| ■ 영문 제목 : Global SiC Epitaxy System Market 2024 by Manufacturers, Regions, Type and Application, Forecast to 2030 | |
 | ■ 상품코드 : GIR2406C6940 ■ 조사/발행회사 : Globalinforesearch ■ 발행일 : 2024년 6월 (2025년 또는 2026년) 갱신판이 있습니다. 문의주세요. ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : 전자&반도체 |
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조사회사 Global Info Research의 최신 조사에 따르면, 세계의 SiC 에피택시 시스템 시장 규모는 2023년에 XXX백만 달러로 분석되었으며, 검토 기간 동안 xx%의 CAGR로 2030년까지 XXX백만 달러의 재조정된 규모로 성장이 예측됩니다.
Global Info Research 보고서에는 SiC 에피택시 시스템 산업 체인 동향 개요, 2인치 에피택셜 웨이퍼, 3인치 에피택셜 웨이퍼, 4인치 에피택셜 웨이퍼, 6인치 에피택셜 웨이퍼 응용분야 및 선진 및 개발 도상국의 주요 기업의 시장 현황, SiC 에피택시 시스템의 최첨단 기술, 특허, 최신 용도 및 시장 동향을 분석했습니다.
지역별로는 주요 지역의 SiC 에피택시 시스템 시장을 분석합니다. 북미와 유럽은 정부 이니셔티브와 수요자 인식 제고에 힘입어 꾸준한 성장세를 보이고 있습니다. 아시아 태평양, 특히 중국은 탄탄한 내수 수요와 지원 정책, 강력한 제조 기반을 바탕으로 글로벌 SiC 에피택시 시스템 시장을 주도하고 있습니다.
[주요 특징]
본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 시장에 대한 포괄적인 이해를 제공합니다. 본 보고서는 산업에 대한 전체적인 관점과 개별 구성 요소 및 이해 관계자에 대한 자세한 통찰력을 제공합니다. 본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 산업 내의 시장 역학, 동향, 과제 및 기회를 분석합니다. 또한, 거시적 관점에서 시장을 분석하는 것이 포함됩니다.
시장 규모 및 세분화: 본 보고서는 판매량, 매출 및 종류별 (예 : n형, p형)의 시장 점유율을 포함한 전체 시장 규모에 대한 데이터를 수집합니다.
산업 분석: 보고서는 정부 정책 및 규제, 기술 발전, 수요자 선호도, 시장 역학 등 광범위한 산업 동향을 분석합니다. 이 분석은 SiC 에피택시 시스템 시장에 영향을 미치는 주요 동인과 과제를 이해하는데 도움이 됩니다.
지역 분석: 본 보고서에는 지역 또는 국가 단위로 SiC 에피택시 시스템 시장을 조사하는 것이 포함됩니다. 보고서는 정부 인센티브, 인프라 개발, 경제 상황 및 수요자 행동과 같은 지역 요인을 분석하여 다양한 시장 내의 변화와 기회를 식별합니다.
시장 전망: 보고서는 수집된 데이터와 분석을 통해 SiC 에피택시 시스템 시장에 대한 미래 전망 및 예측을 다룹니다. 여기에는 시장 성장률 추정, 시장 수요 예측, 새로운 트렌드 파악 등이 포함될 수 있습니다. 본 보고서에는 SiC 에피택시 시스템에 대한 보다 세분화된 접근 방식도 포함됩니다.
기업 분석: 본 보고서는 SiC 에피택시 시스템 제조업체, 공급업체 및 기타 관련 업계 플레이어를 다룹니다. 이 분석에는 재무 성과, 시장 포지셔닝, 제품 포트폴리오, 파트너십 및 전략에 대한 조사가 포함됩니다.
수요자 분석: 보고서는 SiC 에피택시 시스템에 대한 수요자 행동, 선호도 및 태도에 대한 데이터를 다룹니다. 여기에는 설문 조사, 인터뷰 및 응용 분야별 (2인치 에피택셜 웨이퍼, 3인치 에피택셜 웨이퍼, 4인치 에피택셜 웨이퍼, 6인치 에피택셜 웨이퍼)의 다양한 수요자 리뷰 및 피드백 분석이 포함될 수 있습니다.
