러에 달할 것으로 예측되고 있습니다. 본 보고서의 시장규모 데이터는 무역 전쟁 및 러시아-우크라이나 전쟁의 영향을 반영했습니다. 본 보고서는 단일 전자 트랜지스터의 세계시장에 관해서 조사, 분석한 자료로서, 기업별 시장 점유율, 지역별 시장규모 (미주, 미국, 캐나다, 멕시코, 브라질, 아시아, 중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도, 유럽, 독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아, 중동/아프리카, 이집트, 남아프리카, 터키, 중동GCC국 등), 시장동향, 판매/유통업자/고객 리스트, 시장예측 (2026년-2031년), 주요 기업동향 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) 등의 정보를 포함하고 있습니다. 또한, 주요지역의 종류별 시장규모 (금속 단일 전자 트랜지스터, 반도체 단일 전자 트랜지스터)와 용도별 시장규모 (단일 전자 메모리, 적외선 검출기, 초고감도 마이크로파 검출기, 초고감도 전위계) 데이터도 수록되어 있습니다. ***** 목차 구성 ***** 보고서의 범위 경영자용 요약 - 세계의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 2020년-2031년 - 지역별 단일 전자 트랜지스터 시장분석 - 종류별 단일 전자 트랜지스터 시장규모 2020년-2025년 (금속 단일 전자 트랜지스터, 반도체 단일 전자 트랜지스터) - 용도별 단일 전자 트랜지스터 시장규모 2020년-2025년 (단일 전자 메모리, 적외선 검출기, 초고감도 마이크로파 검출기, 초고감도 전위계) 기업별 단일 전자 트랜지스터 시장분석 - 기업별 단일 전자 트랜지스터 판매량 - 기업별 단일 전자 트랜지스터 매출액 - 기업별 단일 전자 트랜지스터 판매가격 - 주요기업의 단일 전자 트랜지스터 생산거점, 판매거점 - 시장 집중도 분석 지역별 분석 - 지역별 단일 전자 트랜지스터 판매량 2020년-2025년 - 지역별 단일 전자 트랜지스터 매출액 2020년-2025년 미주 시장 - 미주의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 2020년-2025년 - 미주의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 : 종류별 - 미주의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 : 용도별 - 미국 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 캐나다 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 멕시코 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 브라질 단일 전자 트랜지스터 시장규모 아시아 시장 - 아시아의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 2020년-2025년 - 아시아의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 : 종류별 - 아시아의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 : 용도별 - 중국 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 일본 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 한국 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 동남아시아 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 인도 단일 전자 트랜지스터 시장규모 유럽 시장 - 유럽의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 2020년-2025년 - 유럽의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 : 종류별 - 유럽의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 : 용도별 - 독일 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 프랑스 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 영국 단일 전자 트랜지스터 시장규모 중동/아프리카 시장 - 중동/아프리카의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 2020년-2025년 - 중동/아프리카의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 : 종류별 - 중동/아프리카의 단일 전자 트랜지스터 시장규모 : 용도별 - 이집트 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 남아프리카 단일 전자 트랜지스터 시장규모 - 중동GCC 단일 전자 트랜지스터 시장규모 시장의 성장요인, 과제, 동향 - 시장의 성장요인, 기회 - 시장의 과제, 리스크 - 산업 동향 제조원가 구조 분석 - 원재료 및 공급업체 - 단일 전자 트랜지스터의 제조원가 구조 분석 - 단일 전자 트랜지스터의 제조 프로세스 분석 - 단일 전자 트랜지스터의 산업체인 구조 마케팅, 유통업체, 고객 - 판매채널 - 단일 전자 트랜지스터의 유통업체 - 단일 전자 트랜지스터의 주요 고객 지역별 단일 전자 트랜지스터 시장 예측 - 지역별 단일 전자 트랜지스터 시장규모 예측 2026년-2031년 - 미주 지역 예측 - 아시아 지역 예측 - 유럽 지역 예측 - 중동/아프리카 지역 예측 - 단일 전자 트랜지스터의 종류별 시장예측 (금속 단일 전자 트랜지스터, 반도체 단일 전자 트랜지스터) - 단일 전자 트랜지스터의 용도별 시장예측 (단일 전자 메모리, 적외선 검출기, 초고감도 마이크로파 검출기, 초고감도 전위계) 주요 기업 분석 (기업정보, 제품, 판매량, 매출, 가격, 매출총이익) - Supracon AG, Continental Device India Limited, ON Semiconductor, Toshiba Schneider Inverter Corporation 조사의 결론 |
LPI (LP Information)’ newest research report, the “Single Electron Transistor Industry Forecast” looks at past sales and reviews total world Single Electron Transistor sales in 2024, providing a comprehensive analysis by region and market sector of projected Single Electron Transistor sales for 2025 through 2031. With Single Electron Transistor sales broken down by region, market sector and sub-sector, this report provides a detailed analysis in US$ millions of the world Single Electron Transistor industry.
