| ■ 영문 제목 : SiC and GaN Power Devices Market, Global Outlook and Forecast 2024-2030 | |
 | ■ 상품코드 : MONT2407F47117 ■ 조사/발행회사 : Market Monitor Global ■ 발행일 : 2024년 3월 ■ 페이지수 : 약100 ■ 작성언어 : 영어 ■ 보고서 형태 : PDF ■ 납품 방식 : E메일 (주문후 2-3일 소요) ■ 조사대상 지역 : 글로벌 ■ 산업 분야 : IT/전자 |
| Single User (1명 열람용) | USD3,250 ⇒환산￦4,387,500 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Multi User (20명 열람용) | USD4,225 ⇒환산￦5,703,750 | 견적의뢰/주문/질문 |
| Enterprise User (동일기업내 공유가능) | USD4,875 ⇒환산￦6,581,250 | 견적의뢰/구입/질문 |
|
※가격옵션 설명 - 납기는 즉일~2일소요됩니다. 3일이상 소요되는 경우는 별도표기 또는 연락드립니다. - 지불방법은 계좌이체/무통장입금 또는 카드결제입니다. |
본 조사 보고서는 현재 동향, 시장 역학 및 미래 전망에 초점을 맞춰, SiC 및 GaN 전력 장치 시장에 대한 포괄적인 분석을 제공합니다. 본 보고서는 북미, 유럽, 아시아 태평양 및 신흥 시장과 같은 주요 지역을 포함한 전 세계 SiC 및 GaN 전력 장치 시장을 대상으로 합니다. 또한 SiC 및 GaN 전력 장치의 성장을 주도하는 주요 요인, 업계가 직면한 과제 및 시장 참여자를 위한 잠재적 기회도 기재합니다.
글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장은 최근 몇 년 동안 환경 문제, 정부 인센티브 및 기술 발전의 증가로 인해 급속한 성장을 목격했습니다. SiC 및 GaN 전력 장치 시장은 UPS 및 PS 시스템, PV 인버터, IMD, EV/HEV, 기타를 포함한 다양한 이해 관계자에게 기회를 제공합니다. 민간 부문과 정부 간의 협력은 SiC 및 GaN 전력 장치 시장에 대한 지원 정책, 연구 개발 노력 및 투자를 가속화 할 수 있습니다. 또한 증가하는 소비자 수요는 시장 확장의 길을 제시합니다.
글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장은 2023년에 미화 XXX백만 달러로 조사되었으며 2030년까지 미화 XXX백만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 예측 기간 동안 XXX%의 CAGR로 성장할 것으로 예상됩니다.
[주요 특징]
SiC 및 GaN 전력 장치 시장에 대한 조사 보고서에는 포괄적인 통찰력을 제공하고 이해 관계자의 의사 결정을 용이하게하는 몇 가지 주요 항목이 포함되어 있습니다.
요약 : 본 보고서는 SiC 및 GaN 전력 장치 시장의 주요 결과, 시장 동향 및 주요 통찰력에 대한 개요를 제공합니다.
시장 개요: 본 보고서는 SiC 및 GaN 전력 장치 시장의 정의, 역사적 추이, 현재 시장 규모를 포함한 포괄적인 개요를 제공합니다. 종류(예: GaN 전력 소자, SiC 전력 소자), 지역 및 용도별로 시장을 세분화하여 각 세그먼트 내의 주요 동인, 과제 및 기회를 중점적으로 다룹니다.
시장 역학: 본 보고서는 SiC 및 GaN 전력 장치 시장의 성장과 발전을 주도하는 시장 역학을 분석합니다. 본 보고서에는 정부 정책 및 규정, 기술 발전, 소비자 동향 및 선호도, 인프라 개발, 업계 협력에 대한 평가가 포함되어 있습니다. 이 분석은 이해 관계자가 SiC 및 GaN 전력 장치 시장의 궤적에 영향을 미치는 요인을 이해하는데 도움이됩니다.
경쟁 환경: 본 보고서는 SiC 및 GaN 전력 장치 시장내 경쟁 환경에 대한 심층 분석을 제공합니다. 여기에는 주요 시장 플레이어의 프로필, 시장 점유율, 전략, 제품 포트폴리오 및 최근 동향이 포함됩니다.
시장 세분화 및 예측: 본 보고서는 종류, 지역 및 용도와 같은 다양한 매개 변수를 기반으로 SiC 및 GaN 전력 장치 시장을 세분화합니다. 정량적 데이터 및 분석을 통해 각 세그먼트의 시장 규모와 성장 예측을 제공합니다. 이를 통해 이해 관계자가 성장 기회를 파악하고 정보에 입각한 투자 결정을 내릴 수 있습니다.