기술 분석: SiC 에피택시 시스템과 관련된 특정 기술을 다루는 보고서입니다. SiC 에피택시 시스템 분야의 현재 상황 및 잠재적 미래 발전 가능성을 평가합니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 개별 기업, 공급업체 및 수요업체를 분석하여 SiC 에피택시 시스템 시장의 경쟁 환경에 대한 통찰력을 제공합니다. 이 분석은 시장 점유율, 경쟁 우위 및 업계 플레이어 간의 차별화 가능성을 이해하는 데 도움이 됩니다.
시장 검증: 본 보고서에는 설문 조사, 인터뷰 및 포커스 그룹과 같은 주요 조사를 통해 결과 및 예측을 검증하는 작업이 포함됩니다.
[시장 세분화]
SiC 에피택시 시스템 시장은 종류 및 용도별로 나뉩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
종류별 시장 세그먼트
– n형, p형
용도별 시장 세그먼트
– 2인치 에피택셜 웨이퍼, 3인치 에피택셜 웨이퍼, 4인치 에피택셜 웨이퍼, 6인치 에피택셜 웨이퍼
주요 대상 기업
– Veeco, Tokyo Electron, Aixtron, NuFlare Technology, ASM International, NAURA, Shenzhen Naso Tech, Zhejiang Jingsheng Mechanical & Electrical
지역 분석은 다음을 포함합니다.
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 러시아, 이탈리아)
– 아시아 태평양 (중국, 일본, 한국, 인도, 동남아시아, 호주)
– 남미 (브라질, 아르헨티나, 콜롬비아)
– 중동 및 아프리카 (사우디아라비아, 아랍에미리트, 이집트, 남아프리카공화국)
본 조사 보고서는 아래 항목으로 구성되어 있습니다.
– SiC 에피택시 시스템 제품 범위, 시장 개요, 시장 추정, 주의 사항 및 기준 연도를 설명합니다.
– 2019년부터 2024년까지 SiC 에피택시 시스템의 가격, 판매량, 매출 및 세계 시장 점유율과 함께 SiC 에피택시 시스템의 주요 제조업체를 프로파일링합니다.
– SiC 에피택시 시스템 경쟁 상황, 판매량, 매출 및 주요 제조업체의 글로벌 시장 점유율이 상세하게 분석 됩니다.
– SiC 에피택시 시스템 상세 데이터는 2019년부터 2030년까지 지역별 판매량, 소비금액 및 성장성을 보여주기 위해 지역 레벨로 표시됩니다.
– 2019년부터 2030년까지 판매량 시장 점유율 및 성장률을 종류별, 용도별로 분류합니다.
– 2017년부터 2023년까지 세계 주요 국가의 판매량, 소비금액 및 시장 점유율과 함께 국가 레벨로 판매 데이터를 분류하고, 2025년부터 2030년까지 판매량 및 매출과 함께 지역, 종류 및 용도별로 SiC 에피택시 시스템 시장 예측을 수행합니다.
– 시장 역학, 성장요인, 저해요인, 동향 및 포터의 다섯 가지 힘 분석.
– 주요 원자재 및 주요 공급 업체, SiC 에피택시 시스템의 산업 체인.
– SiC 에피택시 시스템 판매 채널, 유통 업체, 고객(수요기업), 조사 결과 및 결론을 설명합니다.