This Insight Report provides a comprehensive analysis of the global Single Electron Transistor landscape and highlights key trends related to product segmentation, company formation, revenue, and market share, latest development, and M&A activity. This report also analyzes the strategies of leading global companies with a focus on Single Electron Transistor portfolios and capabilities, market entry strategies, market positions, and geographic footprints, to better understand these firms’ unique position in an accelerating global Single Electron Transistor market.
This Insight Report evaluates the key market trends, drivers, and affecting factors shaping the global outlook for Single Electron Transistor and breaks down the forecast by type, by application, geography, and market size to highlight emerging pockets of opportunity. With a transparent methodology based on hundreds of bottom-up qualitative and quantitative market inputs, this study forecast offers a highly nuanced view of the current state and future trajectory in the global Single Electron Transistor.
The global Single Electron Transistor market size is projected to grow from US$ million in 2024 to US$ million in 2031; it is expected to grow at a CAGR of % from 2025 to 2031.
United States market for Single Electron Transistor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
China market for Single Electron Transistor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Europe market for Single Electron Transistor is estimated to increase from US$ million in 2024 to US$ million by 2031, at a CAGR of % from 2025 through 2031.
Global key Single Electron Transistor players cover Supracon AG, Continental Device India Limited, ON Semiconductor and Toshiba Schneider Inverter Corporation, etc. In terms of revenue, the global two largest companies occupied for a share nearly % in 2024.
This report presents a comprehensive overview, market shares, and growth opportunities of Single Electron Transistor market by product type, application, key manufacturers and key regions and countries.
[Market Segmentation]
Segmentation by type
Metallic Single Electron Transistor
Semiconducting Single Electron Transistor
Segmentation by application
Single Electron Memories
Infrared Radiation Detection
Ultrasensitive Microwave Detectors
Supersensitive Electrometers
This report also splits the market by region:
Americas
United States
Canada
Mexico
Brazil
APAC
China
Japan
Korea
Southeast Asia
India
Australia
Europe
Germany
France
UK
Italy
Russia
Middle East & Africa
Egypt
South Africa
Israel
Turkey
GCC Countries
The below companies that are profiled have been selected based on inputs gathered from primary experts and analyzing the company’s coverage, product portfolio, its market penetration.
Supracon AG
Continental Device India Limited
ON Semiconductor
Toshiba Schneider Inverter Corporation
[Key Questions Addressed in this Report]
What is the 10-year outlook for the global Single Electron Transistor market?
What factors are driving Single Electron Transistor market growth, globally and by region?
Which technologies are poised for the fastest growth by market and region?
How do Single Electron Transistor market opportunities vary by end market size?
How does Single Electron Transistor break out type, application?
What are the influences of trade war and Russia-Ukraine war?