기술 동향: 본 보고서는 주요기술의 발전과 새로운 대체품 등 SiC 및 GaN 전력 장치 시장을 형성하는 주요 기술 동향을 강조합니다. 이러한 트렌드가 시장 성장, 채택률, 소비자 선호도에 미치는 영향을 분석합니다.
시장 과제와 기회: 본 보고서는 기술적 병목 현상, 비용 제한, 높은 진입 장벽 등 SiC 및 GaN 전력 장치 시장이 직면한 주요 과제를 파악하고 분석합니다. 또한 정부 인센티브, 신흥 시장, 이해관계자 간의 협업 등 시장 성장의 기회에 대해서도 강조합니다.
규제 및 정책 분석: 본 보고서는 정부 인센티브, 배출 기준, 인프라 개발 계획 등 SiC 및 GaN 전력 장치에 대한 규제 및 정책 환경을 평가합니다. 이러한 정책이 시장 성장에 미치는 영향을 분석하고 향후 규제 동향에 대한 인사이트를 제공합니다.
권장 사항 및 결론: 본 보고서는 소비자, 정책 입안자, 투자자, 인프라 제공업체 등 이해관계자를 위한 실행 가능한 권고 사항으로 마무리합니다. 이러한 권장 사항은 조사 결과를 바탕으로 SiC 및 GaN 전력 장치 시장의 주요 과제와 기회를 해결할 수 있습니다.
참고 데이터 및 부록: 보고서에는 분석 및 조사 결과를 입증하기 위한 보조 데이터, 차트, 그래프가 포함되어 있습니다. 또한 데이터 소스, 설문조사, 상세한 시장 예측과 같은 추가 세부 정보가 담긴 부록도 포함되어 있습니다.
[시장 세분화]
SiC 및 GaN 전력 장치 시장은 종류별 및 용도별로 세분화됩니다. 2019-2030년 기간 동안 세그먼트 간의 성장은 종류별 및 용도별로 시장규모에 대한 정확한 계산 및 예측을 볼륨 및 금액 측면에서 제공합니다.
■ 종류별 시장 세그먼트
– GaN 전력 소자, SiC 전력 소자
■ 용도별 시장 세그먼트
– UPS 및 PS 시스템, PV 인버터, IMD, EV/HEV, 기타
■ 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장 점유율, 2023년(%)
– 북미 (미국, 캐나다, 멕시코)
– 유럽 (독일, 프랑스, 영국, 이탈리아, 러시아)
– 아시아 (중국, 일본, 한국, 동남아시아, 인도)
– 남미 (브라질, 아르헨티나)
– 중동 및 아프리카 (터키, 이스라엘, 사우디 아라비아, UAE)
■ 주요 업체
– Infineon, Efficient Power Conversion (EPC), Rohm, STMicro, Fuji, Mitsubishi, United Silicon Carbide Inc., Toshiba, GeneSic, Microchip Technology, GaN Systems, VisIC Technologies, Transphorm
[주요 챕터의 개요]
1 장 : SiC 및 GaN 전력 장치의 정의, 시장 개요를 소개
2 장 : 매출 및 판매량을 기준으로한 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장 규모
3 장 : SiC 및 GaN 전력 장치 제조업체 경쟁 환경, 가격, 판매량 및 매출 시장 점유율, 최신 동향, M&A 정보 등에 대한 자세한 분석
4 장 : 종류별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
5 장 : 용도별 시장 분석을 제공 (각 세그먼트의 시장 규모와 성장 잠재력을 다룸)
6 장 : 지역 및 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량. 각 지역 및 주요 국가의 시장 규모와 성장 잠재력에 대한 정량적 분석을 제공. 세계 각국의 시장 개발, 향후 개발 전망, 시장 기회을 소개
7 장 : 주요 업체의 프로필을 제공. 제품 판매, 매출, 가격, 총 마진, 제품 소개, 최근 동향 등 시장 내 주요 업체의 기본 상황을 자세히 소개
8 장 : 지역별 및 국가별 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모
9 장 : 시장 역학, 시장의 최신 동향, 시장의 추진 요인 및 제한 요인, 업계내 업체가 직면한 과제 및 리스크, 업계의 관련 정책 분석을 소개
10 장 : 산업의 업 스트림 및 다운 스트림을 포함한 산업 체인 분석
11 장 : 보고서의 주요 요점 및 결론
※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다.