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■ 보고서 목차■ 시장 개요 ■ 제조업체 프로필 Veeco Tokyo Electron Aixtron ■ 제조업체간 경쟁 환경 ■ 지역별 소비 분석 ■ 종류별 시장 세분화 ■ 용도별 시장 세분화 ■ 북미 ■ 유럽 ■ 아시아 태평양 ■ 남미 ■ 중동 및 아프리카 ■ 시장 역학 ■ 원자재 및 산업 체인 ■ 유통 채널별 출하량 ■ 조사 결과 [그림 목록]- SiC 에피택시 시스템 이미지 - 종류별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 종류별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 용도별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 2023년 용도별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 (2019 & 2023 & 2030) - 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 예측 (2019-2030) - 세계의 SiC 에피택시 시스템 판매량 (2019-2030) - 세계의 SiC 에피택시 시스템 평균 가격 (2019-2030) - 2023년 제조업체별 세계의 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 2023년 제조업체별 세계의 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 2023년 상위 3개 SiC 에피택시 시스템 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 2023년 상위 6개 SiC 에피택시 시스템 제조업체(소비 금액) 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 지역별 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 남미 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 - 세계의 종류별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 종류별 SiC 에피택시 시스템 평균 가격 - 세계의 용도별 SiC 에피택시 시스템 판매량 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 시장 점유율 - 세계의 용도별 SiC 에피택시 시스템 평균 가격 - 북미 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택시 시스템 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 북미 SiC 에피택시 시스템 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 미국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 캐나다 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 멕시코 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 국가별 판매량 시장 점유율 - 유럽 SiC 에피택시 시스템 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 독일 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 프랑스 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 영국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 러시아 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 이탈리아 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 지역별 판매 수량 시장 점유율 - 아시아 태평양 SiC 에피택시 시스템 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 중국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 일본 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 한국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 인도 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 동남아시아 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 호주 