1 Scope of the Report |
| ※참고 정보 단일 전자 트랜지스터(Single Electron Transistor, SET)는 나노미터 크기의 매우 작은 전도성 구조를 이용하여 전하를 띤 입자인 전자를 단일 단위로 제어하는 혁신적인 반도체 소자입니다. 이러한 소자는 양자역학적 현상, 특히 쿨롱 차폐 효과(Coulomb Blockade Effect)를 기반으로 동작합니다. 전통적인 트랜지스터가 채널을 통과하는 전류의 양을 조절함으로써 동작하는 것과는 달리, 단일 전자 트랜지스터는 채널을 통과하는 전자 자체를 하나씩 제어하는 방식으로 작동합니다. 단일 전자 트랜지스터의 핵심적인 개념은 매우 작은 전도성 나노 구조인 '점(Island)'과 이 점을 전극과 연결하는 '터널 접합(Tunnel Junction)'입니다. 이 점은 보통 수 나노미터 크기의 금속 나노 입자나 반도체 양자점 등이 사용됩니다. 터널 접합은 매우 얇은 절연층으로 이루어져 있어, 전자가 양자역학적인 터널링 현상을 통해 점으로 이동하거나 점을 벗어날 수 있게 합니다. 단일 전자 트랜지스터의 동작 원리는 다음과 같습니다. 소자는 세 개의 주요 전극으로 구성됩니다. 소스(Source) 전극은 전자를 공급하고, 드레인(Drain) 전극은 전자를 받아들이며, 게이트(Gate) 전극은 소자의 동작을 제어하는 역할을 합니다. 소스에서 드레인으로 전자를 이동시키기 위해서는 에너지 장벽을 극복해야 합니다. 이 에너지 장벽의 크기는 점에 이미 존재하는 전자의 개수에 따라 달라집니다. 점의 크기가 충분히 작고, 터널 접합의 저항이 충분히 높으면, 점에 하나의 전자가 추가될 때마다 점의 전기적 퍼텐셜이 상당한 수준으로 변하게 됩니다. 이는 쿨롱 에너지(Coulomb Energy)라고 불리며, 그 크기는 일반적으로 $E_C = e^2 / (2C_Sigma)$로 주어집니다. 여기서 $e$는 전자의 기본 전하량이고, $C_Sigma$는 점과 주변 환경(소스, 드레인, 게이트 전극)의 총 전기용량입니다. 이 쿨롱 에너지가 주변의 열 에너지($k_B T$)나 소스-드레인 간 인가되는 전압보다 클 때, 쿨롱 차폐 효과가 나타납니다. 쿨롱 차폐 효과란, 점에 이미 전자가 하나 존재하는 상태에서는 추가적인 전자가 터널링하여 점에 들어가는 것이 어렵다는 현상입니다. 이는 점에 추가되는 전자가 점의 전기적 퍼텐셜을 높여, 원래 전자가 점에 머무르도록 하는 쿨롱 힘이 작용하기 때문입니다. 따라서 소스에서 드레인으로 전류가 흐르기 위해서는, 게이트 전압을 조절하여 점의 전기적 퍼텐셜을 변화시키거나, 점에 있는 전자를 효과적으로 제거해야 합니다. 게이트 전극은 점에 대한 전기적 영향을 통해 이 쿨롱 차폐를 극복하는 역할을 합니다. 게이트 전압이 변화하면 점의 전기적 퍼텐셜이 변화하고, 이는 전자가 점에 터널링하여 들어갈 수 있는 에너지 장벽의 높이를 조절합니다. 특정 게이트 전압에서는 쿨롱 차폐가 완화되어 소스에서 드레인으로 단일 전자가 터널링하여 전류가 흐르게 됩니다. 이처럼 단일 전자 트랜지스터는 게이트 전압의 미세한 변화에도 민감하게 반응하여 단일 전자의 흐름을 제어할 수 있습니다. 단일 전자 트랜지스터의 주요 특징으로는 다음과 같은 것들이 있습니다. 첫째, **초저전력 소모**입니다. 단일 전자의 이동으로 전류가 흐르기 때문에, 기존 트랜지스터에 비해 훨씬 적은 에너지를 소모합니다. 둘째, **높은 스위칭 감도**입니다. 게이트 전압의 작은 변화에도 소자 특성이 크게 변하므로, 매우 정밀한 신호 제어가 가능합니다. 셋째, **양자 구속 효과 활용**입니다. 소자의 크기가 매우 작아 양자역학적 효과가 두드러지게 나타나며, 이는 기존 반도체 소자에서는 구현하기 어려운 새로운 기능 구현을 가능하게 합니다. 넷째, **낮은 동작 온도 요구**입니다. 쿨롱 차폐 효과가 명확하게 나타나기 위해서는 열 에너지가 쿨롱 에너지보다 작아야 하므로, 일반적으로 극저온 환경에서 동작하는 경우가 많습니다. 하지만 최근에는 상온에서도 동작하는 단일 전자 트랜지스터 연구도 활발히 진행되고 있습니다. 단일 전자 트랜지스터는 구조에 따라 여러 종류로 나눌 수 있습니다. 