■ 보고서 목차1. 조사 및 분석 보고서 소개 2. 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 전체 시장 규모 3. 기업 환경 4. 종류별 시장 분석 5. 용도별 시장 분석 6. 지역별 시장 분석 7. 제조업체 및 브랜드 프로필 Infineon, Efficient Power Conversion (EPC), Rohm, STMicro, Fuji, Mitsubishi, United Silicon Carbide Inc., Toshiba, GeneSic, Microchip Technology, GaN Systems, VisIC Technologies, Transphorm Infineon Efficient Power Conversion (EPC) Rohm 8. 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 생산 능력 분석 9. 주요 시장 동향, 기회, 동인 및 제약 요인 10. SiC 및 GaN 전력 장치 공급망 분석 11. 결론 [그림 목록]- 종류별 SiC 및 GaN 전력 장치 세그먼트, 2023년 - 용도별 SiC 및 GaN 전력 장치 세그먼트, 2023년 - 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장 개요, 2023년 - 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장 규모: 2023년 VS 2030년 - 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 매출, 2019-2030 - 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량: 2019-2030 - SiC 및 GaN 전력 장치 매출 기준 상위 3개 및 5개 업체 시장 점유율, 2023년 - 글로벌 종류별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 종류별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 종류별 SiC 및 GaN 전력 장치 가격 - 글로벌 용도별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 글로벌 용도별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 글로벌 용도별 SiC 및 GaN 전력 장치 가격 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출, 2023년 VS 2030년 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 북미 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 미국 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 캐나다 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 멕시코 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 유럽 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 유럽 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 독일 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 프랑스 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 영국 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 이탈리아 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 러시아 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 아시아 지역별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 아시아 지역별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 중국 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 일본 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 한국 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 동남아시아 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 인도 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 남미 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 남미 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 브라질 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 아르헨티나 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 매출 시장 점유율 - 중동 및 아프리카 국가별 SiC 및 GaN 전력 장치 판매량 시장 점유율 - 터키 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 이스라엘 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 사우디 아라비아 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 아랍에미리트 SiC 및 GaN 전력 장치 시장규모 - 글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 생산 능력 - 지역별 SiC 및 GaN 전력 장치 생산량 비중, 2023년 VS 2030년 - SiC 및 GaN 전력 장치 산업 가치 사슬 - 마케팅 채널 ※납품 보고서의 구성항목 및 내용은 본 페이지에 기재된 내용과 다를 수 있습니다. 보고서 주문 전에 당사에 보고서 샘플을 요청해서 구성항목 및 기재 내용을 반드시 확인하시길 바랍니다. 보고서 샘플에 없는 내용은 납품 드리는 보고서에도 포함되지 않습니다. |