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 남미 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택시 시스템 국가별 판매 수량 시장 점유율 - 남미 SiC 에피택시 시스템 국가별 소비 금액 시장 점유율 - 브라질 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 아르헨티나 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 종류별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 용도별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 지역별 판매량 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 SiC 에피택시 시스템 지역별 소비 금액 시장 점유율 - 터키 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 이집트 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 사우디 아라비아 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - 남아프리카 공화국 SiC 에피택시 시스템 소비 금액 및 성장률 - SiC 에피택시 시스템 시장 성장 요인 - SiC 에피택시 시스템 시장 제약 요인 - SiC 에피택시 시스템 시장 동향 - 포터의 다섯 가지 힘 분석 - 2023년 SiC 에피택시 시스템의 제조 비용 구조 분석 - SiC 에피택시 시스템의 제조 공정 분석 - SiC 에피택시 시스템 산업 체인 - 직접 채널 장단점 - 간접 채널 장단점 - 방법론 - 조사 프로세스 및 데이터 소스 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(SiC) 에피택시 시스템은 차세대 전력 반도체 소자 제작에 핵심적인 역할을 수행하는 첨단 장비입니다. 실리콘 카바이드라는 물질 위에 얇고 균일한 결정층을 성장시키는 기술인 에피택시(Epitaxy)를 가능하게 합니다. 이러한 에피택시 과정은 SiC 반도체 소자의 성능, 신뢰성, 그리고 수명을 결정하는 매우 중요한 단계입니다. SiC 에피택시 시스템은 단순히 물질을 증착하는 것을 넘어, 정밀한 온도, 압력, 가스 유량 제어를 통해 특정 결정 구조와 조성을 갖는 고품질의 SiC 박막을 성장시킵니다. 이 시스템의 발전은 SiC 전력 반도체의 상용화를 촉진하고, 전기차, 신재생 에너지, 스마트 그리드 등 다양한 첨단 산업 분야의 혁신을 이끌어내는 동력입니다. SiC 에피택시 시스템의 가장 근본적인 개념은 '에피택시'라는 박막 성장 기술입니다. 에피택시란 이미 존재하는 기판(Substrate) 위에 동일하거나 유사한 결정 구조를 갖는 박막(Epitaxial Layer)을 성장시키는 기술입니다. SiC 에피택시의 경우, SiC 기판 위에 SiC 결정층을 성장시키는 것을 의미합니다. 이때 성장되는 SiC 결정층은 소자의 전기적 특성을 결정하는 중요한 역할을 합니다. 예를 들어, 전력 소자의 경우 고내압 특성이나 저온도 저항(on-resistance)을 결정하는 데 에피층의 두께, 도핑 농도, 결정성이 큰 영향을 미칩니다. 따라서 고품질의 에피층을 균일하게 성장시키는 것이 SiC 에피택시 시스템의 핵심 과제입니다. SiC 에피택시 시스템은 여러 가지 독특한 특징을 가지고 있습니다. 첫째, 높은 성장 온도입니다. SiC는 매우 높은 녹는점을 가지므로, 고품질의 SiC 결정을 성장시키기 위해서는 1500°C 이상의 고온 환경이 필수적입니다. 따라서 에피택시 시스템은 이러한 고온을 안정적으로 유지하고 정밀하게 제어할 수 있는 고급 열처리 및 반응 제어 기술을 필요로 합니다. 둘째, 고순도의 가스 환경이 요구됩니다. SiC 결정 성장에 사용되는 전구체 가스(precursor gas)는 매우 높은 순도를 유지해야 합니다. 미량의 불순물도 결정 품질에 치명적인 영향을 미칠 수 있기 때문입니다. 셋째, 기판의 평탄도와 결정성이 매우 중요합니다. 에피택시 공정은 기판의 결정 구조를 따라 성장하기 때문에, 기판의 평탄도와 결정 결함이 적어야 성장되는 에피층의 품질도 우수해집니다. 넷째, 정밀한 도핑 제어가 필수적입니다. 성장되는 에피층에 특정 농도의 불순물(도펀트)을 정확하게 주입하여 원하는 전기적 특성을 구현해야 합니다. 예를 들어, N형 채널 모스펫(MOSFET)을 만들기 위해서는 실리콘 기판에 인(Phosphorus)이나 질소(Nitrogen)와 같은 N형 도펀트를, P형 채널을 만들기 위해서는 알루미늄(Aluminum)이나 질소(Nitrogen)와 같은 P형 도펀트를 에피층에 균일하게 분포시켜야 합니다. SiC 에피택시 시스템은 주로 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition, CVD) 방식을 기반으로 합니다. CVD 방식은 반응성 가스를 반응로 내로 주입하여 고온의 기판 표면에서 화학 반응을 일으켜 박막을 증착하는 기술입니다. SiC 에피택시를 위한 CVD 시스템은 크게 두 가지로 분류될 수 있습니다. 