가장 기본적인 구조는 앞서 설명한 점과 두 개의 터널 접합으로 구성된 **쿨롱 카운터(Coulomb Counter)** 형태입니다. 여기서 점은 나노 입자나 양자점을 사용할 수 있습니다. 또한, 점과 터널 접합의 형태로도 분류할 수 있습니다. 예를 들어, **금속 점을 사용하는 경우**는 제조가 비교적 용이하지만, 상온 동작이 어렵고 점의 크기 제어가 까다로운 단점이 있습니다. **반도체 양자점**을 사용하는 경우, 반도체 공정과의 호환성이 좋고 점의 크기 및 전기적 특성 제어가 용이하여 상온 동작 가능성이 높지만, 제조 공정이 복잡할 수 있습니다. **탄소 나노튜브나 그래핀과 같은 2차원 물질**을 활용한 단일 전자 트랜지스터 연구도 활발히 진행되고 있으며, 이는 유연성, 투명성 등의 새로운 특성을 제공할 수 있습니다. 단일 전자 트랜지스터는 그 독특한 특성으로 인해 다양한 응용 분야에 활용될 잠재력을 가지고 있습니다. 가장 주목받는 응용 분야 중 하나는 **초정밀 센서**입니다. 단일 전하 변화에도 민감하게 반응하므로, 매우 작은 물리량이나 화학량의 변화를 감지하는 데 사용될 수 있습니다. 예를 들어, 단일 분자의 부착을 감지하거나, 미세한 전기장의 변화를 측정하는 데 활용될 수 있습니다. 또한, 단일 전자 트랜지스터는 **양자 컴퓨팅** 분야에서도 중요한 역할을 할 수 있습니다. 양자 비트(qubit)를 구현하기 위한 기본적인 소자로 사용될 수 있으며, 특히 전하를 기반으로 하는 큐비트는 안정성이 높고 제어가 용이하다는 장점을 가집니다. 이를 통해 기존 컴퓨터로는 해결하기 어려운 복잡한 문제를 해결할 수 있는 양자 컴퓨터의 핵심 부품으로 활용될 수 있습니다. **초고집적 메모리** 개발에도 기여할 수 있습니다. 단일 전자 트랜지스터의 스위칭 특성을 이용하여 정보를 저장하는 메모리 소자를 구현할 수 있으며, 이는 기존 메모리보다 훨씬 높은 밀도와 낮은 전력 소모를 가능하게 합니다. 또한, **저전력 고성능 전자 회로** 설계에도 활용될 수 있어, 에너지 효율이 매우 중요한 차세대 모바일 기기나 사물 인터넷(IoT) 장치에 적용될 수 있습니다. 단일 전자 트랜지스터와 관련된 기술로는 **나노 제조 기술**이 필수적입니다. 수 나노미터 수준의 정밀한 구조를 제작하기 위해 전자빔 리소그래피(Electron Beam Lithography), 원자층 증착(Atomic Layer Deposition, ALD), 자기 조립(Self-Assembly) 등의 첨단 나노 제조 기술이 요구됩니다. 또한, **양자역학적 현상에 대한 이해와 모델링 기술**도 중요합니다. 소자의 동작을 정확하게 예측하고 설계하기 위해서는 쿨롱 차폐, 터널링 등 양자 효과를 고려한 시뮬레이션 및 이론적 모델링이 필수적입니다. 더불어, **극저온 기술** 또한 단일 전자 트랜지스터 연구 및 응용에 중요한 요소입니다. 많은 단일 전자 트랜지스터가 효과적으로 동작하기 위해서는 극저온 환경이 필요하므로, 이러한 환경을 구현하고 유지하는 기술 또한 관련 기술로 볼 수 있습니다. 최근에는 상온에서의 동작을 가능하게 하는 새로운 물질이나 구조 설계에 대한 연구가 활발히 진행되고 있어, 이러한 연구 결과들이 단일 전자 트랜지스터의 상용화를 앞당길 것으로 기대됩니다. 이처럼 단일 전자 트랜지스터는 나노 기술과 양자역학의 집약체로서, 미래 전자 산업의 패러다임을 변화시킬 수 있는 잠재력을 지닌 혁신적인 소자입니다. 초저전력, 고감도, 양자 정보 처리 능력 등 기존 소자에서는 볼 수 없었던 새로운 가능성을 제시하며, 다양한 분야에서의 기술 발전을 이끌어갈 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [세계의 단일 전자 트랜지스터 시장예측 2025년-2031년] (코드 : LPK23JL1297) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [세계의 단일 전자 트랜지스터 시장예측 2025년-2031년] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
※당 사이트에 없는 보고서도 취급 가능한 경우가 많으니 문의 주세요!