| ※참고 정보 실리콘 카바이드(SiC)와 질화갈륨(GaN)은 차세대 전력 반도체 소재로서, 기존의 실리콘(Si) 기반 소자가 가진 한계를 극복하고 뛰어난 성능을 제공하여 에너지 효율 향상, 소형화, 고성능화라는 현대 전자 산업의 요구를 충족시키고 있습니다. 이러한 SiC 및 GaN 전력 장치들은 고온, 고전압, 고주파수 환경에서도 안정적으로 작동하며, 에너지 변환 효율을 극대화하여 지속 가능한 에너지 시스템 구축에 핵심적인 역할을 수행합니다. SiC는 탄소와 규소의 화합물로, 다이아몬드와 유사한 결정 구조를 가지는 넓은 밴드갭 반도체입니다. 이러한 넓은 밴드갭 특성 덕분에 SiC 소자는 실리콘 소자보다 훨씬 높은 항복 전압을 견딜 수 있으며, 높은 온도에서도 안정적으로 작동합니다. 또한, SiC는 실리콘보다 3배 이상 높은 열전도율을 가지고 있어 방열 성능이 뛰어나며, 전자 이동 속도도 빨라 스위칭 손실을 줄이는 데 기여합니다. 이러한 특성들은 SiC 전력 장치를 고전압, 고온 환경에서 작동해야 하는 다양한 응용 분야에 매우 적합하게 만듭니다. SiC는 주로 쇼트키 다이오드(Schottky Diode), MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor), JFET(Junction Field-Effect Transistor) 등의 형태로 구현됩니다. SiC 쇼트키 다이오드는 실리콘 PN 접합 다이오드에 비해 역회복 전하(Reverse Recovery Charge)가 거의 없어 고속 스위칭 시 발생하는 전력 손실을 크게 줄일 수 있습니다. SiC MOSFET은 실리콘 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 대비 낮은 온저항과 높은 스위칭 속도를 제공하여 전력 변환 효율을 향상시킵니다. SiC JFET은 게이트 제어 특성이 우수하고 높은 항복 전압을 가지는 장점이 있습니다. GaN은 질소와 갈륨의 화합물로, SiC와 마찬가지로 넓은 밴드갭을 가지는 반도체 소재입니다. 특히 GaN은 고전압에서도 높은 전자 이동 속도를 유지하며, 이는 고주파수 동작에 매우 유리합니다. GaN의 높은 전자 이동 속도는 실리콘 대비 훨씬 낮은 온저항을 구현할 수 있게 하여 전력 변환 효율을 극대화하고 소자 자체의 발열을 줄이는 데 기여합니다. GaN은 주로 HEMT(High Electron Mobility Transistor) 구조로 제작됩니다. GaN HEMT는 두 종류의 반도체 물질(예: AlGaN과 GaN)의 계면에서 생성되는 2차원 전자 가스(2DEG, Two-Dimensional Electron Gas)를 이용하여 전류를 제어합니다. 이 2DEG는 매우 높은 전자 이동 속도를 가지며, 이를 통해 GaN 전력 소자는 고속 스위칭 및 높은 전력 밀도를 구현할 수 있습니다. GaN 전력 장치는 주로 저전압, 고주파수 응용 분야에 강점을 보이며, 특히 충전기, 어댑터, 전력 공급 장치(SMPS), 통신 장비 등에 널리 사용됩니다. SiC와 GaN 전력 장치의 주요 특징을 비교해보면 다음과 같습니다. 먼저, 밴드갭 에너지 측면에서 SiC는 약 3.2eV, GaN은 약 3.4eV로, 둘 다 실리콘(약 1.1eV)보다 훨씬 넓어 고온 및 고전압에 강점을 가집니다. 항복 전압 또한 SiC가 GaN보다 일반적으로 더 높아 고전압 응용에 더욱 적합합니다. 반면, 전자 이동 속도는 GaN이 SiC보다 뛰어나 고주파수 스위칭 성능이 우수합니다. 열전도율은 SiC가 GaN보다 높아 자체 발열 관리에 유리한 측면이 있습니다. 이러한 특성 차이는 각 소재가 최적화된 응용 분야를 결정하는 중요한 요인이 됩니다. SiC 전력 장치의 주요 용도는 다음과 같습니다. 전기 자동차(EV)의 온보드 충전기(OBC), DC-DC 컨버터, 인버터 등 구동 시스템에 적용되어 에너지 효율을 높이고 주행 거리를 연장하는 데 기여합니다. 태양광 발전 시스템의 인버터에서는 태양광 패널에서 생산된 직류(DC)를 교류(AC)로 변환하는 과정의 효율을 높여 전력 생산량을 증대시킵니다. 산업용 전력 공급 장치, 고속 열차, 전력망(Grid) 관련 설비 등에서도 높은 신뢰성과 효율을 요구하는 분야에 사용됩니다. GaN 전력 장치의 주요 용도는 다음과 같습니다. 스마트폰, 노트북, TV 등 다양한 소비재 전자기기의 고효율 전력 어댑터 및 충전기에 사용되어 소형화 및 경량화를 실현하고 충전 속도를 향상시킵니다. 5G 기지국과 같은 통신 장비에서는 고주파수 신호를 효율적으로 처리하는 데 중요한 역할을 합니다. 또한, 데이터 센터의 전력 공급 장치, 서버 전원 등에서도 에너지 효율을 높이는 데 기여합니다. SiC 및 GaN 전력 장치의 개발과 함께 다양한 관련 기술들이 발전하고 있습니다. 소자 자체의 성능 향상을 위한 새로운 구조 설계 및 공정 기술 개발이 지속적으로 이루어지고 있습니다. 또한, 이러한 소자를 효과적으로 구동하고 보호하기 위한 게이트 구동 회로(Gate Driver IC), 제어 회로 설계 기술이 중요하게 다루어집니다. 소자에서 발생하는 열을 효과적으로 방출하기 위한 방열 설계 및 패키징 기술도 필수적입니다. 더욱이, SiC 및 GaN 전력 장치를 시스템 레벨에서 최적으로 활용하기 위한 모듈화 기술 및 전력 변환 시스템 설계 기술 또한 중요한 연구 개발 분야입니다. 결론적으로, SiC 및 GaN 전력 장치는 기존 실리콘 소자의 한계를 뛰어넘는 우수한 전기적 특성을 바탕으로 에너지 효율 향상, 시스템 소형화, 고성능화라는 시대적 요구에 부응하며 다양한 산업 분야에 혁신을 가져오고 있습니다. 전기 자동차, 재생 에너지, 정보 통신 등 미래 핵심 산업의 발전과 지속 가능한 에너지 시스템 구축에 있어 SiC 및 GaN 전력 장치의 중요성은 더욱 커질 것으로 전망됩니다. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장예측 2024-2030] (코드 : MONT2407F47117) 판매에 관한 면책사항을 반드시 확인하세요. |
| ※본 조사보고서 [글로벌 SiC 및 GaN 전력 장치 시장예측 2024-2030] 에 대해서 E메일 문의는 여기를 클릭하세요. |
※당 사이트에 없는 보고서도 취급 가능한 경우가 많으니 문의 주세요!