첫 번째는 **수평형(Horizontal) 반응로 시스템**입니다. 이 시스템은 일반적으로 장비 구성이 비교적 간단하고, 소형화에 유리하며, 웨이퍼를 일렬로 배치하여 공정을 진행하는 방식입니다. 하지만 대량 생산 시에는 웨이퍼 간의 공정 균일성을 확보하는 데 기술적인 어려움이 따를 수 있습니다. 두 번째는 **수직형(Vertical) 반응로 시스템**입니다. 이 시스템은 반응로 내부에 웨이퍼를 수직으로 적층하여 배치하므로, 동일한 반응로 내에서 더 많은 수의 웨이퍼를 동시에 처리할 수 있어 생산성이 높습니다. 또한, 가스의 흐름을 보다 효율적으로 제어하여 웨이퍼 간의 공정 균일성을 높이는 데 유리합니다. 현재 많은 SiC 에피택시 장비 제조사들은 대량 생산성을 높이기 위해 수직형 반응로 시스템 개발에 집중하고 있습니다. SiC 에피택시 시스템의 주요 용도는 다양한 SiC 기반 전력 반도체 소자 제작에 있습니다. 가장 대표적인 용도로는 **SiC MOSFET**과 **SiC 쇼트키 다이오드(Schottky Diode)** 제작을 들 수 있습니다. SiC MOSFET은 기존의 실리콘 MOSFET 대비 스위칭 속도가 빠르고, 높은 항복 전압(breakdown voltage)을 견딜 수 있으며, 상온에서의 온 저항이 낮다는 장점을 가지고 있습니다. 이는 전기 자동차의 인버터, 전력 변환 장치, 태양광 발전 시스템, 고속철도 등 고효율 및 고성능 전력 제어가 요구되는 분야에서 기존 실리콘 소자를 대체하며 에너지 효율을 크게 향상시키고 있습니다. SiC 쇼트키 다이오드는 빠른 복구 시간(fast recovery time)과 낮은 순방향 전압 강하(low forward voltage drop)를 특징으로 하며, 전원 공급 장치, 컨버터 등에서 에너지 손실을 줄이는 데 활용됩니다. 이 외에도 SiC 에피택시 시스템은 고온에서 작동하는 센서, 발광 다이오드(LED) 등에도 사용될 수 있습니다. SiC 에피택시 시스템과 관련된 핵심 기술들은 매우 다양합니다. 첫째, **반응로 설계 및 제어 기술**입니다. 고온에서 균일한 온도 분포를 유지하고, 반응 가스의 흐름을 최적화하여 웨이퍼 전체에 걸쳐 에피층의 두께, 조성, 도핑 농도를 정밀하게 제어하는 것이 중요합니다. 이를 위해 히터 설계, 유체 역학적 분석(CFD), 플라즈마 제어 기술 등이 활용됩니다. 둘째, **전구체 가스 제어 기술**입니다. SiC 에피택시에는 주로 메틸트리실란(MTS, (CH3)3SiCl), 실란(SiH4), 프로판(C3H8) 등의 가스가 사용됩니다. 이러한 가스의 순도 관리, 정밀한 유량 제어, 그리고 반응 경로 제어 기술은 에피층의 결정 품질에 직접적인 영향을 미칩니다. 셋째, **결정 성장 메커니즘 이해 및 제어 기술**입니다. SiC는 여러 가지 결정 구조(polytype)를 가집니다. 예를 들어 4H-SiC와 6H-SiC가 대표적입니다. 원하는 결정 구조를 안정적으로 성장시키고, 결정 결함(dislocation, stacking fault 등)을 최소화하는 성장 조건을 찾는 것이 중요합니다. 이를 위해 표면 분석 기술, 회절 분석 기술 등이 활용됩니다. 넷째, **도핑 기술**입니다. 성장 중 또는 성장 후에 에피층에 원하는 도펀트를 정확한 농도로 주입하는 기술입니다. 성장 중에 도펀트 가스를 직접 주입하는 In-situ Doping 방식이 주로 사용되며, 이 과정에서 도펀트 원자들의 결정 내 위치 제어가 중요합니다. 다섯째, **웨이퍼 처리 및 이송 기술**입니다. 고온에서 진행되는 공정에서 웨이퍼를 안정적으로 이송하고, 오염 없이 처리하는 기술 또한 중요합니다. 자동화된 웨이퍼 핸들링 시스템과 오염 방지 기술이 필요합니다. 마지막으로, **공정 모니터링 및 분석 기술**입니다. 실시간으로 에피층의 성장 과정을 모니터링하고, 성장 후에는 표면 형태, 결정성, 전기적 특성 등을 분석하여 공정 조건을 최적화하는 것이 필수적입니다. 결론적으로, SiC 에피택시 시스템은 고성능, 고효율 SiC 전력 반도체 소자 제작의 핵심 기술입니다. 1500°C 이상의 고온, 고순도 가스 환경, 정밀한 온도 및 가스 유량 제어 등 다양한 첨단 기술이 집약된 시스템입니다. 수평형 및 수직형 반응로 시스템 등 다양한 형태가 존재하며, 주로 SiC MOSFET 및 쇼트키 다이오드 제작에 활용되어 전기차, 신재생 에너지 등 차세대 산업 발전에 크게 기여하고 있습니다. 앞으로도 SiC 에피택시 기술의 발전은 SiC 전력 반도체의 성능 향상과 가격 경쟁력 확보에 중요한 역할을 할 것으로 기대됩니다. |
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